不純物・フォノンを介したトンネル過程に関する研究
杂质和声子介导的隧道过程研究
基本信息
- 批准号:10127218
- 负责人:
- 金额:$ 0.96万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
- 财政年份:1998
- 资助国家:日本
- 起止时间:1998 至 无数据
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
単電子デバイスは,少数の電子の流れを制御することにより動作するため,1個の不純物の有無によっても,その特性は大きく変化すると考えられる.また,有限温度・有限バイアスのもとではフォノンを介して流れるトンネル電流も動作特性に大きな影響を及ぼすと考えられる.本研究では,不純物フォノンを介したトンネル過程の物性論的基礎を固めることを目的とした.具体的には,不純物を介してトンネルすることによるキャリア移動の速さの測定,超格子においてフォノンを放出してトンネルする際,複数個の量子井戸をトンネルすることにより流れる電流の大きさの決定を行うことを目的として研究を行った.その結果,平成10年度の成果として以下のような事が分かった.●非対称量子井戸構造において障壁層に不純物をδドープする方法より,障壁層の中央に極めて薄い量子井戸を設け,その中央に不純物をδドープする方法の方が,電子と不純物との相互作用とが強くなり,典型的なパラメータのもとでは,不純物を介したトンネル時間が3桁程度速くなることを計算により示した.●上記の効果を調べるため,非対称2重量子井戸構造と,その中央の障壁層に極めて薄い量子井戸を設けた非対称3重量子井戸構造との2種類の試料において,各々,不純物をδドープした試料と,していない試料との合計4種類の試料を作製し,時間分解フォトルミネッセンス測定を行った.その結果,o非対称3重量子井戸構造の方が,非対称2重量子井戸構造に比べ,不純物のδドープの有無による狭い井戸のフォトルミネッセンスの緩和時間の変化が大きい.o今回作製した非対称3重量子井戸構造において,狭い井戸のフォトルミネッセンスの緩和時間が,不純物をドープしていない試料に比べ,最大100ps程度短くなる.o非対称3重量子井戸構造における狭い井戸のフォトルミネッセンスの緩和時間が,不純物のドープ量とともに短くなる.ことなどが分かった.
A single electron, a small number of electron flow control, a single impurity, a single impurity, a single For example, a finite temperature, a finite loss and a finite loss can affect the operating characteristics of a single current. This study is aimed at establishing the basis of physical property theory of impure substances. Specifically, the determination of the velocity of impurity migration and the determination of the current flow in a plurality of quantum wells are carried out. The results of Heisei 10 are as follows:● Impurity in barrier layer of asymmetric quantum well structure: The method of impurity delta placement in the center of barrier layer: The method of impurity delta placement in the center of barrier layer: The interaction between electron and impurity is strong, and the time of impurity generation is 3 degrees fast. The results of the above mentioned adjustment are as follows: 1. The structure of the unsymmetrical sub-well and the barrier layer in the center of the well are as follows: 2. The structure of the unsymmetrical sub-well and the two kinds of samples are as follows: 1. The impurity is as high as 5. The sample is as high as 4 kinds of samples in total. The results show that the relaxation time of the impurity in the sample is larger than that in the case of the asymmetric 3-well structure, and the relaxation time of the impurity in the sample is larger than that in the case of the asymmetric 2-well structure. The maximum 100ps is shorter than the maximum. The maximum is shorter than the maximum.ことなどが分かった.
项目成果
期刊论文数量(5)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
T.Ezaki, Y.Sugimoto, N.Mori, and C. Hamaguchi: "Electronic structures in a quantum dot with asymmetric confining potential" Physica B. 249-251. 238-242 (1998)
T.Ezaki、Y.Sugimoto、N.Mori 和 C. Hamaguchi:“具有不对称限制势能的量子点中的电子结构”Physica B. 249-251。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
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- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
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- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
J.H.Park, S.Ozaki, N.Mori, and C.Hamaguchi: "Effect of ionized impurities on electron tunneling in GaAs/AlGaAs triple quantum wells" Superlattice and Microstructures. 21. (1999)
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- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
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H.M.Murphy、A.Nogaret、S.T.Stoddart、L.Eaves、P.C.Main、M.Henini、D.K.Maude、N.Mori 和 C.Hamaguchi:“高磁场下 wannier-stark 超晶格中微带传导的研究” Physica
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