半導体の原子尺度での制御に関する研究
半導体の原子尺度での制御に関する研究
批准号:
01306014
负责人:
伊藤 良一
金额:
$1.6万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Co-operative Research (B)
财政年份:
1989
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1989 至 --
中文摘要
本研究は、原子尺度で制御された半導体ー半導体超構造ーについて、個々に進められている研究を総合的かつ効果的に進めるために、研究の内容、進め方について討議すること、および重点領域研究の研究領域として研究を推進するための組織作りを行なうことを目的とした。四つの重要研究項目(原子尺度の半導体超構造の基礎、原子尺度の半導体超構造の作製、原子尺度での評価、原子尺度の半導体超構造の物性とその応用)を設定し、各分担者が各自の準備研究を推進するとともに、各種学会、国際会議等に出席して内外の研究動向の調査を行なった。主要研究課題、具体的な研究手法、研究を推進するための組織などにつき討議するため、数回にわたる小規模の会合を重ねた。これらの検討会では、各分担課題について質疑応答を行ない、さらに、本研究を重点領域研究の研究領域として申請する(申請領域名:半導体超構造の原子尺度での制御)ことが合意され、その内容の詳細な検討を行った。以上の結果、重点領域研究で取り組むべき研究課題が明確になり、重要研究課題を効果的に推進するための組織作りが行なわれ、本研究の所期の目的が達成された。
英文摘要
本研究は、原子尺度で制御された半導体ー半導体超構造ーについて、個々に進められている研究を総合的かつ効果的に進めるために、研究の内容、進め方について討議すること、および重点領域研究の研究領域として研究を推進するための組織作りを行なうことを目的とした。四つの重要研究項目(原子尺度の半導体超構造の基礎、原子尺度の半導体超構造の作製、原子尺度での評価、原子尺度の半導体超構造の物性とその応用)を設定し、各分担者が各自の準備研究を推進するとともに、各種学会、国際会議等に出席して内外の研究動向の調査を行なった。主要研究課題、具体的な研究手法、研究を推進するための組織などにつき討議するため、数回にわたる小規模の会合を重ねた。これらの検討会では、各分担課題について質疑応答を行ない、さらに、本研究を重点領域研究の研究領域として申請する(申請領域名:半導体超構造の原子尺度での制御)ことが合意され、その内容の詳細な検討を行った。以上の結果、重点領域研究で取り組むべき研究課題が明確になり、重要研究課題を効果的に推進するための組織作りが行なわれ、本研究の所期の目的が達成された。
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吉野淳二(T.Yasuda): "The Dependence of Light Intensity on Surface Morphology and Impurity Incorporation for ZnSe Growh by Photo Assisted MOVPE" Japanese Journal of Applied Physics. 28. L1628-L1630 (1989)
Junji Yoshino (T.Yasuda):“通过光辅助 MOVPE 生长 ZnSe 时光强度对表面形态和杂质掺入的依赖性”《日本应用物理学杂志》28。L1628-L1630 (1989)
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
伊藤良一: "半導体レ-ザ[基礎と応用]" 培風館, 326 (1989)
伊藤良一:“半导体激光[基础与应用]”Baifukan,326(1989)
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
伊藤良一(G.P.Li): "Fabrication of GaAs ultrafine diffraction gratings by SiCl_4 reactive ion etching" Applied Physics Letters.
Ryoichi Ito (G.P.Li):“通过 SiCl_4 反应离子蚀刻制作 GaAs 超细衍射光栅”《应用物理快报》。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
安藤恒也: "Numerical Study of Symmetry Effects on Localization in Two Dimensions" Physical Review. B40. 5325-5339 (1989)
安藤恒哉:“对称性对二维定位效应的数值研究”物理评论 B40(1989)。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
津田穣: "Atomic Layer Epitaxial Growth Mechanism of a Gallium Layer on the (100)As Surface of GaAs Crystals in MOVPE" Journal of Crystal Growth.
Minoru Tsuda:“MOVPE 中 GaAs 晶体 (100)As 表面镓层的原子层外延生长机制”晶体生长杂志。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
共 7 条
ガス拡散電極を用いた気体フロー型二酸化炭素電解合成セルの開発
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批准号:24H00478
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额:$26.79万
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财政年份:2024
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负责人:伊藤 良一
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依托单位:
二酸化炭素電解還元における反応中間体制御法の確立と気体フロー型電解合成セルの開発
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批准号:23K21144
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$1.58万
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财政年份:2024
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负责人:伊藤 良一
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依托单位:
Understanding of physical properties on carbon networks with unique geometric structures
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批准号:23K17661
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
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资助金额:$4.16万
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财政年份:2023
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负责人:伊藤 良一
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依托单位:
Understanding and controls of reaction intermediates in electrochemical carbon dioxide reduction and development of gaseous flow type electrolytic synthesis cell
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批准号:21H02037
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$11.07万
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财政年份:2021
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负责人:伊藤 良一
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依托单位:
自己組織化膜を有する磁性金属ナノ粒子の設計とその複合機能化
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批准号:09J06717
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.34万
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财政年份:2009
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负责人:伊藤 良一
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依托单位:
分極反転構造を用いた疑似位相整合方式波長変換デバイスの開発
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批准号:07246103
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$25.02万
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财政年份:1995
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负责人:伊藤 良一
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依托单位:
半導体の原子尺度での制御に関する研究
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批准号:63306016
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项目类别:Grant-in-Aid for Co-operative Research (B)
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资助金额:$1.66万
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财政年份:1988
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负责人:伊藤 良一
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依托单位:
トランジェント液相成長法の開発と可視光半導体レーザ材料への応用
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批准号:60222013
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1985
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负责人:伊藤 良一
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依托单位:
半導体レーザ増幅器における非線型特性およびゆらぎ現象の研究
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批准号:59460058
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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资助金额:$4.22万
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财政年份:1984
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负责人:伊藤 良一
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依托单位:
0.6μm帯半導体レーザの開発
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批准号:58850002
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项目类别:Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
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资助金额:$4.35万
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财政年份:1983
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负责人:伊藤 良一
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依托单位:
可視半導体レーザ用多元混晶材料に関する基礎研究
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批准号:X00080----546051
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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资助金额:$5.57万
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财政年份:1980
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负责人:伊藤 良一
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依托单位:
海外基金