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光センシング用半導体レーザ

用于光学传感的半导体激光器

基本信息

批准号：
61121003
负责人：
南日康夫
金额：
$ 15.62万
依托单位：
University of Tsukuba
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Special Project Research
财政年份：
1986
资助国家：
日本
起止时间：
1986 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

材料の結晶物性評価の新手法として、走査形ラマン顕微鏡を試作した。これにより、GaP発光ダイオードの動作時のPN接合での温度分布を5μmの分解能で求めることに成功した。また非動作時の熱平衡キヤリア濃度分布もLOバンドの形状の解析から求められることが明らかとなった。これ等の時間応答から、ms程度の動的解析も可能となった。一層の精度向上のためのラマン差スペクトル測定法の提案を行なった。(三石,中島) MBE装置の眞空度を改善し、高品質のGa・AlAsエピタキシアル結晶が得られた。また改良TSC法を考案し、今迄出来なかつた低温での新鮮な欠陥をつかまえることに成功した。今迄は安定だと思われていた一次欠陥が、77K以下で反応している過程を初めて観察した。また表面の欠陥中心の準位を求めること、欠陥のほかく断面積の新しい簡単な測定法を確立した。またミクロ化を進めた時の、表(界)面とバルクの欠陥の影響の解析を進めた。(南日,川辺,長谷川) 面発光レーザを試作し、室温で閾電流6mAを達成した。このレーザでは、閾電流の三倍以上でも安定な単一横モード動作が認められた。面発光レーザの特長である低い強度雑音特性につき理論的考察を行ない、レーザ共振器の構造パラメータ,材料定数,バイアス条件との関係を明らかにした。(伊賀) キャリア注入による屈折率変化を用いた新しいBIG-DBR構造の波長制御分布反射器レーザを試作した。その基本的動作特性として、200mAの制御電流に対して1.2nmの連続波長制御性が得られた。温度に対しては、ジャンプすることになしに0.1nm/Kで変化した。この両者を組合せ、温度変化に対する補償を行ない、6〜46℃の範囲にあって、動作波長が変化しない安定な動作を実現することに成功した。またこの波長制御性の動特性は、700MHZにも充分応答することを確かめた。(末松,荒井)

A new method for evaluating crystalline properties of materials is proposed. The temperature distribution of the GaP junction during operation was successfully calculated by using the decomposition energy of 5μm. The thermal equilibrium and concentration distribution in non-operating state are analyzed. The analysis of the time and the degree of motion of the ms is possible. A new method of measuring the difference between the two layers (Sanshi, Nakajima) The vacuum level of the MBE device has been improved, and high-quality Ga·AlAs ta The improved TSC method has been successfully tested at low temperatures. So far, the stability of the process has not been achieved, and the process of the process below 77K has been initially observed. A new simple method for determining the center of surface defects and the area of surface defects was established. The analysis of the influence of time, surface and boundary on the development of chemical industry. (Minami, Kawabe, Hasegawa) Surface light emission test, room temperature threshold current 6mA achieved. The threshold current is more than three times higher than the threshold current. A theoretical investigation of the characteristics of surface light emission and low intensity sound is carried out. The structure of the resonator is different from that of the material, and the relationship between the conditions and the parameters is clearly stated. (Iga) New BIG-DBR structure for wavelength control The basic operating characteristics of the system are as follows: 200mA control current, 1.2 nm continuous wavelength control. The temperature is 0.1 nm/K. The combination of temperature, temperature and temperature compensation is successful. The wavelength control characteristic of the laser is 700MHz. (Suematsu, Arai)