極限集積化デバイスのしきい値支配因子自己収束プロセスの研究

高集成度器件阈值控制因素自收敛过程研究

• 批准号: 07248202
• 负责人: 森田 瑞穂
• 金额: $ 1.6万
• 依托单位: Tohoku University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1995
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1995 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-07248202/
• 关键词: デバイス; プロセス; 酸化膜

しきい値のばらつきが極めて小さい極限集積化デバイスを実現するために、しきい値支配因子が自己収束するゲート酸化膜形成プロセスを開発する目的に対して、極限集積化デバイスを実現するうえで不可欠な極めて薄い酸化膜を形成するプロセスにおいて、酸化速度の酸化時間依存性が飽和型に近い特性を示し、かつ酸化速度の活性化エネルギが実効的に小さくなる酸化条件を明らかにして、この条件で形成された酸化膜の厚さはばらつきが小さく、酸化膜厚さが自己収束することを明らかにしている。酸化膜厚さが自己収束するプロセスを開発する計画に対して、X線光電子分光装置を用いて酸化膜の厚さおよび構造を精密に測定する方法を開発し、シリコンウェハの熱酸化を行い、酸化膜厚さを測定して、酸化時間および温度がゆらいでも酸化膜の厚さが自己収束する条件を明らかにしている。すなわち、酸化速度が酸化種の拡散によって律速されるプロセス条件で熱酸化を行うことにより、酸化時間および温度のゆらぎに対して酸化膜厚さの変動を小さく抑えることができることを明らかにしている。さらに、低い温度で熱酸化を行うことにより酸化膜厚さの酸化時間依存性がより飽和型に近づくことを明らかにしている。また、超清浄酸化により高品質酸化膜を形成する計画に対して、シリコンウェハの精密洗浄によりシリコン表面からパーティクル、金属不純物、有機物不純物を除去したうえで、シリコン表面の水素終端状態、マイクロラフネス、自然酸化膜成長を精密制御した超洗浄雰囲気下でのシリコンの熱酸化により、高性能、高信頼性酸化膜が形成できることを明らかにしている。

The time dependence of acidizing rate on saturation type is shown in the paper. Acidizing conditions for the formation of acidizing film thickness should be specified. Acidizing film thickness should be specified. The thickness of acidified film is measured by X-ray photoelectron spectroscopy. The thickness and structure of acidified film are precisely measured by X-ray photoelectron spectroscopy. The thickness of acidified film is measured by thermal acidification. The conditions for thickness of acidified film are specified. The acidizing speed, the dispersion of acidizing seeds, the temperature, the acidification time, the acidification film thickness, and the temperature of acidizing film are all different. The acidification time dependence of the acidification film thickness at low temperature and low temperature is close to saturation. High quality acidified film formation, ultra-clean acidified film preparation, precision cleaning, surface cleaning, metal impurities, organic impurities removal, surface water terminal state, ultra-clean acidified film growth, precision control, ultra-clean acidified film thermal acidification, high performance, The formation of high reliability acidified film

项目成果

森田 瑞穂、大見 忠弘: "極限集積化デバイスのしきい値支配因子自己収束プロセス" 重点領域研究「知能の極限集積化」特別公開シンポジウム予稿集. (1996)

Mizuho Morita，Tadahiro Omi：“高度集成设备的阈值控制因素自收敛过程”优先领域研究“智能的极端集成”特别公开研讨会论文集（1996）。

Mizuho MORITA and Tadahiro OHMI: "Dopant-Free Channel Transistor with Punchthrough Control under Source and Drain" Japanese Journal of Applied Physics. (1996)

Mizuho MORITA 和 Tadahiro OHMI：“源极和漏极下具有穿通控制的无掺杂沟道晶体管”日本应用物理学杂志。