课题基金 / 基金详情

超薄膜の微視的構造と安定性に関する計算機シミュレーション

超薄膜の微視的構造と安定性に関する計算機シミュレーション
超薄膜微观结构和稳定性的计算机模拟
批准号:
62550009
负责人:
名取 晃子
金额:
$0.0万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份:
1987
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1987 至 --

项目摘要

项目成果

名取 晃子的其他基金

相似基金

相关文献

中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
1.格子ガスモデルを用い, 3種の原子過程(吸着, 拡散, 蒸発)を考慮した薄膜成長の, 計算機シミュレーションのプログラムの作製を行う. 蒸着測度, 基板温度T, 蒸着原子間相互作用Eb, 蒸着原子-基板原子間相互作用Eaを成長条件のパラメタとし, 微視的膜構造に対する依存性を解析する.(1)蒸着測度が拡散測度に比べ速過ぎる場合は, 膜構造は荒れる.(2)基板温度R_BTがEbに比べ高過ぎる場合は, 膜構造は荒れる.(3)(1), (2)でない場合, EaZEb出層モード, Eb>Eaで島モードの凝集膜構造を取る.(4)蒸発過程を考慮すると, 単原子濃度は減少し, 臨界核のサイズは増加する.2.冷たい基板上に積らせた薄膜のアニーリングの計算機シミュレーションを, Metropolis法により行う. 格子ガスモデルを用い, 蒸着原子のhoppingによる緩和のみを考慮する.(1)Ea/k_BT, Eb/k_BT-面内で, 膜構造は, 層モード, 島モード, 荒れた膜の3つの領域に大別される.(2)島モードにおける凝集は, アニーリング時間と共に進行し, 島の平均サイズは, 試料のサイズによって決まる大きさ迄成長する.(3)島の成長機構は, 基板上への島からの単原子蒸発と他の島への捕獲と, 質の拡散による合体の, 2種の共存で起こる.
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
ナノスケールSiO2/Si界面の局所誘電特性に及ぼす欠陥の影響
  • 批准号:
    20035005
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额:
    $2.5万
  • 财政年份:
    2008
  • 负责人:
    名取 晃子
  • 依托单位:
ナノスケールSiO2/Si界面の電子状態と局所誘電特性に及ぼす欠陥の影響
  • 批准号:
    19026004
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额:
    $1.34万
  • 财政年份:
    2007
  • 负责人:
    名取 晃子
  • 依托单位:
半導体ヘテロ界面の異方的量子ドットの多電子束縛状態とトンネル速度と磁場効果
  • 批准号:
    10127212
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
  • 资助金额:
    $0.64万
  • 财政年份:
    1996
  • 负责人:
    名取 晃子
  • 依托单位:
半導体ヘテロ界面の異方的量子ドットの多電子束縛状態とトンネル速度と磁場効果
  • 批准号:
    08247209
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额:
    $0.96万
  • 财政年份:
    1996
  • 负责人:
    名取 晃子
  • 依托单位:
海外基金