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偏極^3He^+ビームの開発とその表面磁性への応用

偏振^3He^+光束的研制及其在表面磁学中的应用

基本信息

批准号：
60220003
负责人：
桜井利夫
金额：
$ 1.92万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Special Project Research
财政年份：
1985
资助国家：
日本
起止时间：
1985 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-60220003/
关键词：
イオンビーム

项目摘要

1. INS-ABD装置の開発偏極イオン源を取り付けるINS-ABD(イオン中和分光原子線回折)装置の開発を行なった。装置の主要真空槽、真空排気システム、ガス供給系、およびノズル、チョッパ等の部品は既に完成しており、60年度内にビームを発生させることを予定している。真空度は【10^(-10)】Torr台であり、設計通りに進捗している。このINS-ABD装置に取り付むられるイオン源については、レーザー光入射用の窓を有する金属製のタイプのものの設計・製作を進めている。装置の開発に合わせて予備的な実験を行ない、以下の成果が得られた。2. チャネルプレートの検出効率イオンビームの検出に用いられるMCP(マイクロチャネルプレート)の検出効率はアクティブな表面積と全表面積との比に近く、通常型のMCPでは60%程度であるとされている。今回は100%の検出効率を有するチャネルトロンとMCPの比較を、アトムプローブを用いて行なった。その結果、同一の試料から放出されるイオンビームについて、MCPはチャネルトロンが検出するイオンの約57%のイオンしか検出していない事が明らかにされ、バイアス電圧の如何に拘わらず、通常の条件下では、MCPの検出効率が約60%に過ぎないことが実験的に確立された。3. 低エネルギーネオン原子の挙動低温のタングステン試料に低エネルギーのネオンを照射すると、ネオン原子が表面から数百層までも侵入する事が明らかになった。測定にはアトムプローブを用い、layer by layer分析によりネオンの位置を同定した。この現象は通常の拡散機構では説明出来ず、更に定量性の高いデータを得る為の実験を準備中である。

1. The development of INS-ABD(neutral and spectral beam folding) devices is being carried out. The main vacuum tank, vacuum exhaust system, gas supply system, heat exchanger, etc. of the device will be completed within 60 years. Vacuum degree: [10^(-10)] Torr table, design pass, progress. The INS-ABD device is designed and manufactured from metal for light incidence. The following results were obtained from the implementation of the equipment development plan 2. The yield of MCP(or MCP) is close to the ratio of total surface area to total surface area, and the yield of MCP (or MCP) is close to 60%. Now, 100% of the detection rate is available for comparison with MCP. As a result, about 57% of the samples were detected by MCP when they were released from the same sample, and about 60% of the samples were detected by MCP when they were released from the sample. 3. The low-temperature radiation of the low-temperature generation atom and the low-temperature radiation of the low-temperature generation atom on the surface of the sample cause hundreds of layers of radiation. Determination of the position of the layer by layer analysis This phenomenon is usually explained by the dispersion mechanism, and more quantitatively, it is obtained in preparation.