安定化ジルコニア/シリコン界面酸化によるシリコン酸化膜層の形成
安定化ジルコニア/シリコン界面酸化によるシリコン酸化膜層の形成
批准号:
60750278
负责人:
森田 瑞穂
金额:
$0.58万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份:
1985
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1985 至 --
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会议论文
横型ダブルバリア構造によるナノ材料・ナノ生体分子の共鳴トンネル分光法の研究
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批准号:19656079
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额:$2.05万
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财政年份:2007
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负责人:森田 瑞穂
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依托单位:
シリコン/微小空隙/シリコン構造を用いたトンネル分光マイクロセンサの研究
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批准号:13875012
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.34万
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财政年份:2001
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负责人:森田 瑞穂
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依托单位:
仮想多層膜形成条件熱酸化による高機能極薄シリコン酸化膜の研究
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批准号:13025230
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$1.47万
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财政年份:2001
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负责人:森田 瑞穂
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依托单位:
シリコン/シリコン酸化膜系ダブルバリヤ構造を用いた共鳴トンネル分光法の研究
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批准号:10875007
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1998
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负责人:森田 瑞穂
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依托单位:
極限集積化デバイスのしきい値支配因子自己収束酸化プロセスの研究
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批准号:09224202
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1997
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负责人:森田 瑞穂
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依托单位:
極限集積化デバイスのしきい値支配因子自己収束プロセスの研究
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批准号:08238202
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1996
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负责人:森田 瑞穂
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依托单位:
極限集積化デバイスのしきい値支配因子自己収束プロセスの研究
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批准号:07248202
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.6万
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财政年份:1995
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负责人:森田 瑞穂
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依托单位: