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混晶半導体中の欠陥準位に関する研究

混晶半导体缺陷能级研究

基本信息

批准号：
60222021
负责人：
柊元宏
金额：
$ 6.14万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Special Project Research
财政年份：
1985
资助国家：
日本
起止时间：
1985 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-60222021/
关键词：
混晶半導体欠陥準位不純物準位静水圧

项目摘要

山研究の目的は、種々の混晶系における欠陥準位を過渡容量分光法(DLTS)によって調べ、同時にそれによって混晶特有の原子配列の乱れを解明する新しい評価法を確立することにある。本年度において得られた主な成果は次の通りである。1.AlGaAs中の欠陥準位をDLTS法で調べ、ドナー(D)と未知の欠陥(X)の複合体よりなるとされていたDX中心のドナー種依存性を明らかにした。2.AlGaAs混晶と静水圧下GaAsとにおける伝導帯構造の類似性に着目し、GaAsの静水圧下でのDLTS測定を行い、DX中心は従来考えられていた複合体ではなくドナー自身であること、特殊な伝導帯構造となるときにDX準位が形成されることが明らかにされた。3.静水圧下でのGaAsの光伝導度の測定を行い、DX中心が浅いドナー準位と深い準位の二面的性格を示すのはその大きな格子緩和現象によることをみいだした。4.上記2の結果に基づいて、他の混晶系においてもこの種の欠陥準位が存在する可能性があることを指摘した。以上を要するに、静水圧下でのDLTS測定が、混晶中の欠陥物性を解明するための有効な手段となることがわかった。

The purpose of this study is to determine the accuracy of the under-calibration capacity spectroscopy (DLTS) method for the study of mixed crystal systems, and at the same time to determine the number of atoms that are unique to mixed crystals. This year, I won the award for the first time, and the main results for this year. In 1.AlGaAs, there is a lack of registration in the DLTS method, an unknown in (D), an unknown in (X), a complex in DX, and a dependency in the DX center. In the 2.AlGaAs mixed crystal, the DLTS test line in the still water, the DLTS test line, and the DX center in the mixed crystal of DLTS in still water, the DLTS test line in the static water, and the DX center in the mixed crystal of DX are used to test the complexity of the compound. in addition, the special device is used to make the alignment of DX in the system. 3. Under the still water, the GaAs light intensity measurement line, the DX center shallow alignment, the depth alignment, the deep alignment, the character of the two sides, the character of the two sides, the grid and the image. 4. The last two results show that there is a possibility that there is a lack of alignment in the mixed crystal system. The determination of DLTS in static water, the determination of physical properties in mixed crystals, and the determination of physical properties in mixed crystals.