Aktive Phasenschieber für die elektronische Strahlformung im Millimeterwellenfrequenzbereich

用于毫米波频率范围内电子束整形的有源移相器

基本信息

项目摘要

Mittels Strahlformung kann die Abstrahlcharakteristik eines Antennenarrays verändert und auf unterschiedliche Antennengeometrien angepasst werden. Erst die elektronische Strahlformung ermöglicht es Systemen im hohen Millimeterwellenfrequenzbereich (75- 300 GHz) ihr Potential zur Realisierung extrem kompakter analoger Frontends voll auszuspielen, und sie damit für eine Vielzahl aussichtsreicher Anwendungen der hochauflösenden Sensorik und hochdatenratigen Kommunikation attraktiv zu machen. Dazu müssen leistungsfähige Phasenschieber in Form von monolithisch integrierten Millimeterwellenschaltungen (MMlCs) in derselben Halbleitertechnologie wie die restlichen Frontendkomponenten ausgeführt sein. Die hohen Anforderungen an die Einfügedämpfung und Linearität von Phasenschiebern erfordern einerseits eine leistungsfähige Transistor- und MMIC-Technologie, die den hohen mmW-Bereich erschließen kann, andererseits müssen dazu noch grundlegende Untersuchungen neuartiger Schaltungskonzepte durchgeführt und verifiziert werden. Das Projekt setzt sich zum Ziel, den Entwurf und die Realisierung von Phasenschieber- und Vektormodulator- MMICs für die elektronische Strahlformung im hohen mmW-Frequenzbereich mit hohen Leistungskenndaten zu erforschen, wobei zwei besonders geeignete und neuartige Halbleitertechnologien zum Einsatz kommen: 1. Ein metamorpher Feldeffekttransistor mit hoher Ladungsträgerbeweglichkeit (metamorphic high electron mobility transistor. mHEMT) auf GaAs-Basis, der den gesamten mmW-Frequenzbereich bis 300 GHz mit aktiver Elektronik erschließen kann. 2. Eine GaN-basierte HEMT Technologie mit 100 nm Gatelänge für den Frequenzbereich bis 110 GHz. Aufgrund ihrer hohen Durchbruchspannung weisen GaN-basierte MMICs extrem hohe Linearität auf. wie sie insbesondere in leistungsfähigen Radar- und Kommunikationssystemen erforderlich sein wird.
这些天线的特征是,它们的天线不同,它们的天线也不同。Elektronische Strahlformung ermöglicht es Systeman im Hohen Millimeter well well fzenzbereich(75-300 GHz)ihr潜在的zur Realisierung极端kompakter模拟前端卷uszuspielen,以及Sie Damit für eine Vielzahl ausichtsreicher Anwendungen der hochauflösenden Sensorik und hochdatenatigen Komomikation attraktiv zu Machen。Dazu müssen Phasenschieber在德塞尔本哈布利特技术学院以单一的形式整合了几个千年好的合同点(MMlCs),并在此基础上提出了新的解决方案。这是一种新的技术和技术,它包括半导体晶体管和MMIC技术,以及它们之间的相互作用和相互作用。Das Projekt setzt sich zum zil,den Entwurf and die Realisierung von Phasenschieber-und Vektormodator-MMICs für die Elektronische Strahlformung im Hohen mm W-Frequenzbereich MIT Hohen Leistungskenndaten zu erforschen,Wobezwei bedgedgedgeignete and neuartige HalbleiterTechnologien zum einsat z kommen:1.变质器Feldeffekt晶体管MIT Hoher Ladungsträgerichkeit(变质型高电子迁移率晶体管。MHEMT)auf GaAs-base,der den gesamten mm W-Frequenzbereich bis 300 GHz MIT aktiver Elektronik erschlieüen kann.2.Eine GaN-Basierte HEMT技术MIT 100 nm Gatelänge für den Frequenzbereich BIS 110 GHz这是一种很好的选择,因为它是一种很好的选择。我们的雷达和通信系统正在建设中。

项目成果

期刊论文数量(2)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
A D-Band 180° phase shifter with very low amplitude- and phase-error
具有极低幅度和相位误差的 D 频段 180° 移相器
A h-band reflective-type phase shifter MMIC for ISM-Band applications
适用于 ISM 频段应用的 h 频段反射型移相器 MMIC
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

Professor Dr.-Ing. Ingmar Kallfass其他文献

Professor Dr.-Ing. Ingmar Kallfass的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('Professor Dr.-Ing. Ingmar Kallfass', 18)}}的其他基金

Active THz Transceiver Components
有源太赫兹收发器组件
  • 批准号:
    424608191
  • 财政年份:
    2019
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Research Units
TERAhertz links using SOlid state devices and photoNICs
使用固态设备和 photoNIC 的太赫兹链路
  • 批准号:
    391922207
  • 财政年份:
    2017
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Research Grants
Monolithic Integrated Phase Shifters for Electronic Beamforming in the High Millimeterwave Frequency Range
用于高毫米波频率范围电子波束形成的单片集成移相器
  • 批准号:
    269221015
  • 财政年份:
    2015
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Research Grants
Highly Integrated 3D-Radar System at 240GHz
240GHz 高度集成的 3D 雷达系统
  • 批准号:
    241714687
  • 财政年份:
    2013
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Research Grants
Real100G.com: Mixed Mode Baseband for 100 Gbps Wireless Communication
Real100G.com:用于 100 Gbps 无线通信的混合模式基带
  • 批准号:
    237428798
  • 财政年份:
    2013
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Priority Programmes
Characterization and modeling of memory effects in switched GaN HEMT devices
开关 GaN HEMT 器件记忆效应的表征和建模
  • 批准号:
    440549658
  • 财政年份:
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Research Grants
B2 - Traceable Terahertz Transceivers
B2 - 可追踪太赫兹收发器
  • 批准号:
    509015968
  • 财政年份:
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Research Units
C3 Scalable THz Transceiver Impairment Model
C3 可扩展太赫兹收发器损伤模型
  • 批准号:
    509013251
  • 财政年份:
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Research Units
Self-mixing millimetre-wave radar on the basis of multiple surface reflections (MIRADOR)
基于多次表面反射的自混合毫米波雷达(MIRADOR)
  • 批准号:
    433508405
  • 财政年份:
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Research Grants (Transfer Project)
Solid state electronics and photonic integration for THz communications
用于太赫兹通信的固态电子学和光子集成
  • 批准号:
    491277347
  • 财政年份:
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Research Grants
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了