权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

トランジェント液相成長法の開発と可視光半導体レーザ材料への応用

瞬态液相生长方法的发展及其在可见光半导体激光材料中的应用

基本信息

批准号：
60222013
负责人：
伊藤良一
金额：
$ 1.28万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Special Project Research
财政年份：
1985
资助国家：
日本
起止时间：
1985 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

本研究は、【III】-【V】族化合物半導体混晶の混合不安定性を調べることを目的としている。具体的には、ミッシビリティギャップ内における結晶成長過程の究明と成長した結晶の特性を調べることを第一の目的とし、混合不安定性を抑制する方法として提案するトランジェント液相成長法の開発を第二の目的としている。本年度は上記の目的に沿って次の研究を行った。(1)計算機制御高速回転メルト型液相成長炉の設計・試作。850℃までの高温に耐え、最短成長時間30ミリ秒、制御精度3ミリ秒のマイクロコンピュータ制御縦型回転成長炉を設計・試作した。基本的な性能の確認を行い、GaAsのエピタクシアル成長が可能であることを確かめた。(2)混晶の液相エピタクシァル成長の初期過程について、界面過飽和度の存在を考慮したモデルに基づいて計算機シミュレーションを行った。シミュレーションの結果、過飽和溶液からの液相成長の初期過程において、固相組成、成長膜厚の時間依存性が界面律速効果に影響されることを明らかにした。(3)通常のスライドボード法を用いてGaAs基板上のGaInPAs4元混晶の不純物ドーピングについて検討した。Teをドーパントとしたとき、ミッシビリティギャップ内の組成に対しては偏析係数が小さくなることを見出した。これはミッシビリティギャップ内の組成に対しては過飽和メルトが不純物の導入により不安定になり何らかのメルト内析出を誘起していることを示唆している。(4)混晶半導体のフェイズダイアグラムに及ぼすミッシビリティギャップの影響について理論的に検討した。従来から断片的に知られていたいくつかの現象を統一的に理解することができるようになった。

In this study, semi-crystalline mixtures of [III]-[V] compounds were mixed uneasily and qualitatively. The growth process shows that the growth characteristics of the crystal show that the first purpose of the test, the mixed instability suppression method, the growth process, the growth process, the growth The purpose of this year's study is to conduct a series of studies. The main results are as follows: (1) the design of high-speed return temperature type liquid phase long furnace is controlled by computer. The temperature at 850 ℃ is resistant to high temperature, the shortest growth time is 30 seconds, and the control precision is 3 seconds. The basic performance assurance line, GaAs performance performance growth rate may be very important. (2) in the early stage of the growth of mixed crystal liquid phase cycle, there are some problems in the process of growth, interface overload and temperature. The results of temperature testing, the initial process of liquid phase formation, solid phase composition, and time-dependent growth of film thickness have an impact on the performance of the interface. the results show that the results show that the process of liquid phase formation, solid phase composition, film thickness and time-dependent growth have an effect on the performance of the interface. (3) in general, the GaInPAs4 mixed crystal on the GaAs substrate is used in this method. In the Te system, there is a significant increase in the number of components in the system, such as the number of components, and the number of components. In the system, it is necessary to make sure that the information is not available in the system, and that the import of materials into the system is not stable. (4) the theory of mixed crystal semicrystal structure and the theory of mixed crystal semicrystal structure. The knowledge of the fragments is similar to the understanding of the whole system.