光CVDによる酸化物薄膜の常温合成プロセスの反応解析

光CVD法室温合成氧化物薄膜过程的反应分析

• 批准号: 08750895
• 负责人: 秋山 泰伸
• 金额: $ 0.64万
• 依托单位: Kyushu University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
• 财政年份: 1996
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1996 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-08750895/
• 关键词: CVD; シリカ; TRIES; TEOS

本研究の目的はTRIESを原料として、常温で光CVDによりシリカ膜を合成し、その反応解析を行なう事を目的としている。光CVDの予備的知識を得るために、熱CVDによるTRIESからの成膜について研究を行なった。窒素をキャリアガスとし恒温槽の中のTRIESをバブリングして混合したものにさらに窒素と酸素を混ぜ反応管へと運び、シリカを成膜させた。反応管の出口から出てきたガスを四重極質量分析計で測定した。実験条件は反応温度923〜1173K、操作圧1〜100Torr、全流量50〜1000ccm、酸素濃度0〜50mol%、TRIES濃度0.01〜10mol%とし5〜120min実験を行った。反応管内では、高温部(923K以上)と低温部(370K以下)の2つの成膜部位を持つ。低温部で析出した膜は、膜中に多量の有機成分が存在し実用に適さない。以下、高温部で成膜した膜について記す。1173Kの場合、反応管上流に成膜速度の最大値が生じ、その後方で急激に成膜速度が減少する。1023Kではほぼブロードな成膜速度分布となる。四重極質量分析計の測定の結果、973K以上では反応管出口ではTRIESの分子量以上のピークが多数検出された。TRIESの熱CVDの解析のためには気相中で重合反応により多種の中間体を形成し、それが基板に移動し表面反応を経て膜化する反応モデルを考える必要があると思われる。TRIESの熱CVDにより、低温でシリカの膜を合成する事が可能であるが、析出した膜中には多量の有機成分を含有し、実用には適さない。これは酸化反応が十分に進行していないためであり、低温で有機物を含有しないシリカ膜を合成するには、光CVDが有効であると思われる。現在、オゾンを供給すべく、発生装置の濃度を定量化中である。また、紫外ランプを使用した発光装置を自作中であり、光CVDでの成膜実験を準備中である。

The purpose of this study is to use raw materials for TRIES, synthesis of membranes using light CVD at room temperature, and reaction analysis to do things. Preparatory knowledge of optical CVD is obtained, and thermal CVD is used for TRIES film formation and research. Thermostat Thermostatic Bath TRIES Thermomix The たものにさらに suffocation element と acid element を mixed ぜ reaction tube へ と transport び, シリ カ を film-forming さ せ た. The output of the reaction tube is measured using a quadruple polar mass analyzer. The conditions are: reaction temperature 923~1173K, operating pressure 1~100Torr, full flow rate 50~1000ccm, acid concentration 0~50mol%, TRIES concentration 0.01~10mol%, and 5~120min operation. The film-forming parts of the high-temperature part (above 923K) and low-temperature part (below 370K) in the reflection tube are maintained. There is no precipitation in the low-temperature part of the film, and the presence of a large amount of organic components in the film is suitable for use. Below, the description of the film formation in the high-temperature part is as follows. In the case of 1173K, the maximum value of the film-forming speed in the upstream direction of the reaction tube does not occur, and the film-forming speed in the rear direction does not decrease due to sudden shock. 1023K film forming speed distribution. The measurement result of the quadruple polar mass analyzer, the outlet of the reaction tube above 973K and the molecular weight of TRIES above 973K are mostly detected. Thermal CVD analysis of TRIES allows the formation of multiple intermediates by overlapping and reacting in the phase. The substrate is moved and the surface is reflected and filmed. It is necessary to reflect the substrate and film it. TRIES is a thermal CVD film, a low-temperature film, a synthetic film, a synthetic film, a precipitated film, a large amount of organic ingredients contained in the film, and a suitable film for use.これはAcidification and reflux are carried out in 10%, していないためであり, low-temperature でorganic matter をcontains There are しないシリカfilm をsynthetic するには and light CVD がeffective であると思われる. At present, we are supplying すべく and quantification of the concentration of the hygroscopic device. We are using UV light equipment and we are making it ourselves, and we are preparing for CVD film formation.