Räumliche Positionierung von verspannten InAs-Quantenpunkten mittels fokussiertionenimplantations-induzierter Wachstumskeime

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Die optischen und elektronischen Eigenschaften von selbstorganisiert wachsenden InAs-Inseln auf GaAs sind ein hochaktuelles Forschungsgebiet, an dem weltweit zahlreiche Gruppen arbeiten. Ein großer Nachteil liegt in der statistischen Natur des Inselwachstums, d.h. der Experimentator hat keine Kontrolle über den Entstehungsort einer Insel. Trotz einiger Versuche ist es bis jetzt noch nicht gelungen, die Bildung von einzelnen Inseln hoher Kristallqualität zuverlässig an vorgegebenen Orten zu induzieren. In dem hier vorgeschlagenen Vorhaben sollen durch Ionenimplantation Wachstumskeime gelegt werden, was beim anschließenden Überwachsen mit InAs zu Inselbildung an den vorgegebenen Stellen führt. Es sollen sowohl die Ionendosis als auch die Wachstumsparameter optimiert werden. Die positionierten Quantenpunkte sollen anschließend optisch und elektrisch untersucht werden, um die Möglichkeit ihrer Integration in Bauelemente vorzubereiten.