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Development of AlN growth technique using Ga-Al flux

Development of AlN growth technique using Ga-Al flux
使用Ga-Al助熔剂开发AlN生长技术
批准号:
26706013
负责人:
Adachi Masayoshi
金额:
$15.48万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
财政年份:
2014
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2014-04-01 至 2018-03-31

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期刊论文(11)
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会议论文
DOI: --
发表时间: 2016
期刊:
影响因子: --
作者: [Zaka Ruhma, 安達正芳,小畠秀和,福山博之]
通讯作者: 安達正芳,小畠秀和,福山博之
静滴法を用いた窒化サファイア基板のGa-Al融液に対する濡れ角測定
采用座滴法测量氮化蓝宝石衬底上 Ga-Al 熔体的润湿角
DOI: --
发表时间: 2015
期刊:
影响因子: --
作者: [増森淳史, 乗松航, 楠美智子, 安達正芳,安武晃佑,齊藤敬高,中島邦彦,杉山正史,飯田潤二,福山博之]
通讯作者: 安達正芳,安武晃佑,齊藤敬高,中島邦彦,杉山正史,飯田潤二,福山博之
Ga-Al融液を原料とする減圧下でのAlN気相成長
以Ga-Al熔体为原料,减压气相生长AlN
DOI: --
发表时间: 2016
期刊:
影响因子: --
作者: [福井舞, 乗松航, 楠美智子, 高橋慧伍,安達正芳,福山博之]
通讯作者: 高橋慧伍,安達正芳,福山博之
Ga-Alフラックスを用いたAlN液相成長におけるフラックス組成の影響
助熔剂成分对使用 Ga-Al 助熔剂进行 AlN 液相生长的影响
DOI: --
发表时间: 2014
期刊:
影响因子: --
作者: [Kodai Kawadu, Zen Shirakashi, Taichi Goto, Hiroyuki Takagi, Yuichi Nakamura, Pang Boey Lim, Hironaga Uchida and Mitsuteru Inoue,, 関谷竜太,安達正芳,大塚誠,杉山正史,飯田潤二,福山博之]
通讯作者: 関谷竜太,安達正芳,大塚誠,杉山正史,飯田潤二,福山博之
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    Development of novel AlN crystal growth method using Al vapor generated from heated Ga-Al soluiton
    • 批准号:
      17K19067
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
    • 资助金额:
      $4.16万
    • 财政年份:
      2017
    • 负责人:
      Adachi Masayoshi
    • 依托单位:
    海外基金