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Development of new graphene production method based on SiC
基于SiC的新型石墨烯生产方法的开发
基本信息
- 批准号：26706014
- 负责人：
- 金额：$ 15.39万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
- 财政年份：2014
- 资助国家：日本
- 起止时间：2014-04-01 至 2017-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（41）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Growth and Features of Epitaxial Graphene on SiC
- DOI：10.7566/jpsj.84.121014
- 发表时间：2015-12-15
- 期刊：
- 影响因子：1.7
- 作者：Kusunoki, Michiko;Norimatsu, Wataru;Starke, Ulrich
- 通讯作者：Starke, Ulrich
Interplay between step-bunching and graphene growth on 6H-SiC (0001)
6H-SiC 上的阶梯聚束与石墨烯生长之间的相互作用 (0001)
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Wataru Norimatsu;Osamu Yasui;Jianfeng Bao;and Michiko Kusunoki
- 通讯作者：and Michiko Kusunoki
急冷法によるSiC(0001)上バッファ層フリーグラフェンの作製
快速冷却法在SiC(0001)上制备游离石墨烯缓冲层
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：包建峰;乗松航;楠美智子
- 通讯作者：楠美智子
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Kusunoki Michiko
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Norimatsu Wataru
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- 影响因子：3.7
- 作者：
Sakakibara Ryotaro;Norimatsu Wataru - 通讯作者：
Norimatsu Wataru
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