シリコンの低温エピタキシャル成長に関する基礎的研究
シリコンの低温エピタキシャル成長に関する基礎的研究
批准号:
60750271
负责人:
財満 鎭明
金额:
$0.58万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份:
1985
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1985 至 --
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機能融合デバイス構築に向けたSn系Ⅳ族半導体薄膜の材料設計
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批准号:26246024
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额:$15.39万
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财政年份:2014
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负责人:財満 鎭明
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依托单位:
シリコン系エンジニアリングサブストレート実現のための材料・物性・構造制御技術
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批准号:21246009
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额:$25.29万
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财政年份:2009
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负责人:財満 鎭明
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依托单位:
シリコンナノエレクトロニクスの新展開-ポストスケーリングテクノロジー
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批准号:17636001
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$2.11万
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财政年份:2005
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负责人:財満 鎭明
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依托单位:
異種材料界面制御による超低抵抗コンタクトの開発と半導体/金属界面の原子直視研究
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批准号:13025224
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$61.82万
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财政年份:2001
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负责人:財満 鎭明
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依托单位:
ゲート酸化薄膜の低温形成に関する研究
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批准号:61750274
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1986
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负责人:財満 鎭明
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依托单位: