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シリコンカーバイドの結晶成長とデバイス応用の研究

シリコンカーバイドの結晶成長とデバイス応用の研究
碳化硅晶体生长及器件应用研究
批准号：
98F00185
负责人：
西野 茂弘
金额：
$1.15万
依托单位：
Kyoto Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
1999
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1999 至 2000
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-98F00185/
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昇華法による立方晶SiCインゴットの単結晶成長
  • 批准号：
    07650012
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
  • 资助金额：
    $1.34万
  • 财政年份：
    1995
  • 负责人：
    西野 茂弘
  • 依托单位：
    Kyoto Institute of Technology
バルク状単結晶SiCの育成と結晶多形の制御
  • 批准号：
    04650019
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
  • 资助金额：
    $1.22万
  • 财政年份：
    1992
  • 负责人：
    西野 茂弘
  • 依托单位：
    Kyoto Institute of Technology
ラジカムビ-ル励起による半導体SiCの結晶成長
  • 批准号：
    03650013
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
  • 资助金额：
    $0.9万
  • 财政年份：
    1991
  • 负责人：
    西野 茂弘
  • 依托单位：
    Kyoto Institute of Technology
単結晶SiCのプラズマCVDにおける励起種の表面反応の研究
  • 批准号：
    02214216
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $1.28万
  • 财政年份：
    1990
  • 负责人：
    西野 茂弘
  • 依托单位：
    Kyoto Institute of Technology