シリコンナノエレクトロニクスの新展開-ポストスケーリングテクノロジー

硅纳米电子学新进展——后缩放技术

• 批准号: 17636001
• 负责人: 財満 鎭明
• 金额: $ 2.11万
• 依托单位: Nagoya University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2005
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2005 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-17636001/
• 关键词: シリコン; 超々大規模集積回路; スケーリング則; MOSFET; ゲルマニウム; ナノ構造化メモリ; 三次元構造デバイス; シグナルインテグリティ

Si超々大規模集積回路に対する従来の「スケーリング則」による対処療法的方策は、材料固有の物性限界に阻まれ、将来展望を見失っている。我々はSiテクノロジーを基盤としながら、従来材料の物性限界を打破するための一連の技術を『シリコンテクノロジーにおけるポストスケーリング技術』と位置づけ、以下の4項目について調査・研究を行った。(各テーマ分担者を括弧内に示す。)(1)ナノスケールデバイスプロセス・マテリアル:低電圧化・超高速化を同時に達成する超高移動度Geチャネル技術とGe/High-kゲートスタック技術。(高木、財満、櫻庭、渡部、寺本)(2)ナノ構造化メモリデバイス:ナノスケール領域に適合した新規不揮発性メモリ構造とそれを実現するプロセス技術。(宮崎、福島、田部、浦岡、徳光)(3)三次元自己整合化構造デバイス:従来の微細加工限界を打破するための三次元自己構造化技術、およびそれを用いたデバイス開発と異種材料界面を用いた新規機能性付加技術。(堀、宮尾、白樫、田畑、竹田)(4)少数電子系の揺らぎとナノスケール計測:ナノスケール領域において発現する物理現象や、少数電子系の電子輸送と揺らぎ・雑音・シグナルインテグリティに関する理論的および実験的解明、ナノスケールの物性理解のための評価技術。(益、佐野、土屋、白石、木村)上記の研究調査を踏まえて、5回の研究打ち合わせ(8月、10月(2回)、11月、3月)および2回の研究会(9月、12月)を開催し、基礎的検討課題および技術的課題を抽出した。また、国際会議発表を通して海外への情報発信と世界の動向調査も推進した。これらの活動を通して、Siテクノロジーの発展にはポストスケーリング技術が必須であると結論づけられ、その展開すべき方向と課題が整理・明確化された。本研究の成果を集約して、平成18年度発足特定領域研究への申請を行った。

Si's ultra-large-scale integrated circuits are based on the "スケーリングrule" method of treatment, the physical limitations inherent in materials are hindered, and the future prospects are lost. I'm using the material that I'm using to break the boundaries of the physical properties of materials I'm using as a foundation, and I'm using technology to break the boundaries of the materials I'm usingテクノロジーにおけるポストスケーリングTechnologyとLocationづけ、The following 4 projectsについてinvestigation・researchを行った. (Individual contributors are shown in parentheses.) (1) Norotechnics: Low voltage・Ultra-high speed is achieved simultaneously with the ultra-high mobility Ge Neck Technology and Ge/High-k Speed ​​Technology. (Takagi, Saimaru, Sakuraba, Watanabe, Teramoto) (2) NANO STRUCTURED メモリデバイス: NANOスThe ケール field is suitable for the new non-volatile メモリ structure and the するプロセス technology. (Miyazaki, Fukushima, Tabe, Uraoka, Tokumitsu) (3) Three-dimensional self-integrated structure デバイス: Breaking the boundaries of micro-processing するためのThree-dimensional self-structuring technology, およびそれを用いたデバイス开発とdifferent material interface を用いたNew functional addition technology. (Hori, Miyao, Shirataki, Tabata, Takeda) (4) Minority Electronics System Measurement: Minority Electronics System Physical Phenomenon, Minority Electronics Sub-system of Electronic Transport System・雑音・Subsystem The explanation of the theory and the technical understanding of the physical properties of the theory. (Masushi, Sano, Tsuchiya, Shiraishi, Kimura) The research and investigation of the upper chapter, the research of the five chapters (August, October (2 chapters), November, March) 2 seminars of および (September, December) will be held, and basic research topics and technical topics will be drawn out.また、International conferences and meetings, overseas intelligence reports, and world trend surveys are being promoted.これらのactivitiesを通して、Siテクノロジーの発开にはポストスケーリングTechnology It is necessary to clarify the conclusion, the direction of the development, and the organization and clarification of the topic. The results of this research are concentrated, and the application for specific field research in 2018 is carried out.

项目成果

Self-organized nanostripe arrays on ZnO (10-10) surfaces formed during laser molecular-beam-epitaxy growth

• DOI: 10.1063/1.2081133
• 发表时间: 2005-09
• 期刊: Applied Physics Letters
• 影响因子: 4
• 作者: H. Matsui;H. Tabata

Sub-band structure engineering for advanced CMOS channels

• DOI: 10.1016/j.sse.2004.08.020
• 发表时间: 2005-05
• 期刊: Solid-state Electronics
• 影响因子: 1.7
• 作者: S. Takagi;T. Mizuno;T. Tezuka;N. Sugiyama;S. Nakaharai;T. Numata;J. Koga;K. Uchida

Circuit Performance Prediction Considering Core Utilization with Interconnect Length Distribution Model

考虑核心利用率和互连长度分布模型的电路性能预测

• 发表时间: 2005
• 期刊: IEICE Transactions on Fundamentals of Electronics, Communications and Computer Sciences E88-A(12)
• 作者: H. Nakashima;J. Inoue;K. Okada;and K. Masu
• 通讯作者: and K. Masu

Characterization of Electronic Charged States of Si-Based Quantum Dots and Their Application to Floating Gate Memories

硅基量子点电子带电状态的表征及其在浮栅存储器中的应用

• 发表时间: 2006
• 期刊: ESC Trans. 2(印刷中)
• 作者: S.Miyazaki;M.Ikeda;K.Makihara
• 通讯作者: K.Makihara

Analysis of Microstructures in SiGe Buffer Layers on sSilicon-on-Insulator Substrates

绝缘体上硅衬底上 SiGe 缓冲层的微观结构分析

• 发表时间: 2005
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics 44(10)
• 作者: N.Taoka;A.Sakai;S.Mochizuki;O.Nakatsuka;M.Ogawa;S.Zaima;T.Tezuka;N.Sugiyama;S.Takagi
• 通讯作者: S.Takagi