半導体の原子尺度での制御に関する研究

半导体原子尺度控制研究

基本信息

  • 批准号:
    01306014
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.6万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Co-operative Research (B)
  • 财政年份:
    1989
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1989 至 无数据
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

本研究は、原子尺度で制御された半導体ー半導体超構造ーについて、個々に進められている研究を総合的かつ効果的に進めるために、研究の内容、進め方について討議すること、および重点領域研究の研究領域として研究を推進するための組織作りを行なうことを目的とした。四つの重要研究項目(原子尺度の半導体超構造の基礎、原子尺度の半導体超構造の作製、原子尺度での評価、原子尺度の半導体超構造の物性とその応用)を設定し、各分担者が各自の準備研究を推進するとともに、各種学会、国際会議等に出席して内外の研究動向の調査を行なった。主要研究課題、具体的な研究手法、研究を推進するための組織などにつき討議するため、数回にわたる小規模の会合を重ねた。これらの検討会では、各分担課題について質疑応答を行ない、さらに、本研究を重点領域研究の研究領域として申請する(申請領域名:半導体超構造の原子尺度での制御)ことが合意され、その内容の詳細な検討を行った。以上の結果、重点領域研究で取り組むべき研究課題が明確になり、重要研究課題を効果的に推進するための組織作りが行なわれ、本研究の所期の目的が達成された。
This study focuses on the research of semiconductor superstructures at atomic scale, and advances the research of semiconductor superstructures at atomic scale. Four important research projects (atomic scale semiconductor superstructure foundation, atomic scale semiconductor superstructure fabrication, atomic scale semiconductor superstructure evaluation, atomic scale semiconductor superstructure physical properties and other applications) are set up, and each participant promotes his/her own preparation research, and attends various societies and international conferences to investigate internal and external research trends. Main research topics, specific research methods, research progress, organization, discussion, and small-scale meetings This research is a key research area and an application area (application domain name: atomic scale control of semiconductor superstructures). The above results, focus areas of research, research topics, important research topics, results, organization and implementation, and the objectives of this study have been achieved.

项目成果

期刊论文数量(7)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
吉野淳二(T.Yasuda): "The Dependence of Light Intensity on Surface Morphology and Impurity Incorporation for ZnSe Growh by Photo Assisted MOVPE" Japanese Journal of Applied Physics. 28. L1628-L1630 (1989)
Junji Yoshino (T.Yasuda):“通过光辅助 MOVPE 生长 ZnSe 时光强度对表面形态和杂质掺入的依赖性”《日本应用物理学杂志》28。L1628-L1630 (1989)
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
伊藤良一: "半導体レ-ザ[基礎と応用]" 培風館, 326 (1989)
伊藤良一:“半导体激光[基础与应用]”Baifukan,326(1989)
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
伊藤良一(G.P.Li): "Fabrication of GaAs ultrafine diffraction gratings by SiCl_4 reactive ion etching" Applied Physics Letters.
Ryoichi Ito (G.P.Li):“通过 SiCl_4 反应离子蚀刻制作 GaAs 超细衍射光栅”《应用物理快报》。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
安藤恒也: "Numerical Study of Symmetry Effects on Localization in Two Dimensions" Physical Review. B40. 5325-5339 (1989)
安藤恒哉:“对称性对二维定位效应的数值研究”物理评论 B40(1989)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
津田穣: "Atomic Layer Epitaxial Growth Mechanism of a Gallium Layer on the (100)As Surface of GaAs Crystals in MOVPE" Journal of Crystal Growth.
Minoru Tsuda:“MOVPE 中 GaAs 晶体 (100)As 表面镓层的原子层外延生长机制”晶体生长杂志。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
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  • 发表时间:
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  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
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  • 通讯作者:
    伊藤 良一
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  • 作者:
    付 威;山下 大之;藤森 利彦;小野木 伯薫;胡 凱龍;赤田 圭史;伊藤 良一;藤田 淳一
  • 通讯作者:
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  • 资助金额:
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半導体の原子尺度での制御に関する研究
半导体原子尺度控制研究
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  • 资助金额:
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    DP220101774
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 1.6万
  • 项目类别:
    Discovery Projects
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使用 FRC 和 UHPFRC 与常规加固进行桥墩的抗震设计和修复以及桥梁上部结构元件的设计
  • 批准号:
    RGPIN-2017-05699
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  • 资助金额:
    $ 1.6万
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知道了