単結晶SiCのプラズマCVDにおける励起種の表面反応の研究

单晶SiC等离子体CVD中激发态表面反应的研究

• 批准号: 63632516
• 负责人: 西野 茂弘
• 金额: $ 1.22万
• 依托单位: Kyoto Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1988
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1988 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-63632516/
• 关键词: 単結晶SiC; β-SiC; プラズマCVD; エピタキシヤル成長; SiC; Si; 結晶成長

ジラシン、アセチレンを原料ガスとして、マイクロ波励起によるプラズマCVD法により、Si基板上に配向性のある立方晶SiCを堆積させた。成長速度はHe-Neレーザを用いてin situに測定し、膜厚100A°程度からモニターでき、成長機構の解明に有効であることが分かった。1)成長膜のSi/C比依存性:減圧CVDの場合とプラズマCVDの場合では同じ原料ガスのSi/C比を供給しても、プラズマCVDの方がC-richの条件で最大の成長速度が得られた。これはプラズマ励起により、アセチレンの分解が促進されその結果LPCVDよりもC-rich側にシフトしたものと思われる。2)成長速度の基板温度依存性:基板温度はに1000℃〜800℃の範囲で行った。減圧CVDの場合、成長速度の基板温度依存性は強く、アレニウス・プロットから24kcal/molの 成エネルギーが得られた。プラズマCVDでは、ほとんど基板温度依存性はなく、減圧CVDよりも速い成長速度が得られている。これは、プラズマ励起により、原料ガスの分解が促進されたものと考えられる。3)プラズマ励起種の同定:質量分析器および発光分析器を用いてプラズマ励起種の同定を行った。Q-mass測定では、プラズマ・オンでCH_3、CH_4の増加がみられた。またOES測定からはSiH、CHの依存が確認された。これらの化学種が成長膜の性質とどのようにかかわっているかは今後の課題として残されている。現装置は、remote plasmaの構成であり、原料ガスはプラズマ領域を直接通過しないようにしてある。したがって、励起種が十分に分析系に導入されない可能性があり、今後の改良に工夫が必要である。

The raw materials, materials, The growth rate was measured by in situ, and the film thickness of 100A °was measured by the growth mechanism. 1) the dependence of Si/C ratio on the growth of thin films: the ratio of Si/C of raw materials is higher than that of Si/C, and the maximum growth rate of C-rich is higher than that of raw materials. Please tell me that you need to improve your performance by decomposing it. The results show that the LPCVD results show that the C-rich response is very serious. 2) the dependence of substrate temperature on growth rate: the temperature of substrate varies from 1000 ℃ to 800 ℃. The temperature dependence of the substrate is very strong due to the combination and growth rate of CVD, and the temperature of the substrate is highly dependent on the temperature of the substrate. The temperature dependence of CVD and CVD substrates is very high, and the rapid growth rate is very high. It is necessary to promote the decomposition of raw materials and to stimulate the decomposition of raw materials. 3) the measurement analyzer is the same as the optical analyzer, and the optical analyzer is the same as that of the optical analyzer. Q-mass measures the temperature, the temperature, the Ch _ 3, the CH_4, and the temperature. The OES measurement confirms that the SiH, CH dependencies are not valid. In the future, we will discuss the development of long-film chemical materials, such as long-film properties, environmental protection, environmental protection, environmental protection and environmental protection. At present, the equipment, remote plasma and raw materials are used directly in the field of equipment and production. It is necessary to analyze the possibility of improvement in the future.