シリコン系エンジニアリングサブストレート実現のための材料・物性・構造制御技術

实现硅基工程衬底的材料、物理性能及结构控制技术

• 批准号: 21246009
• 负责人: 財満 鎭明
• 金额: $ 25.29万
• 依托单位: Nagoya University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-21246009/
• 关键词: シリコン; ゲルマニウム; 表面・界面; コンタクト; シリサイド; 表面終端; エピタキシャル成長; 酸化

本研究では、将来のシリコン(Si)系半導体超々大規模集積回路(ULSI)の高性能化に資する、基板技術構築に向けた結晶成長およびこれを支える金属および絶縁膜/半導体界面やSiあるいはゲルマニウム(Ge)表面構造制御技術の研究を行う。本年度において得られた成果を以下に記す。(1)Si(110)基板上にPd(10nm)およびPd(10nm)/Ti(2nm)を成膜し、これを熱処理することで、Pd_2Si/Si(110)構造を形成し、その結晶構造、熱的安定性を評価した。Si(001)基板上では、エピタキシャルPd_2Siおよび高配向性PdSiの形成を実現できる。一方、Si(110)基板上においては、このような配向性を示すシリサイド成長は優位には見られず、Ti中間層挿入によるPd_2Si凝集の抑制効果も高くない。すなわち、Ti中間層によるPd/Si反応、結晶構造制御には、基板の面方位が影響することが明らかになった。

In this study, Si is the research field of semi-metallic super-large-scale model set circuit (ULSI) high performance-based engineering, substrate technology technology and crystal growth. The interface of metal alloy film

项目成果

Formation of Palladium Silicide on Heavily Doped Si (001) Substrates Using Ti Intermediate Laver

使用 Ti 中间层在重掺杂 Si (001) 衬底上形成硅化钯

• 发表时间: 2010
• 期刊: Jpn.J.Appl.Phys. (掲載決定)
• 作者: R.Suryana;O.Nakatsuka;S.Zaima
• 通讯作者: S.Zaima

Formation of Palladium Silicide Thin Layers on Si(110) Substrates

Si(110) 衬底上硅化钯薄层的形成

• 发表时间: 2010
• 作者: R.Suryana;O.Nakatsuka;S.Zaima
• 通讯作者: S.Zaima

Formation of Palladium Silicide on Heavily Doped Si (001) Substrates Using Ti Intermediate Layer

使用 Ti 中间层在重掺杂 Si (001) 衬底上形成硅化钯

• 发表时间: 2009
• 作者: R.Suryana;O.Nakatsuka;S.Zaima
• 通讯作者: S.Zaima