Development of new graphene production method based on SiC
Development of new graphene production method based on SiC
基于SiC的新型石墨烯生产方法的开发
批准号：
26706014
负责人：
Norimatsu Wataru
金额：
$15.39万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2017-03-31
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Interplay between step-bunching and graphene growth on 6H-SiC (0001)
6H-SiC 上的阶梯聚束与石墨烯生长之间的相互作用 (0001)
6H-SiC 上的阶梯聚束与石墨烯生长之间的相互作用 (0001)
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Wataru Norimatsu, Osamu Yasui, Jianfeng Bao, and Michiko Kusunoki]
通讯作者：
and Michiko Kusunoki
急冷法によるSiC(0001)上バッファ層フリーグラフェンの作製
快速冷却法在SiC(0001)上制备游离石墨烯缓冲层
快速冷却法在SiC(0001)上制备游离石墨烯缓冲层
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[包建峰, 乗松航, 楠美智子]
通讯作者：
楠美智子
SiC初期酸化膜の周期制御とそのグラフェン化に与える影響
SiC初始氧化膜的周期控制及其对石墨烯形成的影响
SiC初始氧化膜的周期控制及其对石墨烯形成的影响
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[宮田将大, 乗松航, 楠美智子]
通讯作者：
楠美智子
DOI：
10.7566/jpsj.84.121014
发表时间：
2015-12-15
期刊：
JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN
影响因子：
1.7
作者：
[Kusunoki, Michiko, Norimatsu, Wataru, Starke, Ulrich]
通讯作者：
Starke, Ulrich
エピタキシャルグラフェンの界面制御
外延石墨烯的界面控制
外延石墨烯的界面控制
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[乗松航, 楠美智子]
通讯作者：
楠美智子
共 37 条
Is wafer-scale graphene on the semi-insulating SiC the most appropriate for electronics applications?
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批准号：18H01889
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$11.23万
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财政年份：2018
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负责人：Norimatsu Wataru
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依托单位：
Experimental and theoretical study on the two-dimensional Al-C material AlCene
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批准号：16K13674
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项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额：$2.41万
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财政年份：2016
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负责人：Norimatsu Wataru
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依托单位：
海外基金