Resonanter Photon Drag in GaAs/AlxGa1-xAs Quantum Wells als lokale Strominjektion für QHE-Experimente

GaAs/AlxGa1-xAs 量子阱中的共振光子拖曳作为 QHE 实验的局部电流注入

基本信息

项目摘要

Der resonante Photon-Drag wird durch den Impulsübertrag von Photonen auf Leitungselektronen induziert und bewirkt eine Richtungsbündelung von elastischen Streuprozessen, die zu einem Netto-Elektronenstrom parallel oder antiparallel zur Richtung der eingestrahlten Photonen führt. Die damit längs des Lichtweges auftretende Drag-Spannung kann bei resonanter Intersubbandanregung beträchtliche Werte annehmen. Bereits bei der MBE-Herstellung wird die Dicke des Quantum Wells und somit der energetische Abstand der Subbänder auf die Energie der Photonen von etwa 120 meV abgestimmt. Im Gegensatz zur Strominjektion durch ohmsche Kontakte, wie sie bei Transportexperimenten üblich ist, kann der Nettostrom hier lokal durch Intersubbandresonanz und elastische Stoßprozesse als Einteilchenanregung induziert werden. Der Quanten-Hall-Effekt ist bekanntermaßen ein kollektives Phänomen, das durch Landau-Füllfaktoren und Entartung bestimmt wird. Mit der Technik des Photon Drags bietet sich die interessante Möglichkeit, Ströme und damit im senkrechten Magnetfeld Hall-Spannungen zu induzieren, die durch die Einteilchenanregung der Intersubbandresonanz hervorgerufen werden. Erste Untersuchungen zeigen, dass in der Tat Photon-Drag-induzierte Hallspannungen beobachtbar sind, die sich entsprechend der Entartung periodisch in 1/B verhalten.
共振的光子拖曳力通过光子在光电子诱导下的吸收而产生,并通过弹性弯曲产生一个共振的光子拖曳力,该共振的光子拖曳力与电子网络平行或反平行,从而产生一个共振光子拖曳力。拉跨线上的两段线可以在子带间产生共振。在MBE-Herstellung的基础上,量子威尔斯的迪凯和大约120 meV的光子能量的子带的能量承受能力。在通过ohmsche Kontakte产生Strominjektion的过程中,如其在Transportexperimenten üblich ist中一样,Nettostrom可以通过子带间共振和弹性Stoßprozesse als Einteilchenanregung induziert韦尔登实现局部共振。量子霍尔效应是一个非常有趣的现象,它通过Landau-Füllfaktoren和Entartung来实现。光子拖曳技术使磁场霍尔-跨度产生了巨大的影响,通过子带间谐振韦尔登的内部调节,产生了很大的磁效应。首先,在达特光子拖曳诱导霍尔效应实验中发现,该效应在1/B区出现。

项目成果

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