课题基金 / 基金详情

ゲート酸化薄膜の低温形成に関する研究

ゲート酸化薄膜の低温形成に関する研究
栅氧化薄膜低温形成研究
批准号：
61750274
负责人：
財満 鎭明
金额：
$0.58万
依托单位：
Toyohashi University of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1986
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1986 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-61750274/
关键词：

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機能融合デバイス構築に向けたSn系Ⅳ族半導体薄膜の材料設計
  • 批准号：
    26246024
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
  • 资助金额：
    $15.39万
  • 财政年份：
    2014
  • 负责人：
    財満 鎭明
  • 依托单位：
    Nagoya University
シリコン系エンジニアリングサブストレート実現のための材料・物性・構造制御技術
  • 批准号：
    21246009
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
  • 资助金额：
    $25.29万
  • 财政年份：
    2009
  • 负责人：
    財満 鎭明
  • 依托单位：
    Nagoya University
シリコンナノエレクトロニクスの新展開-ポストスケーリングテクノロジー
  • 批准号：
    17636001
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 资助金额：
    $2.11万
  • 财政年份：
    2005
  • 负责人：
    財満 鎭明
  • 依托单位：
    Nagoya University
異種材料界面制御による超低抵抗コンタクトの開発と半導体/金属界面の原子直視研究
  • 批准号：
    13025224
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $61.82万
  • 财政年份：
    2001
  • 负责人：
    財満 鎭明
  • 依托单位：
    Nagoya University