Unbesetzte elektronische Zustände von Halbleiteroberflächen

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Die energetische Lage und Dispersion unbesetzter elektronischer Zustände von Grenzflächen ist von großer Bedeutung für elektronische Transportprozesse und die photoinduzierte Dynamik adsorbierter Moleküle. Insbesondere die Systeme mit großer Bandlücke erlauben eine detaillierte Untersuchung solcher Zustände, was in diesem Vorhaben mittels inverser Photoemission durchgeführt werden soll. Konkret werden die energetische Lage und Dispersion unbesetzter Zustände von sauber präparierten kubischen 3C-SiC(001) und hexagonalen 4H-SiC(0001) mit verschiedenen Oberflächenrekonstruktionen bestimmt. Desweiteren sollen exydierte 4H-SiC(0001) Oberflächen untersucht werden, welche bei der Produktion von MOS-Strukturen von großer Wichtigkeit sind. Die experimentellen Ergebnisse werden direkt mit neuen theoretischen ab initio Rechnungen verglichen.