横型ダブルバリア構造によるナノ材料・ナノ生体分子の共鳴トンネル分光法の研究
横型ダブルバリア構造によるナノ材料・ナノ生体分子の共鳴トンネル分光法の研究
批准号:
19656079
负责人:
森田 瑞穂
金额:
$2.05万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份:
2007
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2007 至 2009
中文摘要
横型シリコン/シリコン酸化膜系ダブルバリア構造デバイスにより、従来のトンネル分光法が分光対象としていたバリア材料としての固体絶縁体に加えて固体伝導体、液体、生体の分光も可能にする共鳴トンネル分光法を開拓する目的に対して、シリコン/シリコン酸化膜/ナノ空隙/シリコン酸化膜/シリコンの横型ダブルバリア構造を製作し、ナノ空隙にダブルバリア間材料として超純水を導入することにより、シリコン間の交流容量が変化することを明らかにしている。ナノメートル空隙分光デバイス構造は、SOIウェハを基板として、リソグラフィ、シリコン層のエッチング、集束イオンビーム加工の微細加工によりナノ空隙部を形成し、シリコン層表面に極めて薄いシリコン酸化膜を形成し、シリコン酸化膜を部分的にエッチングしてシリコン表面にアルミニウム薄膜を形成することにより製作した。そして、走査型電子顕微鏡を用いてナノ空隙長を測定し、偏光解析装置を用いて極めて薄いシリコン酸化膜の厚さを測定して、デバイス構造が製作されていることを確認した。ダブルバリア間材料として超純水をナノ空隙に導入して端子電極間の交流容量-電圧特性を測定することにより、交流容量が増加することを実証している。また、シリコン酸化膜/空隙/シリコン酸化膜の上部に石英板を設けて、SOI基板、シリコン酸化膜、石英板の間に設けられた空隙を流路の孔としたデバイス構造を製作し、孔に超純水を導入することにより、交流容量が変化することを明らかにしている。
英文摘要
横型シリコン/シリコン酸化膜系ダブルバリア構造デバイスにより、従来のトンネル分光法が分光対象としていたバリア材料としての固体絶縁体に加えて固体伝導体、液体、生体の分光も可能にする共鳴トンネル分光法を開拓する目的に対して、シリコン/シリコン酸化膜/ナノ空隙/シリコン酸化膜/シリコンの横型ダブルバリア構造を製作し、ナノ空隙にダブルバリア間材料として超純水を導入することにより、シリコン間の交流容量が変化することを明らかにしている。ナノメートル空隙分光デバイス構造は、SOIウェハを基板として、リソグラフィ、シリコン層のエッチング、集束イオンビーム加工の微細加工によりナノ空隙部を形成し、シリコン層表面に極めて薄いシリコン酸化膜を形成し、シリコン酸化膜を部分的にエッチングしてシリコン表面にアルミニウム薄膜を形成することにより製作した。そして、走査型電子顕微鏡を用いてナノ空隙長を測定し、偏光解析装置を用いて極めて薄いシリコン酸化膜の厚さを測定して、デバイス構造が製作されていることを確認した。ダブルバリア間材料として超純水をナノ空隙に導入して端子電極間の交流容量-電圧特性を測定することにより、交流容量が増加することを実証している。また、シリコン酸化膜/空隙/シリコン酸化膜の上部に石英板を設けて、SOI基板、シリコン酸化膜、石英板の間に設けられた空隙を流路の孔としたデバイス構造を製作し、孔に超純水を導入することにより、交流容量が変化することを明らかにしている。
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会议论文
Characterization of Pinhole in Patterned Oxide Buried in Bonded Silicon-on-Insulator Wafers by Near-Infrared Scattering Topography and Microscopy
通过近红外散射形貌和显微镜表征埋在键合绝缘体上硅晶圆中的图案化氧化物中的针孔
DOI:
--
发表时间:
2007
期刊:
ECS Transactions 11
影响因子:
--
作者:
[Xing Wu, Junichi Uchikoshi, Takaaki Hirokane, Ryuta Yamada, Kenta Arima, Mizuho Morita]
通讯作者:
Mizuho Morita
シリコン-酸化膜-空隙-酸化膜-シリコン構造による液体センシング
使用硅氧化膜-空隙-氧化膜-硅结构进行液体传感
DOI:
--
发表时间:
2010
期刊:
影响因子:
--
作者:
[神谷泰次, 山田隆太, 打越純一, 有馬健太, 森田瑞穂]
通讯作者:
森田瑞穂
Characterization of Pinhole in Patterned Oxide Buried in Bonded Silicon-on-Insulator Wafers by Near-Infrared Scattering Topography and Transmission Microscopy
通过近红外散射形貌和透射显微镜表征埋在键合绝缘体上硅晶圆中的图案化氧化物中的针孔
DOI:
--
发表时间:
2008
期刊:
Journal of The Electrochemical Society 155
影响因子:
--
作者:
[Xing Wu, Junichi Uchikoshi, Takaaki Hirokane, Ryuta Yamada, Akihiro Takeuchi, Kenta Arima, Mizuho Morita]
通讯作者:
Mizuho Morita
シリコン/微小空隙/シリコン構造を用いたトンネル分光マイクロセンサの研究
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批准号:13875012
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.34万
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财政年份:2001
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负责人:森田 瑞穂
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依托单位:
仮想多層膜形成条件熱酸化による高機能極薄シリコン酸化膜の研究
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批准号:13025230
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$1.47万
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财政年份:2001
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负责人:森田 瑞穂
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依托单位:
シリコン/シリコン酸化膜系ダブルバリヤ構造を用いた共鳴トンネル分光法の研究
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批准号:10875007
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1998
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负责人:森田 瑞穂
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依托单位:
極限集積化デバイスのしきい値支配因子自己収束酸化プロセスの研究
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批准号:09224202
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1997
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负责人:森田 瑞穂
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依托单位:
極限集積化デバイスのしきい値支配因子自己収束プロセスの研究
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批准号:08238202
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1996
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负责人:森田 瑞穂
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依托单位:
極限集積化デバイスのしきい値支配因子自己収束プロセスの研究
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批准号:07248202
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.6万
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财政年份:1995
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负责人:森田 瑞穂
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依托单位:
安定化ジルコニア/シリコン界面酸化によるシリコン酸化膜層の形成
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批准号:60750278
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1985
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负责人:森田 瑞穂
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依托单位:
海外基金