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Aktive Phasenschieber für die elektronische Strahlformung im Millimeterwellenfrequenzbereich

用于毫米波频率范围内电子束整形的有源移相器

基本信息

批准号：
200302560
负责人：
Professor Dr.-Ing. Ingmar Kallfass
金额：
--
依托单位：
Institut für Robuste Leistungshalbleitersysteme (ILH)
依托单位国家：
德国
项目类别：
Research Grants
财政年份：
2011
资助国家：
德国
起止时间：
2010-12-31 至 2014-12-31
项目状态：
已结题

来源：
https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/200302560?language=en
关键词：
Aktive Phasenschieber die elektronische Strahlformung

项目摘要

Mittels Strahlformung kann die Abstrahlcharakteristik eines Antennenarrays verändert und auf unterschiedliche Antennengeometrien angepasst werden. Erst die elektronische Strahlformung ermöglicht es Systemen im hohen Millimeterwellenfrequenzbereich (75- 300 GHz) ihr Potential zur Realisierung extrem kompakter analoger Frontends voll auszuspielen, und sie damit für eine Vielzahl aussichtsreicher Anwendungen der hochauflösenden Sensorik und hochdatenratigen Kommunikation attraktiv zu machen. Dazu müssen leistungsfähige Phasenschieber in Form von monolithisch integrierten Millimeterwellenschaltungen (MMlCs) in derselben Halbleitertechnologie wie die restlichen Frontendkomponenten ausgeführt sein. Die hohen Anforderungen an die Einfügedämpfung und Linearität von Phasenschiebern erfordern einerseits eine leistungsfähige Transistor- und MMIC-Technologie, die den hohen mmW-Bereich erschließen kann, andererseits müssen dazu noch grundlegende Untersuchungen neuartiger Schaltungskonzepte durchgeführt und verifiziert werden. Das Projekt setzt sich zum Ziel, den Entwurf und die Realisierung von Phasenschieber- und Vektormodulator- MMICs für die elektronische Strahlformung im hohen mmW-Frequenzbereich mit hohen Leistungskenndaten zu erforschen, wobei zwei besonders geeignete und neuartige Halbleitertechnologien zum Einsatz kommen: 1. Ein metamorpher Feldeffekttransistor mit hoher Ladungsträgerbeweglichkeit (metamorphic high electron mobility transistor. mHEMT) auf GaAs-Basis, der den gesamten mmW-Frequenzbereich bis 300 GHz mit aktiver Elektronik erschließen kann. 2. Eine GaN-basierte HEMT Technologie mit 100 nm Gatelänge für den Frequenzbereich bis 110 GHz. Aufgrund ihrer hohen Durchbruchspannung weisen GaN-basierte MMICs extrem hohe Linearität auf. wie sie insbesondere in leistungsfähigen Radar- und Kommunikationssystemen erforderlich sein wird.

这些天线的特征是，它们的天线不同，它们的天线也不同。Elektronische Strahlformung ermöglicht es Systeman im Hohen Millimeter well well fzenzbereich(75-300 GHz)ihr潜在的zur Realisierung极端kompakter模拟前端卷uszuspielen，以及Sie Damit für eine Vielzahl ausichtsreicher Anwendungen der hochauflösenden Sensorik und hochdatenatigen Komomikation attraktiv zu Machen。Dazu müssen Phasenschieber在德塞尔本哈布利特技术学院以单一的形式整合了几个千年好的合同点(MMlCs)，并在此基础上提出了新的解决方案。这是一种新的技术和技术，它包括半导体晶体管和MMIC技术，以及它们之间的相互作用和相互作用。Das Projekt setzt sich zum zil，den Entwurf and die Realisierung von Phasenschieber-und Vektormodator-MMICs für die Elektronische Strahlformung im Hohen mm W-Frequenzbereich MIT Hohen Leistungskenndaten zu erforschen，Wobezwei bedgedgedgeignete and neuartige HalbleiterTechnologien zum einsat z kommen：1.变质器Feldeffekt晶体管MIT Hoher Ladungsträgerichkeit(变质型高电子迁移率晶体管。MHEMT)auf GaAs-base，der den gesamten mm W-Frequenzbereich bis 300 GHz MIT aktiver Elektronik erschlieüen kann.2.Eine GaN-Basierte HEMT技术MIT 100 nm Gatelänge für den Frequenzbereich BIS 110 GHz这是一种很好的选择，因为它是一种很好的选择。我们的雷达和通信系统正在建设中。