Räumliche Positionierung von verspannten InAs-Quantenpunkten mittels fokussiertionenimplantations-induzierter Wachstumskeime

使用聚焦离子注入诱导生长种子对应变 InAs 量子点进行空间定位

• 批准号: 5184190
• 负责人: Professor Dr. Andreas Dirk Wieck
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Experimentelle Physik VI: Lehrstuhl Angewandte Festkörperphysik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 1999
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1998-12-31 至 2002-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5184190?language=en
• 关键词: umliche; Positionierung; von; verspannten; InAs

Die optischen und elektronischen Eigenschaften von selbstorganisiert wachsenden InAs-Inseln auf GaAs sind ein hochaktuelles Forschungsgebiet, an dem weltweit zahlreiche Gruppen arbeiten. Ein großer Nachteil liegt in der statistischen Natur des Inselwachstums, d.h. der Experimentator hat keine Kontrolle über den Entstehungsort einer Insel. Trotz einiger Versuche ist es bis jetzt noch nicht gelungen, die Bildung von einzelnen Inseln hoher Kristallqualität zuverlässig an vorgegebenen Orten zu induzieren. In dem hier vorgeschlagenen Vorhaben sollen durch Ionenimplantation Wachstumskeime gelegt werden, was beim anschließenden Überwachsen mit InAs zu Inselbildung an den vorgegebenen Stellen führt. Es sollen sowohl die Ionendosis als auch die Wachstumsparameter optimiert werden. Die positionierten Quantenpunkte sollen anschließend optisch und elektrisch untersucht werden, um die Möglichkeit ihrer Integration in Bauelemente vorzubereiten.

GaAs上的InAs-Inseln自组织光学和电子特性研究是一项非常重要的研究，也是一个世界性的研究小组。一个巨大的Nachteil liegt在der statistischen Natur des Inselwachstums，d.h.实验者不能控制一个插入物的运动。Trotz einiger Versuche is bis jetzt noch gelungen，die Bildung von einzelnen Inseln hoher Kristallqualität zuverlässig an vorgegebenen Orten zu induzieren.在离子注入后形成的韦尔登柱中，通过InAs的注入和钨合金的注入，形成了一个完整的钨柱。离子交换也可以优化韦尔登参数。定位的量子点需要进行光学和电气的韦尔登，以便在组件中实现更高的集成。