Entwurf und Charakterisierung monolithisch integrierter Millimeterwellenemitter auf Silizium

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Für Anwendungen in der mikrozellularen breitbandigen Millimeterwellenkommunikation werden breitbandig abstimmbare, frequenzstabile rauscharme Millimeterwellenemitter im Frequenzbereich oberhalb 60 GHz und mit Ausgangsleistungen im Milliwattbereich benötigt. Die Millimeterwellenemitter sollen als monolithisch integrierte Schaltkreise auf Silizium realisiert werden. Die Funktionen von Oszillator und planarer Antenne sind integriert. Als aktives Bauelement wird eine Impatt-Diode und als Frequenzabstimmelement eine Varaktor-Diode verwendet. Das Projekt gliedert sich in drei Teilprojekte, im Rahmen derer die Technologie, der Entwurf und die Charakterisierung, sowie die optoelektronische Höchstfrequenzcharakterisierung der monolithisch integrierten Millimeterwellenemitter behandelt wird.