Rastersondengestützte Untersuchung der elektrochemischen Abscheidung von Element- und Verbindungshalbleitern aus ionischen Flüssigkeiten

纳米颗粒的电化学性质的现场分析。在此之前，我们提供了一种新的电化学性质的电化学凝胶，它是一种典型的元素(Si，Ge)和尖晶石(As，GaSb，ZnTe)。ZIel Dieses Vorhabens ist De Aufklärung der机械师或Aufklärung der机械师Abscheidung von Element-(Si，Ge)and Verbindungshalbleitern(ZnTe，GaSb，GaP)Aus Ionischen Flüssigkeiten，D.H.L先生说：“在300°C的高温下，我们的电化学反应是6伏的。我们的中性系统是水解性的，它不是一件简单的事情。麻省理工学院的数字高程模型(DEM)是一种新型的纳米技术，具有良好的应用前景和广阔的应用前景。平行的Sollen ALS在体积相纳米钾盐的电化学反应中提升了Halbleiter的标度。

In situ Rastersondenmethoden eignen sich hervorragend für die Analyse elektrochemisch erzeugter Strukturen auf der Nanometerskala. Durch den Einsatz ionischer Flüssigkeiten mit ihren entsprechend weiten elektrochemischen Fenstern gelingt es insbesondere auch, stark unedle Elemente und Verbindungen lokal geordnet abzuscheiden: Hierzu zählen typische Elementhalbleiter (Si, Ge) und Verbindungshalbleiter (GaAs, GaSb, ZnTe) ebenso wie typische Leiter- oder Barrierenelemente (Al, Ti). Ziel dieses Vorhabens ist die Aufklärung der Mechanismen der ortsaufgelösten elektrochemischen Abscheidung von Element- (Si, Ge) und Verbindungshalbleitern (ZnTe, GaSb, GaP) aus Ionischen Flüssigkeiten, d.h. Lösemitteln, die sich durch außerordentlich weite elektrochemische Fenster von mehr als 6 Volt auszeichnen und minimale Dampfdrücke selbst bei erhöhten Temperaturen bis zu 300°C haben. Einige neuere Systeme sind hydrolysestabil und können prinzipiell sogar an Luft gehandhabt werden. Mit dem in situ Rastertunnelmikroskop sollen die Prozesse bei der Abscheidung der Halbleiter auf der Nanometerskala untersucht und die abgeschiedenen Strukturen mithilfe der in situ Tunnelspektroskopie elektronisch charakterisiert werden. Parallel sollen als upscaling Halbleiter in der Volumenphase nanoskaliert elektrochemisch abgeschieden und charakterisiert werden.