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BEEM電流を信号とした界面活用の消去可能超微細記録素子の基礎と応用

使用 BEEM 电流作为信号的接口的可擦除超细记录元件的基础和应用

基本信息

批准号：
13355002
负责人：
桜井利夫
金额：
$ 34.61万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2001
资助国家：
日本
起止时间：
2001 至 2002
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-13355002/
关键词：
走査トンネル界面電気特性 BBEM GaN 成長

项目摘要

超高真空中でバリスティック電子放射顕微鏡(BEEM)及び走査容量顕微鏡(SCM)実験を両方行うことを可能とするため、走査トンネル顕微鏡(STM)-BEEM及び原子間力顕微鏡(AFM)-SCMを探針交換機能によって共存させることの出来るSTM-AFMヘッドを開発した。装置の動作確認をSTM探針を用いて大気中でグラファイト表面を試料として行い、原子分解能を得ることが可能であることを確認した。さらにAFM探針部の加振性能についても試験を行ったが、動作の安定性に多少問題が存在することが判明したため、現在探針部の改良を行っている。測定対象となる試料については窒化ガリウム(GaN)の薄膜上に金及び銀といった貴金属を蒸着し、その成長過程の原子レベルでの解明及び界面原子構造とその巨視的界面特性の関連性をSTMによる貴金属成長過程の原子構造観察と界面の直流電気特性の測定を通して研究した。その結果、まず金をGa-richなGaN表面上に蒸着した場合には初期課程においてリング状の興味深い表面再構成構造(GaN(0001)-Au-(8x8))等が観察された。さらに金の成長を継続すると、棒状の金islandの成長が観察された。現在その界面電気特性を測定中である。銀を成長させた場合においては成長速度の違いに応じてislandおよびlayer by layer成長の違いが生じる事が確認され、現在その成長ダイナミクスの詳細を研究中である。この金属-半導体界面のBEEM-SCMによる研究は次年度も継続して行われる予定である。

In ultra-high vacuum, electron emission micromirrors (BEEM) and scanning volume micromirrors (SCM) can be used to detect electron emission micromirrors (STM)-BEEM and atomic force micromirrors (AFM)-SCM probe exchange functions. The operation of the device is confirmed by the use of a large number of probes. The surface of the device is tested and the atomic decomposition energy is obtained. How many problems exist in the vibration performance and stability of AFM probe unit? The atomic structure of gold and silver noble metals on thin films of GaN was studied by measuring the atomic structure of noble metals grown on thin films of GaN. As a result, we have observed the initial course, the interesting deep surface reconstruction structure (GaN(0001)-Au-(8x8)), etc. when the Ga-rich GaN surface is evaporated. The growth of gold and rod-like gold islands is observed. The interface electrical characteristics are now being measured. Silver growth in this case, the growth rate of the island and layer by layer growth of the violation of the occurrence of things confirmed, now the growth of the detailed research in the process of BEEM-SCM research on metal-semiconductor interfaces is scheduled for next year.