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プラズマ援用による単結晶 SiC の低温成長

プラズマ援用による単結晶 SiC の低温成長
等离子体辅助SiC单晶低温生长
批准号：
59550011
负责人：
西野 茂弘
金额：
$1.34万
依托单位：
Kyoto University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份：
1984
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1984 至 1985
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-59550011/
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シリコンカーバイドの結晶成長とデバイス応用の研究
  • 批准号：
    98F00185
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $1.15万
  • 财政年份：
    1999
  • 负责人：
    西野 茂弘
  • 依托单位：
    Kyoto Institute of Technology
昇華法による立方晶SiCインゴットの単結晶成長
  • 批准号：
    07650012
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
  • 资助金额：
    $1.34万
  • 财政年份：
    1995
  • 负责人：
    西野 茂弘
  • 依托单位：
    Kyoto Institute of Technology
バルク状単結晶SiCの育成と結晶多形の制御
  • 批准号：
    04650019
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
  • 资助金额：
    $1.22万
  • 财政年份：
    1992
  • 负责人：
    西野 茂弘
  • 依托单位：
    Kyoto Institute of Technology
ラジカムビ-ル励起による半導体SiCの結晶成長
  • 批准号：
    03650013
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
  • 资助金额：
    $0.9万
  • 财政年份：
    1991
  • 负责人：
    西野 茂弘
  • 依托单位：
    Kyoto Institute of Technology