Unbesetzte elektronische Zustände von Halbleiteroberflächen

它的能量和分散不受电子行业的困扰，因为它是一种电子运输和光电子工业动态吸附技术。Insbeondere die system MIT groçer Bandlücke erlaben eine Detaillierte Untersuung solcher Zustände，in Diesem Vorhaben Mittels逆变器光电发射期间。用Zustände von Sauber Präparierten kubichen 3C-SiC(001)和Six-galen 4H-SiC(0001)合成了高能和分散相。Desweiteren Sollen exydierte 4H-SiC(0001)Oberflächen untersuht，Welche be producktion von MOS-Strukturen von groüer Wichtigkeit sind.从从头算起，我们用中性理论指导了实验。

Die energetische Lage und Dispersion unbesetzter elektronischer Zustände von Grenzflächen ist von großer Bedeutung für elektronische Transportprozesse und die photoinduzierte Dynamik adsorbierter Moleküle. Insbesondere die Systeme mit großer Bandlücke erlauben eine detaillierte Untersuchung solcher Zustände, was in diesem Vorhaben mittels inverser Photoemission durchgeführt werden soll. Konkret werden die energetische Lage und Dispersion unbesetzter Zustände von sauber präparierten kubischen 3C-SiC(001) und hexagonalen 4H-SiC(0001) mit verschiedenen Oberflächenrekonstruktionen bestimmt. Desweiteren sollen exydierte 4H-SiC(0001) Oberflächen untersucht werden, welche bei der Produktion von MOS-Strukturen von großer Wichtigkeit sind. Die experimentellen Ergebnisse werden direkt mit neuen theoretischen ab initio Rechnungen verglichen.