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結晶性弗化物の界面活性化堆積によるGaAs系素子パッシベーションの基礎研究

結晶性弗化物の界面活性化堆積によるGaAs系素子パッシベーションの基礎研究
氟化物界面活化沉积钝化GaAs基器件的基础研究
批准号：
62750253
负责人：
筒井 一生
金额：
$0.64万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1987
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1987 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-62750253/
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電子線位置制御による高密度極微電極島の自然形成
  • 批准号：
    10127211
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
  • 资助金额：
    $0.96万
  • 财政年份：
    1998
  • 负责人：
    筒井 一生
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
電子線位置制御による高密度極微電極島の自然形成
  • 批准号：
    09233212
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $1.09万
  • 财政年份：
    1997
  • 负责人：
    筒井 一生
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
n型伝導フッ化カドミウムの分子線エピタキシャル成長の研究
  • 批准号：
    08650371
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 资助金额：
    $1.28万
  • 财政年份：
    1996
  • 负责人：
    筒井 一生
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
エピタキシャル弗化物による超微細加工技術の研究
  • 批准号：
    08217205
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $0.83万
  • 财政年份：
    1996
  • 负责人：
    筒井 一生
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology