混晶半導体の構造及び組成のアトム=プローブによる基礎研究

利用原子探针进行混晶半导体结构和成分的基础研究

• 批准号: 60222016
• 负责人: 桜井 利夫
• 金额: $ 1.66万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Special Project Research
• 财政年份: 1985
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1985 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-60222016/
• 关键词: 半導体-金属界面; アトム=プローブ; GaAs; Si; SiC

混晶半導体の組成のゆらぎ、成長法による違いなどを調べる目的でまず、半導体-金属界面の組成について、ToFアトム=プローブで調べた。アトム=プローブは、微少領域の組成分析が、一原子層毎に、結晶構造の観察と直接結びついてできるというユニークな手段であるため、atomic levelの情報を得ることができる。初年度の今年は、GaAs-Pd,GaAs-Ti,SiC-Ti,Si-Ti,Si-Pdなどの系の界面について調べた。GaAsはPdと室温付近から界面反応をおこし、主としてPdがAsと置換して内部拡散する。その結果Pdは主としてGaと反応をおこし、蒸着後のアニール温度が室温から200℃の間ではPd(Gax【As_(1-x)】)という化合物、200℃付近でPd(Gay【As_(1-y)】)となり、200℃〜400℃でPdGaが安定相としてできる、アニールの時間が長くなるとPdは更に内部まで拡散し、表面からGa/PdGa/GaAsという組成で変化する。PdGa相は、600℃でも安定であり、FIMイメージより、GaAsの(100)面上にエピタキシャルに成長していると考えられる。Pdに比してTiはGaAsに対し不活性で 850℃までの加熱では界面反応をおこさない。860°〜900℃のアニールで初めてGaTiAsという化合物を形成する。この性質を利用して、Tiをマーカーとし、Pd/Ti/GaAsという蒸着層を400℃でアニールしたところ、PdはTiを通過して内部に拡散しTi/Ga(Pda【As_(1-x)】)という相を形成した。このことは、PdがAsと置換しながら内部へ拡散していることを強く裏づける。Siの場合には 600℃前後でPdと反応し、Si/【Pd_2】Si/Siという相を形成し、Tiとは600℃前後でTi【Si_2】/Siとなる。一方、SiCの場合には、界面はTiOx/Ti/Si/SiCとなり、Cがぬけるという面白い結果が得られた。

The composition of mixed crystal semiconductor, growth method, composition of semiconductor-metal interface, ToF_(?)= ToF_(?)= ToF_(?) The composition analysis of micro-domain, atomic layer, crystal structure, direct junction, atomic level information, etc. In the beginning of this year, GaAs-Pd, GaAs-Ti, SiC-Ti, Si-Ti, Si-Pd system interface is adjusted. GaAs Pd is close to room temperature, and the interface is reversed, and the main Pd is replaced by internal dispersion. Pd (Ga [As_(1-x)]) and Pd (Gay [As_(1-y)]) compounds after evaporation, Pd (Ga [As_(1-x)] compounds near 200 ℃, Pd (Ga [As_(1-y)]) stable phase from 200 ℃ to 400 ℃, Pd (Ga [As_(1-x)] and Pd (Ga [As_(1-y)]) stable phase from 200 ℃ to 400 ℃, Pd (Ga [As_(1-y)]) stable phase from 200 ℃ to 400 ℃, Pd (Ga [As_(1-y)] stable phase from 200 ℃ to 400 ℃, Pd (Ga [As_(1-y)]) stable phase from 200 ℃ to 400 ℃, Pd (Ga [As_(1-y)]) stable phase from 200 ℃ to 400 ℃, Pd (Ga) stable phase from 200 ℃ to 400 ℃, Pd (Ga) stable phase from 200 ℃, Pd (Ga PdGa phase, 600 ℃, stable, FIM, GaAs (100) surface, growth, etc. Pd is more active than Ti in GaAs and heated at 850 ℃. 860 °~900 ° C and the formation of GaTiAs. The properties of Pd/GaAs are different from those of Ti/Ga (Pda). This is the first time I've ever seen a person who's been in a relationship with someone else. Si/[Pd_2] Si/Si phase formation around 600 ℃ Ti/[Si_2] Si phase formation around 600 ℃In the case of SiC, the interface is TiOx/Ti/Si/SiC, and the surface is white.

项目成果

Rev.Sci.Instrum.(1986)

科学仪器修订版 (1986)

J.Appl.Phys.(1986)Surf.Sci.

J.Appl.Phys.(1986)Surf.Sci。

J.Appl.Phys.(1986)

应用物理学杂志（1986）