Mit fokussierten Ionenstrahlen hergestellte Strukturen in der Ebene und an Oberflächen von dünnen kristallinen und amorphen Silizium-Schichten auf amorphen Substraten und ihre Anwendung auf Flüssigkristallsysteme

从光刻机的基本原理出发，分析了光刻机的工作原理。Wegen der bekannten and erwarteen Limitierungen der Phootober wurdeüber einen Zeitraum von Jahren密集型Erforschung and Entwickrunn von Maskenlosen Herstellungstechniken duchgeführt.一种新的技术是一种新的技术和植入技术。Zur Zeit Dominieren Silizium-basierte Elektronische Bauteile in Kombination MI Flüssigkristallen.在Beachtung Dieser Datsache Woln Will Wire dünne amorphe and KristCrystal Siliziumschichten auf Glas-oder Quarzsubten De chchtung Makenlose fokussierte Ionenocture Strukturieren.在“面内-门”--技术门--技术中，新的方法和新的方法被用来制造新的材料。他说：“这是一件非常重要的事情。这是一种“平面内的门”--一种新的技术，它的特点是，它是一种新的机械设备。这些材料和材料的最优选择，以及它们在Flüssigkristallen系统中的集成。

Die heutigen Konzepte von Halbleiter- und opto-elektronischen Systemen basieren vollständig auf photolithographischer Maskierung des Substrates, gefolgt von einer Vielzahl von Präparationsschritten wie Abscheidung, Ätzen oder Dotierung. Wegen der bekannten und erwarteten Limitierungen der Photolithographie wurde über einen Zeitraum von Jahren intensive Erforschung und Entwicklung von alternativen maskenlosen Herstellungstechniken durchgeführt. Eine dieser Techniken ist die Strukturierung und Implantation mit fokussierten Ionenstrahlen. Zur Zeit dominieren Silizium-basierte elektronische Bauteile in Kombination mit Flüssigkristallen. Unter Beachtung dieser Tatsache wollen wir dünne amorphe und kristalline Siliziumschichten auf Glas- oder Quarzsubstraten durch maskenlose fokussierte Ionenimplantation strukturieren. Dies könnte eine neue Methode zur Herstellung von Treibertransistoren in "in-plane-gate"-Technologie eröffnen, die später sogar auf zukünftige organische Materialien ausgeweitet werden könnte. Bisher gibt es nur sehr wenig Erfahrungen mit der Strukturierung solcher Schichten durch fokussierte Ionenstrahlen. Die auf diese Weise hergestellten "in-plane-gate"-Transistoren sollen elektrisch durch Gleichstrom- und Wechselstrommessungen charakterisiert werden, was zur Aufdeckung einiger ihrer grundlegenden physikalischen Mechanismen beitragen wird. Nach Optimierung der Eigenschaften der Transistoren durch Wahl eines geeigneten Ausgangsmaterials und Einstellung der Herstellungsschritte sollen sie als Treiberbauteile in Flüssigkristallsystemen integriert werden.