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Rastersondengestützte Untersuchung der elektrochemischen Abscheidung von Element- und Verbindungshalbleitern aus ionischen Flüssigkeiten

扫描探针支持的离子液体电化学沉积元素和化合物半导体的研究

基本信息

批准号：
5413960
负责人：
Professor Dr. Frank Endres
金额：
--
依托单位：
Institut für Elektrochemie
依托单位国家：
德国
项目类别：
Research Grants
财政年份：
2003
资助国家：
德国
起止时间：
2002-12-31 至 2011-12-31
项目状态：
已结题

来源：
https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5413960?language=en
关键词：
Rastersondengest tzte Untersuchung der elektrochemischen

项目摘要

In situ Rastersondenmethoden eignen sich hervorragend für die Analyse elektrochemisch erzeugter Strukturen auf der Nanometerskala. Durch den Einsatz ionischer Flüssigkeiten mit ihren entsprechend weiten elektrochemischen Fenstern gelingt es insbesondere auch, stark unedle Elemente und Verbindungen lokal geordnet abzuscheiden: Hierzu zählen typische Elementhalbleiter (Si, Ge) und Verbindungshalbleiter (GaAs, GaSb, ZnTe) ebenso wie typische Leiter- oder Barrierenelemente (Al, Ti). Ziel dieses Vorhabens ist die Aufklärung der Mechanismen der ortsaufgelösten elektrochemischen Abscheidung von Element- (Si, Ge) und Verbindungshalbleitern (ZnTe, GaSb, GaP) aus Ionischen Flüssigkeiten, d.h. Lösemitteln, die sich durch außerordentlich weite elektrochemische Fenster von mehr als 6 Volt auszeichnen und minimale Dampfdrücke selbst bei erhöhten Temperaturen bis zu 300°C haben. Einige neuere Systeme sind hydrolysestabil und können prinzipiell sogar an Luft gehandhabt werden. Mit dem in situ Rastertunnelmikroskop sollen die Prozesse bei der Abscheidung der Halbleiter auf der Nanometerskala untersucht und die abgeschiedenen Strukturen mithilfe der in situ Tunnelspektroskopie elektronisch charakterisiert werden. Parallel sollen als upscaling Halbleiter in der Volumenphase nanoskaliert elektrochemisch abgeschieden und charakterisiert werden.

原位光栅测量法可用于纳米结构的分析。Dinchden Einchionischer Flüssigkeiten mit ihren entsprechend weiten elektrochemischen Fenstern gelingt es insbesondere auch，stark unedle Elemente und Verbindungen local geordnet abzuscheiden：Hierzu zählen typische Elementalbleiter（Si，Ge）und Verbindungshalbleiter（GaAs，GaSb，ZnTe）ebenso wie typische Leiter- oder Barrierenelemente（Al，Ti）. Ziel dieses Vorhabens ist die Aufklärung der Mechanismen der ortsaufgelösten elektrochemischen Abscheidung von Element-（Si，Ge）und Verbindungshalbleitern（ZnTe，GaSb，GaP）aus Ionischen Flüssigkeiten，d.h. Löntern，die sich durch außerordentlich weite elektrochemische Fenster von梅尔als 6 Volt auszeichnen und minimale Dampfdrücke selbst bei erhöhten Temperaturen bis zu 300°C haben.一个新的系统是水解稳定的，而且它的原理是在洛福特韦尔登使用的。原位光栅隧道显微镜解决了半导体器件在纳米材料上的应用过程，以及原位光栅隧道显微镜电子特性韦尔登的应用结构。并行解决方案是在体积相纳米电化学实验和特性韦尔登中放大Halbleiter。