光センシング用半導体レーザ

(1)(NH_4)_2S_Xの処理によりGaAs表面の真の安定化に初めて成功し、その機構を明らかにした。またホイスカー構造のミクロレーザの提案を行い、その極限性能のシミュレートと新機能の可能性につき考察を行った。(2)活性および受動の両領域に回折格子を設けた動的単一モードレーザを考案した。その設計理論を確立し、また応用として、回折格子深さに非対称性をもたせたDRレーザを実現し、高い前・後方出力比(50:1)を達成した。(3)走査方ラマン顕微鏡を完成し、GaP発光ダイオード中のキャリアの濃度と移動度の空間分布を75〜300Kの温度範囲で求めることが出来た。またSiのイオン注入層の損傷度およびドーズ量の定量評価、さらにその結晶性の均一度の定性的評価をすることが出来た。(4)(GaAl)As系で共振器長10μm以下の面発光レーザを製作し、室温連続動作を初めて実現し、単一波長性と円形狭出射ビームにつき優れた特性を得た同様な動作が(GaIn)(AsP)系においても期待できる。(5)(GaIn)(AsP)/(AlGa)Asを用い分布帰還型リッジ導波路構造のレーザを試作し、0.6μm帯で初めて縦単一モードでかつ基本横モードのレーザが得られた。発振波長は、671mで12℃で連続動作した。(6)半導体レーザでの非線型効果は、電子・ホール対の双極子振動位相と双極子数のビート振動が関与することを指摘し、利得飽和効果の非対称性と進行波増幅器での4光波混合を統一的に解析した。(7)外部光路を付けた半導体レーザシステムにより同調周波数領域を大幅に拡げた。半導体レーザを用いたエバネッセント分光2光子光ポンピングなどの新しい分光法を開発した。(8)Si上に成長したGaAsのエッチピット密度を、10^5/cm^2台に減少させた。その結晶によるレーザは、130Kで、連続動作した。出力光は偏光し、内部応力がその成因であることを明らかにした。

(1)(NH_4)_2S_Xの処理によりGaAs表面の真の安定化に初めて成功し、その機構を明らかにした。またホイスカー構造のミクロレーザの提案を行い、その極限性能のシミュレートと新機能の可能性につき考察を行った。(2)活性および受動の両領域に回折格子を設けた動的単一モードレーザを考案した。その設計理論を確立し、また応用として、回折格子深さに非対称性をもたせたDRレーザを実現し、高い前・後方出力比(50:1)を達成した。(3)走査方ラマン顕微鏡を完成し、GaP発光ダイオード中のキャリアの濃度と移動度の空間分布を75〜300Kの温度範囲で求めることが出来た。またSiのイオン注入層の損傷度およびドーズ量の定量評価、さらにその結晶性の均一度の定性的評価をすることが出来た。(4)(GaAl)As系で共振器長10μm以下の面発光レーザを製作し、室温連続動作を初めて実現し、単一波長性と円形狭出射ビームにつき優れた特性を得た同様な動作が(GaIn)(AsP)系においても期待できる。(5)(GaIn)(AsP)/(AlGa)Asを用い分布帰還型リッジ導波路構造のレーザを試作し、0.6μm帯で初めて縦単一モードでかつ基本横モードのレーザが得られた。発振波長は、671mで12℃で連続動作した。(6)半導体レーザでの非線型効果は、電子・ホール対の双極子振動位相と双極子数のビート振動が関与することを指摘し、利得飽和効果の非対称性と進行波増幅器での4光波混合を統一的に解析した。(7)外部光路を付けた半導体レーザシステムにより同調周波数領域を大幅に拡げた。半導体レーザを用いたエバネッセント分光2光子光ポンピングなどの新しい分光法を開発した。(8)Si上に成長したGaAsのエッチピット密度を、10^5/cm^2台に減少させた。その結晶によるレーザは、130Kで、連続動作した。出力光は偏光し、内部応力がその成因であることを明らかにした。