Xe-NMR auf Einkristalloberflächen

单晶表面的 Xe NMR

• 批准号: 5179818
• 负责人: Professor Dr. Heinz Julius Jänsch
• 金额: --
• 依托单位: Fachbereich 13: Physik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 1994
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1993-12-31 至 2002-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5179818?language=en
• 关键词: Xe; NMR; auf; Einkristalloberfl; chen

Ziel des Fortsetzungsantrags ist der endgültige Nachweis eines NMR-Signals von 129Xe, das auf einer Einkristalloberfläche adsorbiert ist. In den zwei vorausgegangenen je 2-jährigen Antragsperioden wurden die Voraussetzungen hierzu geschaffen. Zur Verfügung stehen höchstpolarisiertes, gezielt dosierbares Xenongas, getrennt von Stickstoff; eine NMR-Apparatur mit Probenkopf; eine Vakuumapparatur, die Kristallmanipulation, Kühlung und Heizung und in bedingtem Umfange auch die Kristallpräparation erlaubt. Die implementierte Stickstoffkühlung des Substrats erlaubt eine Monolagenadsorption von Xenon nur auf metallischen Oberflächen. Auf diesen konnte bisher kein Signal beobachtet werden, was mit den möglicherweise kurzen T1-Relaxationszeiten von Xe auf Metallen zu erklären ist. Um an schwächer bindenden Oberflächen arbeiten zu können, muß eine Heliumkühlung installiert werden, um die Kristalltemperatur unter 50 K abzusenken, so daß Xenon auch auf nichtmetallischen Oberflächen adsorbiert werden kann. Die Beobachtung eines Resonanzsignales sollte dann möglich sein, da bereits gezeigt wurde, daß Submonolagenmengen eines Xenonkondensates zu einem nachweisbaren Signal führen. Als Kandidaten zur Substratwahl kommen adsorbatpassivierte Metalle, Halbleiteroberflächen oder nichtleitende Oberflächen wie Oxide in Frage.

Ziel des Fortsetzungsantrags ist der endgg<s:1> ltige nachwees emr - signals on 129Xe， as aufiner Einkristalloberfläche吸附物[j]。In den zwei vorausgegangenen je 2-jährigen Antragsperioden wurden die Voraussetzungen hierzu geschaffen。Zur verff<s:1> gung stehen höchstpolarisiertes, gezielt dosierbares Xenongas, getrent von Stickstoff；核磁共振仪；eine vakuumapparter, die crystal manipulation, kklung and Heizung and in bedingtem Umfange auth die Kristallpräparation erlaubt。模具实现器stickstoffk<e:1> hlung - des衬底，用于单分子吸附氙气金属离子Oberflächen。Auf diesen konte bisher kein Signal beobachet werden，是mit den möglicherweise kurzen T1-Relaxationszeiten von Xe Auf Metallen zu erklären ist。Um和schwächer结合Oberflächen arbeen zu können， muß eine helumkk<e:1>安装在一起，Um的结晶温度低于50 K abzusenken，所以daß氙气和nichtmetallischen Oberflächen吸附在一起。德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国al candidate zur Substratwahl kommen吸附钝化金属，Halbleiteroberflächen oder nichtleitende Oberflächen烟气中的氧化物。