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ラジカムビ-ル励起による半導体SiCの結晶成長

拉凸轮比尔激发半导体 SiC 晶体生长

基本信息

批准号：
03650013
负责人：
西野茂弘
金额：
$ 0.9万
依托单位：
Kyoto Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份：
1991
资助国家：
日本
起止时间：
1991 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

高真空中での結晶成長:真空度10^<-3> Torrでの成長を行った。基板温度は800〜1100℃まで変化させた。反応ガスはジシランは基板お真上から、アセチレンは傾め45度から供給した。真空度の上昇と共に成長速度は減少する。基板温度は1000℃まで単結晶SiCが成長した。結晶性はSi基板の面方位に依存して、(111)面には容易に単結晶が成長するが、(100)面上では1100℃以下では単結晶成長しなかった。ラジカルビ-ム励起による結晶成長:高真空中で基板の近傍までプラズマ励起により生成したラジカルビ-ムを導入して結晶成長への影響を調べた。ラジカルビ-ムとしては、水素、ジシラン、アセチレンなどを単独にプラズマ分解して供給する場合、それらの複合で供給する場合などの組合せにより、単結晶成長に有効なパラメ-タを調べたが、アセチレンのみをラジカルビ-ムにするのが結晶性のよいことが判明した。単結晶の成長するエピタキシャル温度はラジカルビ-ルで成長させる方が低くできることが判明した。四重極質量分析器による分析ではアセチレンの分解は基板温度1000℃でも十分には起こって折らず、アセチレンは基板Siにすばやく吸着し、そこにジシランのラジカルが取り込まれて単結晶SiCを形成する機構が明かになった。成長膜評価:結晶性はRHEED、X線回折により行なった。電気的性質はホ-ル測定により行った。成長膜はn形で、キャリヤ密度は10^<18>cm^<-3>であった。基板温度と共にキャリヤ密度の増加がみられ、反応漕からのなんらかの汚染が原因していると、思われる。また、低温成長が可能になったのでSiCとSiとのヘテロダイオ-ドを製作し、良好な整流素子を製作した。高温で製作したものは逆方向の耐圧が低いが、低温成長の素子は10V以上の耐圧を示し、低温成長の有効性を実証した。

The crystal growth of high true air temperature: the vacuum degree is 10 ^ & the lt;-3> Torr temperature grows rapidly. The substrate temperature is 800 ℃ and 1100 ℃. Make sure that the substrate is really high, and that the temperature is 45 degrees above 45 degrees centigrade. The growth rate of vacuum is much lower than that of other countries. The temperature of the substrate is 1000 ℃. The crystal SiC grows rapidly. Results the orientation of the crystalline Si substrate is dependent on the orientation, and it is easy for the crystal growth of the (111C) substrate, and the growth of the crystal below 1100 ℃ on the (100C) substrate. The growth of the crystal is affected by the growth of the crystal in the high true air. It is necessary to analyze the temperature, water content, temperature, temperature, temperature and temperature. When the temperature is high, the temperature is high. The temperature is very high. The temperature of the substrate is 1000 ℃. The temperature of the substrate is 1000 ℃. The temperature of the substrate is very high. The temperature of the substrate, the temperature, the temperature, Growth membrane temperature: Crystal RHEED, X-ray back-folding and X-ray analysis. The performance of the electric power station-the performance of the electric power plant is measured. To form a long film with a density of 10 ^ & lt;18> cm ^ & lt;-3> thin film. The temperature of the substrate is different from that of the density, and the cause of the dyeing is different. The growth of silicon and low temperature may lead to the growth of silicon carbide, silicon, zinc, zinc and zinc. The high temperature temperature is used to resist the temperature in the opposite direction, the low temperature growth temperature is over 10V, and the low temperature growth temperature is sensitive.