Development of AlN growth technique using Ga-Al flux
Development of AlN growth technique using Ga-Al flux
批准号:
26706013
负责人:
Adachi Masayoshi
金额:
$15.48万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
财政年份:
2014
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2014-04-01 至 2018-03-31
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Nitrogen Solubility Measurement of Ga-Al Melts by a Chemical Equilibrium Method
化学平衡法测量 Ga-Al 熔体的氮溶解度
DOI:
--
发表时间:
2016
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Zaka Ruhma, 安達正芳,小畠秀和,福山博之]
通讯作者:
安達正芳,小畠秀和,福山博之
静滴法を用いた窒化サファイア基板のGa-Al融液に対する濡れ角測定
采用座滴法测量氮化蓝宝石衬底上 Ga-Al 熔体的润湿角
DOI:
--
发表时间:
2015
期刊:
影响因子:
--
作者:
[増森淳史, 乗松航, 楠美智子, 安達正芳,安武晃佑,齊藤敬高,中島邦彦,杉山正史,飯田潤二,福山博之]
通讯作者:
安達正芳,安武晃佑,齊藤敬高,中島邦彦,杉山正史,飯田潤二,福山博之
Ga-Al融液を原料とする減圧下でのAlN気相成長
以Ga-Al熔体为原料,减压气相生长AlN
DOI:
--
发表时间:
2016
期刊:
影响因子:
--
作者:
[福井舞, 乗松航, 楠美智子, 高橋慧伍,安達正芳,福山博之]
通讯作者:
高橋慧伍,安達正芳,福山博之
Ga-Alフラックスを用いたAlN液相成長におけるフラックス組成の影響
助熔剂成分对使用 Ga-Al 助熔剂进行 AlN 液相生长的影响
DOI:
--
发表时间:
2014
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Kodai Kawadu, Zen Shirakashi, Taichi Goto, Hiroyuki Takagi, Yuichi Nakamura, Pang Boey Lim, Hironaga Uchida and Mitsuteru Inoue,, 関谷竜太,安達正芳,大塚誠,杉山正史,飯田潤二,福山博之]
通讯作者:
関谷竜太,安達正芳,大塚誠,杉山正史,飯田潤二,福山博之
In-situ observation of AlN formation from Ni-Al melts
Ni-Al 熔体中 AlN 形成的原位观察
DOI:
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发表时间:
2017
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Sonoko Hamaya, Akari Sato, Masayoshi Adachi, Hiroyuki Fukuyama]
通讯作者:
Hiroyuki Fukuyama
共 10 条
Development of novel AlN crystal growth method using Al vapor generated from heated Ga-Al soluiton
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批准号:17K19067
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
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资助金额:$4.16万
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财政年份:2017
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负责人:Adachi Masayoshi
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依托单位:
海外基金