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Is wafer-scale graphene on the semi-insulating SiC the most appropriate for electronics applications?
半绝缘碳化硅上的晶圆级石墨烯最适合电子应用吗？
基本信息
- 批准号：18H01889
- 负责人：
- 金额：$ 11.23万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2018
- 资助国家：日本
- 起止时间：2018-04-01 至 2021-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Interface engineering of epitaxial graphene
外延石墨烯界面工程
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：清水一矢;林直輝;伊藤孝寛;乗松航;Wataru Norimatsu
- 通讯作者：Wataru Norimatsu
Acceleration of Photocarrier Relaxation in Graphene Achieved by Epitaxial Growth: Ultrafast Photoluminescence Decay of Monolayer Graphene on SiC
- DOI：10.1021/acs.jpcc.8b06845
- 发表时间：2018-08-23
- 期刊：
- 影响因子：3.7
- 作者：Imaeda, Hirotaka;Koyama, Takeshi;Kusunoki, Michiko
- 通讯作者：Kusunoki, Michiko
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Norimatsu Wataru其他文献
Electrical contact properties between carbon nanotube ends and a conductive atomic force microscope tip
碳纳米管末端与导电原子力显微镜尖端之间的电接触特性
- DOI：
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（特邀）层状h-BN绝缘体介电击穿的电完整性和各向异性
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- 影响因子：0
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Kusunoki Michiko
蛍光免疫センサーQ-body を提示した酵母細胞の構築と抗原検出
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- 发表时间：
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- 影响因子：0
- 作者：
Imaeda Hirotaka;Koyama Takeshi;Kishida Hideo;Kawahara Kenji;Ago Hiroki;Sakakibara Ryotaro;Norimatsu Wataru;Terasawa Tomo-o;Bao Jianfeng;Kusunoki Michiko;井上 暁人・安田 貴信・北口哲也・ 上田 宏 - 通讯作者：
井上 暁人・安田 貴信・北口哲也・ 上田 宏
Observation of a flat band and bandgap in millimeter-scale twisted bilayer graphene
毫米级扭曲双层石墨烯中平带和带隙的观察
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2021 - 期刊：
- 影响因子：7.8
- 作者：
Sato Keiju;Hayashi Naoki;Ito Takahiro;Masago Noriyuki;Takamura Makoto;Morimoto Mitsuru;Maekawa Takuji;Lee Doyoon;Qiao Kuan;Kim Jeehwan;Nakagahara Keisuke;Wakabayashi Katsunori;Hibino Hiroki;Norimatsu Wataru - 通讯作者：
Norimatsu Wataru
Microscopic mechanism of hydrogen intercalation: On the conversion of the buffer layer on SiC to graphene
氢插层的微观机制：SiC缓冲层向石墨烯的转化
- DOI：
10.1103/physrevb.105.235442 - 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：3.7
- 作者：
Sakakibara Ryotaro;Norimatsu Wataru - 通讯作者：
Norimatsu Wataru
Norimatsu Wataru的其他文献
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{{ truncateString('Norimatsu Wataru', 18)}}的其他基金
Experimental and theoretical study on the two-dimensional Al-C material AlCene
二维Al-C材料AlCene的实验与理论研究
- 批准号：
16K13674 - 财政年份：2016
- 资助金额：
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Development of new graphene production method based on SiC
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表面および界面構造制御したマイクロ流体領域での細胞研究のためのチップ基盤創製
表面和界面结构受控的微流控领域细胞研究芯片平台的创建
- 批准号：
07F07374 - 财政年份：2007
- 资助金额：
$ 11.23万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
表面ナノ構造体によるヘテロ界面構造の変調とその電子、磁気機能
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- 批准号：
18760231 - 财政年份：2006
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$ 11.23万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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- 批准号：
17710089 - 财政年份：2005
- 资助金额：
$ 11.23万 - 项目类别：
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表面活性化拡散接合対における界面構造と拡散現象の解析
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- 批准号：
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半导体表面金属吸附结构和界面结构研究
- 批准号：
97F00017 - 财政年份：1998
- 资助金额：
$ 11.23万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
エピタクシャル磁性超薄膜の表面界面構造・モルファロジーと表面磁気光学効果
外延磁性超薄膜的表面和界面结构/形貌及表面磁光效应
- 批准号：
09750030 - 财政年份：1997
- 资助金额：
$ 11.23万 - 项目类别：
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スピン偏極STMの開発と磁性超薄膜の表面界面構造、電子状態への応用
自旋极化STM的发展及其在超薄磁性薄膜表面界面结构和电子态中的应用
- 批准号：
07750371 - 财政年份：1995
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$ 11.23万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
耐食性の金属表面不働態皮膜の界面構造と光励起応答からの解析
金属表面耐腐蚀钝化膜的界面结构及光激发响应分析
- 批准号：
07650839 - 财政年份：1995
- 资助金额：
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Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
原子レベルでの結晶成長機構(成長表面と界面構造)
原子水平的晶体生长机制（生长表面和界面结构）
- 批准号：
03243105 - 财政年份：1991
- 资助金额：
$ 11.23万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas