光センシング用半導体レーザ

用于光学传感的半导体激光器

• 批准号: 62111003
• 负责人: 南日 康夫
• 金额: $ 11.33万
• 依托单位: University of Tsukuba
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Special Project Research
• 财政年份: 1986
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1986 至 1987
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-62111003/
• 关键词: 欠陥反応; 分布反射器レーザ; 面発光レーザ; レーザ波長安定化; 可視半導体レーザ; ラマン分光; ミクロレーザ

(A)TSC法の有効性を高め, 従来データの欠除していた低温での捕獲断面積と, その温度依存性を測定した. 今の所10^<-15>cm^<-2>程度の値と, 弱い温度依存性が得られている. 点欠陥の低温での反応は, 試料依存性が非常に強く見られることから, まだ新鮮な一次欠陥ではなく, 反応后の二次欠陥しか観測していない可能性が高い. 表面再結合速度の改善の実験から, 表面準位について今迄有力であった"統一欠陥モデル"の修正が必要なことが示唆された. (B)波長制御レーザの基本となる分布反射器レーザの高性能化のために, 新たに島状メサ加工法という作製プロセスを開発し, 従来の分布反射器レーザを上まわる発振特性と作製再現性を得た. また発振線巾の共振器構造依存性を理論解析により明らかにすると共に, 実際に試作した素子を用いて線巾を測定し, 理論との良好な一致を得, 分布反射器レーザの発振線巾狭化のための構造設計の基礎を明らかにした. (C)縦横共に10μm以下の微小共振器面発光レーザの形成技術を確立した. また良好な単一波長性を確認し, 二次元アレーを実現した. (D)ラマン分光システムで, 波数の精密計測の技術を確立し, 0.1cm^<-1>の精度が得られた. これにより, ZnSe/GaAsエピタキシアル膜の歪を求め, X線解析とよく一致した. GaPのPN接合で, キャリア濃度及び移動度の空間分布が得られることを実証した. キャリア濃度の検出限界は, 2〜3×10^<16>cm^<-3>であった. (E)分布帰還型構造により, 0.6μm帯の半導体レーザの縦モード制御を行ない, 室温でのレーザ発振に成功した. 発振波長は, 室温で660nm, しきい値の1.25倍までの電流範囲及び, 22から-24°Cの温度範囲で, 安定な縦モード発振が得られた. 発振波長の温度変化率は, 0.04nm/degであって, 通常のレーザの1/4となり, 高安定性が得られた. リソジ導波路構造レーザを試作し, しきい値の3倍まで, 基本モードを得た.

(a) the TSC method is highly sensitive, and it is necessary to eliminate the temperature dependence of temperature. Today, the 10 ^ & lt;-15> cm ^ & lt;-2> level is very high, and the weak temperature dependence is high. The temperature is low, the material dependence is very strong, the first time is low, and the second time is high. The surface recombination speed is very important to improve the performance of the system, and the surface alignment is still very effective. (B) the wave length controls the basic parameters of the distributed reflectors, the high performance of the reflectors, the new processing method of the distributed reflectors, and the performance of the vibration characteristics of the distributed reflectors. The analysis of the theory of dependence on the construction of vibrating towels, the analysis of the theory of dependence, the analysis of the theory of the resonator, the analysis of the theory of the resonator, the (C) the light intensity of the micro resonator surface is less than 10 μ m. The first wave is confirmed to be good, and the second dimension is not available. (d) the precision of the spectrometer is accurate, the wavenumber is accurate, and the accuracy of 0.1 cm ^ & lt;-1> is accurate. The film is distorted, and the X-ray analysis is consistent with the accuracy of the film, which is different from that of ZnSe/GaAs. GaP and PN joints, temperature and mobility, and space distribution are highly sensitive. The limit is out of bounds, 2 × 3 × 10 ^ & lt;16> cm ^ & lt;-3> is out of bounds. (e) the distribution type is built with a temperature of 0.6 μ m and a temperature of 0.6 μ m. The temperature at room temperature is high. Shock wave length, room temperature 660nm, ambient temperature 1.25x ambient current range and ambient temperature range, 22 ℃-24 °C temperature range. The temperature susceptibility of vibration wave length and temperature is high, 0.04nm/deg temperature is low, usually the temperature is about 1