ナノスケールSiO2/Si界面の局所誘電特性に及ぼす欠陥の影響

缺陷对纳米SiO2/Si界面局部介电性能的影响

• 批准号: 20035005
• 负责人: 名取 晃子
• 金额: $ 2.5万
• 依托单位: The University of Electro-Communications
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2009
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-20035005/
• 关键词: 局所誘電特性; 表面・界面; 欠陥; 計算物理学; high-k膜; GeO2

電界印加下の密度汎関数基底状態計算(B. Meyer et al., Phys. Rev. B 63(2001)205426)を用いて電界誘起電荷密度を求め、ガウス分布フィルターを用いて粗視化を行う。粗視化された電界誘起電荷観密度を用いてガウス則より粗視化された局所内部電界を評価し、電束密度連続の式より局所誘電率の3次元空間分布を求める定式化とプログラム開発を行った。SiO2超薄膜と理想的なSiO2/Si(001)界面に酸素欠損を導入し、電子分極による光学誘電率、電子分極と格子分極による静的誘電率の3次元空間分布を調べた。欠陥近傍での光学誘電率の空間変化は小さいが、静的誘電率は欠陥近傍で増大することを見出した。さらに、HfO2、La2O3等のイオン性の強いhigh-k超薄膜の誘電特性、Ge-MOSの酸化膜として期待されるGeO2超薄膜、GeO2/Ge(001)界面の局所誘電特性の計算を行った。GeO2酸化膜では、結晶構造の異なるquartz構造とrutile構造の2種類の薄膜を調べた。quartz構造薄膜は共有結合性が強く、quartz構造SiO2膜と類似の誘電特性を示す。イオン結合性の強いrutile構造薄膜はquartz構造より大きな静的誘電率を持ち、酸素欠損近傍での静的誘電率はさらに増大することを示した。HfO2超薄膜の誘電特性の計算は論文にまとめ、J. Vac. Sci. Technol. Bに掲載された。GeO2超薄膜、GeO2/Ge(001)界面の局所誘電特性の研究成果は、"37^<th> Conf. on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces"で発表され、現在、論文を執筆中である。

Base state calculation of density balance under electronic Inca (B. Meyer et al., Phys. Rev. B 63 (2001) 205426) the electronic industry is used to calculate the load density and to distribute the load. To calculate the spatial distribution of the third-order space distribution of the electricity rate in the internal electrical industry and the beam density link between the local office and the local office, the calculation of the spatial distribution of the third-order space distribution is based on the calculation of the three-dimensional space distribution of the internal electrical industry and the beam density link in the local office. SiO2 ultrathin film is ideal for the third-order space distribution of SiO2/Si (001) interface, such as the input of acid elements at the interface, the electrical efficiency of electrons, and the third-order spatial distribution of electrons, electrons and electrons. Due to the lack of near-temperature optical power transmission, space heating, low-voltage and static power consumption, the optical transmission rate is lower than that of the near-temperature optical power system. The properties of high-k ultrathin films, such as high-k, HfO2, and La2O3, are enhanced, and the properties of GeO2 ultrathin films and the interface of GeO2 (001) are calculated. The GeO2 acidizing film is used to prepare the thin film, the quartz is used to make the rutile film and the thin film is made. Quartz thin film has a common bonding strength, quartz SiO2 film is similar to the characteristics of the device. The combination of rutile thin film and quartz thin film is very important for the production of high-temperature electrical energy, which is not suitable for the production of high-temperature thin films. The properties of HfO2 ultrathin films are calculated and analyzed in this paper, J. Vac. Sci. Technol. B, I don't know. GeO2 ultrathin film, GeO2/Ge (001) interface research results, "37 ^ < th > Conf. On the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces" performance table, now, in the process of implementation.

项目成果

Band bending effects on scanning tunneling microscope images of subsurface dopants

能带弯曲对次表面掺杂剂扫描隧道显微镜图像的影响

• 发表时间: 2009
• 期刊: J.Appl.Phys. 105
• 作者: M.Hirayama;J.Nakamura;A.Natori
• 通讯作者: A.Natori

Dielectric constant profiles of the thin-films : Alpha- and Beta-quartz phase of(Si or Ge)dioxide

薄膜的介电常数分布：（Si 或 Ge）二氧化物的 α 和 β 石英相

• 发表时间: 2009
• 作者: 中村淳;涌井貞一;田村雅大;名取晃子
• 通讯作者: 名取晃子

La2O3(0001)超薄膜の誘電特性

La2O3(0001)超薄膜的介电性能

• 发表时间: 2008
• 作者: 谷内良亮;中村淳;名取晃子
• 通讯作者: 名取晃子

Anomalous enhancement of the local dielectric constant near defects in SiO2

SiO2缺陷附近局部介电常数的异常增强

• 发表时间: 2008
• 作者: J. Nakamura;A. Natori;涌井貞一;谷内良亮;田村雅大;田村雅大;谷内良亮;涌井貞一;J. Nakamura;J.Nakamura;J.Nakamura;S. Wakui;K. Sato;R. Yanai;J. Nakamura;J. Nakamura;M. Wakui
• 通讯作者: M. Wakui

HfO2超薄膜の局所誘電率プロファイル

HfO2 超薄膜的局部介电常数分布

• 发表时间: 2008
• 作者: 涌井貞一;中村淳;名取晃子
• 通讯作者: 名取晃子