Mit fokussierten Ionenstrahlen hergestellte Strukturen in der Ebene und an Oberflächen von dünnen kristallinen und amorphen Silizium-Schichten auf amorphen Substraten und ihre Anwendung auf Flüssigkristallsysteme

半导体和光电子系统的核心Konzepte基于衬底的光刻掩模，由一个具有Abscheidung、Atzen或Dotierung的Vielzahl制备。光刻技术的设计和限制是近年来对掩模制作技术进行深入研究和开发的一个重要领域。这种技术是一种具有聚焦离子束的结构和植入技术. Zur Zeit dominieren Silizium-basierte elektronische Bauteile in Kombination mit Flüssigkristallen.在此基础上，我们将通过离子注入结构在玻璃或石英衬底上制备非晶和晶硅。Dies könnte eine neue Methode zur Herstellung von Treibertransistoren in“in-plane-gate”-Technologie eröffnen，die später sogar auf zukünftige organische Materialialien ausgeweitet韦尔登könte。比舍尔只给出了通过离子辐射的结构来实现的简单的结果。这种“面内浇口”--晶体管通过Gleichstrom-和Wechselstrommessungen特性韦尔登来解决电气问题，是一种基本的物理机制。通过对Wahl晶体管的特性进行优化，设计了一种新型的晶体管材料，并将其安装在集成韦尔登系统中。

Die heutigen Konzepte von Halbleiter- und opto-elektronischen Systemen basieren vollständig auf photolithographischer Maskierung des Substrates, gefolgt von einer Vielzahl von Präparationsschritten wie Abscheidung, Ätzen oder Dotierung. Wegen der bekannten und erwarteten Limitierungen der Photolithographie wurde über einen Zeitraum von Jahren intensive Erforschung und Entwicklung von alternativen maskenlosen Herstellungstechniken durchgeführt. Eine dieser Techniken ist die Strukturierung und Implantation mit fokussierten Ionenstrahlen. Zur Zeit dominieren Silizium-basierte elektronische Bauteile in Kombination mit Flüssigkristallen. Unter Beachtung dieser Tatsache wollen wir dünne amorphe und kristalline Siliziumschichten auf Glas- oder Quarzsubstraten durch maskenlose fokussierte Ionenimplantation strukturieren. Dies könnte eine neue Methode zur Herstellung von Treibertransistoren in "in-plane-gate"-Technologie eröffnen, die später sogar auf zukünftige organische Materialien ausgeweitet werden könnte. Bisher gibt es nur sehr wenig Erfahrungen mit der Strukturierung solcher Schichten durch fokussierte Ionenstrahlen. Die auf diese Weise hergestellten "in-plane-gate"-Transistoren sollen elektrisch durch Gleichstrom- und Wechselstrommessungen charakterisiert werden, was zur Aufdeckung einiger ihrer grundlegenden physikalischen Mechanismen beitragen wird. Nach Optimierung der Eigenschaften der Transistoren durch Wahl eines geeigneten Ausgangsmaterials und Einstellung der Herstellungsschritte sollen sie als Treiberbauteile in Flüssigkristallsystemen integriert werden.