新しい高性能ランガサイト系圧電単結晶材料の探索研究
新型高性能硅酸镁硅基压电单晶材料探索性研究
基本信息
- 批准号:08750348
- 负责人:
- 金额:$ 0.7万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
- 财政年份:1996
- 资助国家:日本
- 起止时间:1996 至 无数据
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
高性能新型圧電単結晶材料として報告者らが見いだしたLa_3Ga_<5.5>Nb_<0.5>O_<14>(以下LGN)に関して、バルク単結晶の作製、高品質・安定成長条件、融解性、結晶の均質性・完全性、圧電特性、デバイス特性等に関する、基礎から応用まで幅広く解明した。更に、LGNを基調に、同原子価・異種原子価陽イオン置換により新しい高性能置換体材料を開発し、それらの結晶作製、結晶性、圧電特性についても明らかにした。具体的には、1.LGNバルク単結晶化:LGNのバルク状単結晶化を高周波誘導加熱型引き上げ法にて行い、実用化の指針となる直径2インチの結晶化に成功した。2.結晶学的物性評価:得られた結晶の結晶学的物性、即ち、格子定数、密度、圧電定数、電気機械結合係数等の測定を行った。また詳しい結晶構造の報告がないため、単結晶X線回折により精密な結晶構造解析を行った結果、置換元素のNb^<5+>は結晶構造中の3種類の配位席(4, 6, 8配位)のうち6配位席のみを占有することがわかった。3.工学的応用物性評価:引き上げ法で作成した単結晶を用いて実際にフィルターやレゾネーター等のデバイスを作成し、フィルターでは帯域幅、レゾネーターでは高次発振及び周波数温度係数を測定した。その結果、あらゆる点で高性能材料と報告されているLa_3Ga_5SiO_<14>(以下LGS)より優れた特性を示した。4.新しい材料探索:LGNを構成するNb^<5+>をTa^<5+>等、5価の価数を持つ陽イオンで置換した。結果、LGNを構成するNb^<5+>をTa^<5+>で置換したLa_3Ta_<0.5>Ga_<5.5>O_<14>という新物質の開発に成功、単結晶化にも成功しLGNと同様LGSを上回る特性を示した。
A new type of crystal material with high performance, such as the reporter, the reporter, the La _ 3GaO _ 4 crystal, the La _ 3GaO _ 3GaO _ 3GaO _ 3GaO _ 4 crystal, La _ 3GaO _ 3GaO _ 4, La _ 3GaO _ 3, La _ 3GaO _ 4, La _ 3GaO _ 4, La _ 3GaO _ 3, La _ 3GaO _ 4, La _ 3GaO _ 4, La _ 3GaO _ 3, La _ 3GaO _ 3, La _ 3GaO _ 4, La _ 3GaO _ 3GaO _ 3, La _ 3GaO _ 3GaO _ 3, La _ 3GaO _ 4, La _ 3GaO _ 3, La _ 3GaO _ 3GaO _ 3, La _ 3GaO _ 3GaOTH _ lt (below LGN) the temperature, temperature, crystal structure, growth conditions of high quality stability, melting property, crystal homogeneity completeness, temperature characteristics, temperature properties and other properties of the alloy, and the base temperature are explained by the amplitude of the temperature spectrum. Change, LGN, multi-atomic mechanical properties, new high-performance device materials, mechanical properties, mechanical properties and mechanical properties. The crystallization of the specific and 1.LGN micrographs: the crystallization of the high-cycle structure, the addition of the high-cycle guide, the operation of the previous method, and the use of the chemical method. The diameter of the crystal is 2 inch. two。 Results the physical properties of crystallography: the physical properties of crystallography, that is, temperature, lattice number, density, temperature number, mechanical combination number and so on, were determined. The analysis of the results of the X-ray back-to-back analysis of the precision test results, the selection of the element NB ^ & lt;5+> in the production of the 3-type coordination seats (4, 6, 8 coordination), the 6-seat coordination seats occupy the most important position. 3. The physical properties of engineering: the results of the previous method are used to determine the amplitude of the temperature range, the amplitude of the temperature range, the high-order vibration and the temperature of the cycle number. The results show that the performance of high-performance materials reports that La _ 3GaO _ 5SiOTO _ LTX _ 14gt; (below LGS) the properties of the materials are shown. 4. New material exploration: LGN will become Nb^ & lt;5+> Ta ^ & lt;5+>, etc., and 5 times will last. The results show that the LGN configuration is successful, the new item is successful, and the LGN is the same as the previous LGS.
项目成果
期刊论文数量(2)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
H.Takeda, K.Shimamura, T.Kohno and T.Fukuda: "Growth and Characterization of La_3Nb_<0.5>Ga_<5.5>O_<14> single crystals" Journal of Crystal Growth. 169. 503-508 (1996)
H.Takeda、K.Shimamura、T.Kohno 和 T.Fukuda:“La_3Nb_<0.5>Ga_<5.5>O_<14> 单晶的生长和表征”晶体生长杂志。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
K.Shimamura, H.Takeda, T.Kohno, T.Fukuda: "Growth and characterization of lanthanum gallium silicate La_3Ga_5SiO_<14> single crstals for Piezoelectric applications" Journal of Crystal Growth. 163. 388-392 (1996)
K.Shimamura、H.Takeda、T.Kohno、T.Fukuda:“用于压电应用的硅酸镧镓 La_3Ga_5SiO_<14> 单晶的生长和表征”晶体生长杂志。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
島村 清史其他文献
IR photoresponse characteristics of Mg2Si pn-junction diode fabricated by RTA
RTA法制备Mg2Si pn结二极管的红外光响应特性
- DOI:
- 发表时间:
2018 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
エルアミル アアハメド モハメド エルサイド アハメド;大澤 健男;生田目 俊秀;大井 暁彦;和田 芳樹;中村 優 ;島村 清史;大橋 直樹 - 通讯作者:
大橋 直樹
島村 清史的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('島村 清史', 18)}}的其他基金
特異な電・磁場制御のための新しい機能性結晶材料の設計と作製
设计和制造用于独特电场和磁场控制的新型功能晶体材料
- 批准号:
09F09799 - 财政年份:2009
- 资助金额:
$ 0.7万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
高性能GaN青色LED・LD用最適基板材料の開発
开发高性能 GaN 蓝色 LED 和 LD 的最佳基板材料
- 批准号:
09750340 - 财政年份:1997
- 资助金额:
$ 0.7万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
相似海外基金
低次元バルク単結晶の創製と応用開拓
低维块体单晶的制备及应用开发
- 批准号:
24K01172 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 0.7万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
2次元トポロジカル絶縁体状態の観測に向けたバルク単結晶の2次元性の向上
提高块状单晶的二维性以观察二维拓扑绝缘体状态
- 批准号:
23KJ1124 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 0.7万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
酸窒化物バルク単結晶の成長と機能開発
氮氧化物块状单晶的生长和功能开发
- 批准号:
20H00384 - 财政年份:2020
- 资助金额:
$ 0.7万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
高品質ケステライト化合物バルク単結晶を用いた高効率太陽電池デバイスの創製
使用高品质黄锌锡矿化合物的块状单晶创建高效太阳能电池器件
- 批准号:
17J07259 - 财政年份:2017
- 资助金额:
$ 0.7万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
高温高圧技術を用いた窒化ガリウム-窒化アルミニウム合金のバルク単結晶育成
利用高温高压技术生长氮化镓-氮化铝合金的块状单晶
- 批准号:
16760538 - 财政年份:2004
- 资助金额:
$ 0.7万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
超音波を利用した均一組成混晶半導体バルク単結晶の新しい成長法
一种利用超声波生长同质混晶半导体块状单晶的新方法
- 批准号:
13875061 - 财政年份:2001
- 资助金额:
$ 0.7万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Exploratory Research
酸素過剰層状酸化物バルク単結晶における酸素バブリング現象の解明とその応用
富氧层状氧化物块状单晶中氧鼓泡现象的阐明及其应用
- 批准号:
13875170 - 财政年份:2001
- 资助金额:
$ 0.7万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Exploratory Research
エコ・エレクトロニクス材料β―FeSi_2バルク単結晶の育成とその応用
生态电子材料β-FeSi_2块状单晶的生长及其应用
- 批准号:
12750256 - 财政年份:2000
- 资助金额:
$ 0.7万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
多元系化合物半導体バルク単結晶作製時の流動、熱・物質移動現象の解明
阐明多组分化合物半导体块状单晶制造过程中的流动、传热和传质现象
- 批准号:
08750866 - 财政年份:1996
- 资助金额:
$ 0.7万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
選択成長を用いたGaNバルク単結晶の高品質化に関する研究
选择性生长提高GaN体单晶质量的研究
- 批准号:
07650011 - 财政年份:1995
- 资助金额:
$ 0.7万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)