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Si(111)微斜面ステップ構造相転移の研究

Si(111)微斜面ステップ構造相転移の研究
Si(111)邻位台阶结构的相变研究
批准号：
03650007
负责人：
名取 晃子
金额：
$0.38万
依托单位：
The University of Electro-Communications
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份：
1991
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1991 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-03650007/
关键词：
ステップバンチングSi(111)微斜面TSKモデル7×7構造相転移ステップ

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Si(111)微斜面での7×7再構成に起因した、等間隔ステップ配置とステップバンチング構造間の相転移機構を調べた。正方格子のTSK(terrace step kink)モデルを用いて、モンテカルロ シミュレ-ションを行なった。ステップ端でのボンド切断エネルギ-εとn×1表面再構成に伴うエネルギ-利得工を考慮し、温度Tでの平衡ステップ配置と平均ステップ間隔との相関を調べた。再構成温度Tcより高温側(I=0)では各テラス面は等価であるのに対し、Tcより低温側(I>0)では、微斜面は量子化された広いテラス面とステップバンチング領域より構成されている。以上の結果は、1992年春の物理学会で発表する予定である。現在、ステップ構造の微斜角依存性、温度依存性の解析中である。更に、より現実に即した系へとモデルの拡張を行なっている。
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ナノスケールSiO2/Si界面の局所誘電特性に及ぼす欠陥の影響
  • 批准号：
    20035005
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $2.5万
  • 财政年份：
    2008
  • 负责人：
    名取 晃子
  • 依托单位：
    The University of Electro-Communications
ナノスケールSiO2/Si界面の電子状態と局所誘電特性に及ぼす欠陥の影響
  • 批准号：
    19026004
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $1.34万
  • 财政年份：
    2007
  • 负责人：
    名取 晃子
  • 依托单位：
    The University of Electro-Communications
半導体ヘテロ界面の異方的量子ドットの多電子束縛状態とトンネル速度と磁場効果
  • 批准号：
    10127212
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
  • 资助金额：
    $0.64万
  • 财政年份：
    1996
  • 负责人：
    名取 晃子
  • 依托单位：
    The University of Electro-Communications
半導体ヘテロ界面の異方的量子ドットの多電子束縛状態とトンネル速度と磁場効果
  • 批准号：
    08247209
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $0.96万
  • 财政年份：
    1996
  • 负责人：
    名取 晃子
  • 依托单位：
    The University of Electro-Communications