课题基金 / 基金详情

シリコン系エンジニアリングサブストレート実現のための材料・物性・構造制御技術

シリコン系エンジニアリングサブストレート実現のための材料・物性・構造制御技術
实现硅基工程衬底的材料、物理性能及结构控制技术
批准号：
21246009
负责人：
財満 鎭明
金额：
$25.29万
依托单位：
Nagoya University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2009
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2009 至 2011
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-21246009/
关键词：
シリコンゲルマニウム表面・界面コンタクトシリサイド表面終端エピタキシャル成長酸化

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
本研究では、将来のシリコン(Si)系半導体超々大規模集積回路(ULSI)の高性能化に資する、基板技術構築に向けた結晶成長およびこれを支える金属および絶縁膜/半導体界面やSiあるいはゲルマニウム(Ge)表面構造制御技術の研究を行う。本年度において得られた成果を以下に記す。(1)Si(110)基板上にPd(10nm)およびPd(10nm)/Ti(2nm)を成膜し、これを熱処理することで、Pd_2Si/Si(110)構造を形成し、その結晶構造、熱的安定性を評価した。Si(001)基板上では、エピタキシャルPd_2Siおよび高配向性PdSiの形成を実現できる。一方、Si(110)基板上においては、このような配向性を示すシリサイド成長は優位には見られず、Ti中間層挿入によるPd_2Si凝集の抑制効果も高くない。すなわち、Ti中間層によるPd/Si反応、結晶構造制御には、基板の面方位が影響することが明らかになった。
英文摘要
本研究では、将来のシリコン(Si)系半導体超々大規模集積回路(ULSI)の高性能化に資する、基板技術構築に向けた結晶成長およびこれを支える金属および絶縁膜/半導体界面やSiあるいはゲルマニウム(Ge)表面構造制御技術の研究を行う。本年度において得られた成果を以下に記す。(1)Si(110)基板上にPd(10nm)およびPd(10nm)/Ti(2nm)を成膜し、これを熱処理することで、Pd_2Si/Si(110)構造を形成し、その結晶構造、熱的安定性を評価した。Si(001)基板上では、エピタキシャルPd_2Siおよび高配向性PdSiの形成を実現できる。一方、Si(110)基板上においては、このような配向性を示すシリサイド成長は優位には見られず、Ti中間層挿入によるPd_2Si凝集の抑制効果も高くない。すなわち、Ti中間層によるPd/Si反応、結晶構造制御には、基板の面方位が影響することが明らかになった。
期刊论文(1)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Formation of Palladium Silicide on Heavily Doped Si (001) Substrates Using Ti Intermediate Laver
使用 Ti 中间层在重掺杂 Si (001) 衬底上形成硅化钯
DOI： --
发表时间： 2010
期刊： Jpn.J.Appl.Phys. (掲載決定)
影响因子： --
作者： [R.Suryana, O.Nakatsuka, S.Zaima]
通讯作者： S.Zaima
Formation of Palladium Silicide Thin Layers on Si(110) Substrates
Si(110) 衬底上硅化钯薄层的形成
DOI： --
发表时间： 2010
期刊：
影响因子： --
作者： [R.Suryana, O.Nakatsuka, S.Zaima]
通讯作者： S.Zaima
Formation of Palladium Silicide on Heavily Doped Si (001) Substrates Using Ti Intermediate Layer
使用 Ti 中间层在重掺杂 Si (001) 衬底上形成硅化钯
DOI： --
发表时间： 2009
期刊：
影响因子： --
作者： [R.Suryana, O.Nakatsuka, S.Zaima]
通讯作者： S.Zaima
機能融合デバイス構築に向けたSn系Ⅳ族半導体薄膜の材料設計
  • 批准号：
    26246024
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
  • 资助金额：
    $15.39万
  • 财政年份：
    2014
  • 负责人：
    財満 鎭明
  • 依托单位：
    Nagoya University
シリコンナノエレクトロニクスの新展開-ポストスケーリングテクノロジー
  • 批准号：
    17636001
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 资助金额：
    $2.11万
  • 财政年份：
    2005
  • 负责人：
    財満 鎭明
  • 依托单位：
    Nagoya University
異種材料界面制御による超低抵抗コンタクトの開発と半導体/金属界面の原子直視研究
  • 批准号：
    13025224
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $61.82万
  • 财政年份：
    2001
  • 负责人：
    財満 鎭明
  • 依托单位：
    Nagoya University
ゲート酸化薄膜の低温形成に関する研究
  • 批准号：
    61750274
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 资助金额：
    $0.58万
  • 财政年份：
    1986
  • 负责人：
    財満 鎭明
  • 依托单位：
    Toyohashi University of Technology
海外基金