课题基金 / 基金详情

混晶半導体中の欠陥準位に関する研究

混晶半導体中の欠陥準位に関する研究
混晶半导体缺陷能级研究
批准号：
60222021
负责人：
柊元 宏
金额：
$6.14万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Special Project Research
财政年份：
1985
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1985 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-60222021/
关键词：
混晶半導体欠陥準位不純物準位静水圧

项目摘要

项目成果

柊元 宏的其他基金

相似基金

相关文献

中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
山研究の目的は、種々の混晶系における欠陥準位を過渡容量分光法(DLTS)によって調べ、同時にそれによって混晶特有の原子配列の乱れを解明する新しい評価法を確立することにある。本年度において得られた主な成果は次の通りである。1.AlGaAs中の欠陥準位をDLTS法で調べ、ドナー(D)と未知の欠陥(X)の複合体よりなるとされていたDX中心のドナー種依存性を明らかにした。2.AlGaAs混晶と静水圧下GaAsとにおける伝導帯構造の類似性に着目し、GaAsの静水圧下でのDLTS測定を行い、DX中心は従来考えられていた複合体ではなくドナー自身であること、特殊な伝導帯構造となるときにDX準位が形成されることが明らかにされた。3.静水圧下でのGaAsの光伝導度の測定を行い、DX中心が浅いドナー準位と深い準位の二面的性格を示すのはその大きな格子緩和現象によることをみいだした。4.上記2の結果に基づいて、他の混晶系においてもこの種の欠陥準位が存在する可能性があることを指摘した。以上を要するに、静水圧下でのDLTS測定が、混晶中の欠陥物性を解明するための有効な手段となることがわかった。
期刊论文(3)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Jpn.J.Appl.Phys.24-2. (1985)
Jpn.J.Appl.Phys.24-2。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
Jpn.J.Appl.Phys.24-11. (1985)
Jpn.J.Appl.Phys.24-11。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
Jpn.J.Appl.Phys.24-10. (1985)
Jpn.J.Appl.Phys.24-10。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
アモルファス半導体の量子サイズ効果に関する研究
  • 批准号：
    60460062
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
  • 资助金额：
    $4.54万
  • 财政年份：
    1986
  • 负责人：
    柊元 宏
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
II-VI族化合物の物性制御と応用
  • 批准号：
    59350001
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Co-operative Research (A)
  • 资助金额：
    $10.37万
  • 财政年份：
    1984
  • 负责人：
    柊元 宏
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
極微構造における混晶クラスタリングと電子状態に関する研究
  • 批准号：
    58209017
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Special Project Research
  • 资助金额：
    $1.47万
  • 财政年份：
    1983
  • 负责人：
    柊元 宏
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
アモルファス可視発光素子の開発
  • 批准号：
    58850005
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
  • 资助金额：
    $5.44万
  • 财政年份：
    1983
  • 负责人：
    柊元 宏
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
海外基金