光センシング用半導体レーザ

用于光学传感的半导体激光器

• 批准号: 63102002
• 负责人: 南日 康夫
• 金额: $ 16.77万
• 依托单位: University of Tsukuba
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Special Project Research
• 财政年份: 1986
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1986 至 1988
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-63102002/
• 关键词: 結晶欠陥とミクロ化; 動的単一モードレーザ; 走査型ミクロラマン顕微鏡; 面発光半導体レーザ; 赤色半導体レーザ; 半導体レーザの非線形効果; 半導体レーザ波長の超高安定化; シリコン基板半導体レーザ

(1)(NH_4)_2S_Xの処理によりGaAs表面の真の安定化に初めて成功し、その機構を明らかにした。またホイスカー構造のミクロレーザの提案を行い、その極限性能のシミュレートと新機能の可能性につき考察を行った。(2)活性および受動の両領域に回折格子を設けた動的単一モードレーザを考案した。その設計理論を確立し、また応用として、回折格子深さに非対称性をもたせたDRレーザを実現し、高い前・後方出力比(50:1)を達成した。(3)走査方ラマン顕微鏡を完成し、GaP発光ダイオード中のキャリアの濃度と移動度の空間分布を75〜300Kの温度範囲で求めることが出来た。またSiのイオン注入層の損傷度およびドーズ量の定量評価、さらにその結晶性の均一度の定性的評価をすることが出来た。(4)(GaAl)As系で共振器長10μm以下の面発光レーザを製作し、室温連続動作を初めて実現し、単一波長性と円形狭出射ビームにつき優れた特性を得た同様な動作が(GaIn)(AsP)系においても期待できる。(5)(GaIn)(AsP)/(AlGa)Asを用い分布帰還型リッジ導波路構造のレーザを試作し、0.6μm帯で初めて縦単一モードでかつ基本横モードのレーザが得られた。発振波長は、671mで12℃で連続動作した。(6)半導体レーザでの非線型効果は、電子・ホール対の双極子振動位相と双極子数のビート振動が関与することを指摘し、利得飽和効果の非対称性と進行波増幅器での4光波混合を統一的に解析した。(7)外部光路を付けた半導体レーザシステムにより同調周波数領域を大幅に拡げた。半導体レーザを用いたエバネッセント分光2光子光ポンピングなどの新しい分光法を開発した。(8)Si上に成長したGaAsのエッチピット密度を、10^5/cm^2台に減少させた。その結晶によるレーザは、130Kで、連続動作した。出力光は偏光し、内部応力がその成因であることを明らかにした。

(1)(NH_4)_2S_X treatment has been successfully applied to the initial stabilization of GaAs surface and the mechanism of GaAs surface. A proposal for the construction of a new structure, a review of the possibility of new functions, and a review of the ultimate performance of the new structure. (2)The active and passive domains are designed to be active and passive. The design theory was established, and the ratio of the front and rear forces (50:1) was achieved. (3)The spatial distribution of the concentration and mobility of the GaP emission in the temperature range of 75 ~ 300K is obtained. The quantitative evaluation of the degree of damage and the qualitative evaluation of the crystallinity of the silicon implanted layer are presented. (4)(GaAl)As system resonator length of 10μm or less surface emission light production, room temperature continuous operation of the initial, single wavelength, narrow emission light characteristics of the same operation (GaIn)(AsP) system in the middle of the expected. (5)(GaIn)(AsP)/(AlGa)As distribution in the middle of the waveguide structure of the test, 0.6μm band at the beginning of the first phase of the first phase of the first phase Vibration wavelength: 671m ~ 12℃ ~ continuous operation. (6)The nonlinear effect of the semiconductor is the electron phase, the dipole number and the gain saturation effect. The nonlinear effect of the semiconductor is the uniform analysis of the four light waves. (7)The external optical path is a semiconductor circuit. A new method of spectroscopy for semiconductor applications has been developed. (8)Si The growth rate of GaAs is reduced by 10^5/cm^2 units. The crystallization temperature is 130K, and the continuous operation is performed. The cause of the polarization of the output light and the internal force