エピタキシャル弗化物による超微細加工技術の研究

氟化物外延超微加工技术研究

• 批准号: 08217205
• 负责人: 筒井 一生
• 金额: $ 0.83万
• 依托单位: Tokyo Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1996
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1996 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-08217205/
• 关键词: 弗化物; 電子ビーム; 微細加工; 自然形成; ガリウム; 量子ドット

エピタキシャル弗化物薄膜の性質を利用した新しい超微細加工技術について検討した。今年度は、弗化カルシウム(CaF_2)薄膜の表面を集束電子ビームで局所的に表面改質してから分子線エピタキシ-環境でガリウム(Ga)を堆積し、改質領域の中心位置に凝集させてドロップレットを形成する方法において、2次元的なアレイ構造を形成し、ドロップレット間の間隔を狭めて高密度化を図ることを中心に進めた。その結果、ビーム径が約40nmの集束ビームを用いた場合、最小間隔80nmまでドロップレット形成の位置制御が達成された。また、等間隔のアレイ状に位置制御することによりドロップレット寸法の揺らぎも低減できることを明らかにした。一方、改質表面における電子ビームのド-ズ量とGaの付着係数の関係から見積もられるGa付着に対する表面ポテンシャルのモデルの検討を進め、位置制御できる最小間隔がCaF_2表面での実効的なビーム径と同程度であることを示した。また、このような改質を行わない自然のCaF_2表面上でのGaドロップレット形成状態についても検討を行った。その結果,Gaの堆積温度を300℃以下に低減すると、ドロップレットがCaF_2表面のシングルステップ上に間隔10nm程度で高密度に1次元的に配列することを見いだした。さらに、このようにして形成されたGaドロップレットに、砒素(As_4)の分子線を供給する方法で、このドロップレットの組成がGaからGaAsのストイキオメトリーに一致する組成に変化することを特性X線分析で明らかにし、GaドロップレットがGaAsの微結晶体に変化したことが示唆された。以上から、弗化物表面に自然形成的に形成されるGaドロップレットを対象に、電子ビームを用いて2次元的に規則配列させる技術と、自然の表面ステップ構造に高密度1次元配列させる技術を開発し、さらに、これから半導体のGaAs量子箱を形成できる可能性も示し、量子効果デバイスの新しいプロセス技術として有用と結論した。

Youdaoplaceholder0 に properties of the molten film <s:1> を Utilize the new ultrafine processing technology of <s:1> た <s:1> に て検 て検 て検 て検 to explore <s:1> た. Our は, eph カ ル シ ウ ム (CaF_2) thin film surface を の cluster electronic ビ ー ム で bureau に surface modification し て か ら molecular line エ ピ タ キ シ - environment で ガ リ ウ ム を accumulation し (Ga), modified の center に agglutination さ せ て ド ロ ッ プ レ ッ ト を form す る method に お い て, 2 yuan な ア レ し, ド を イ structure formation Youdaoplaceholder0 interval <s:1> spacing を narrow めて high-density を graph る とを とを center に enter めた. そ の results, ビ ー が ム size about 40 nm の cluster ビ ー ム を with い た occasions, minimum interval of 80 - nm ま で ド ロ ッ プ レ ッ ト form の position suppression が reached さ れ た. ま た, such as interval の ア レ イ shape に position suppression す る こ と に よ り ド ロ ッ プ レ ッ ト inch method の 揺 ら ぎ も low cut で き る こ と を Ming ら か に し た. One party, the modified surface に お け る electronic ビ ー ム の ド - ズ と Ga の pay the amount of coefficient の masato is か ら see product も ら れ る Ga with に す seaborne る surface ポ テ ン シ ャ ル の モ デ ル の beg を 検 into め, location suppression で き る minimum interval が CaF_2 surface で の be sharper な ビ ー と ム diameter with degree で あ る こ と を shown し た. ま た, こ の よ う な modified line を わ な い natural の CaF_2 surface で の Ga ド ロ ッ プ レ ッ ト form state に つ い て も 検 line for を っ た. そ の as a result, the Ga を の accumulation temperature below 300 ℃ に low cut す る と, ド ロ ッ プ レ ッ ト が CaF_2 surface の シ ン グ ル ス テ ッ プ に on degree of interval of 10 nm で high-density に 1 yuan に match column す る こ と を see い だ し た. さ ら に, こ の よ う に し て form さ れ た Ga ド ロ ッ プ レ ッ ト に, arsenic element (As_4) の molecular wires を supply す で る method, こ の ド ロ ッ プ レ ッ ト の composition が Ga か ら GaAs の ス ト イ キ オ メ ト リ ー に consistent す る composition に variations change す る こ と を characteristic X-ray analysis ら で か に し, Ga ド ロ ッ プ レ ッ ト が the GaA The に transformation of s ^ n microcrystals, た た とが, とが indicates された. Above か ら, eph に natural に formation on the surface of compound さ れ る Ga ド ロ ッ プ レ ッ ト を like に seaborne, electronic ビ ー ム を with い て 2 dimensional に rules with column さ せ と る technology, natural の surface ス テ ッ プ tectonic に high density 1 tselischeva column さ せ る technology を open 発 し, さ ら に, こ れ か ら の semiconductor GaAs quantum box を form で き も る possibilities Show that the <s:1> and quantum effects are デバ ス ス ス と the new <s:1> プロセス プロセス technology と て て is useful と conclusion た た.

项目成果

K.Tsutsui,K.Uejima and K.Kawasaki: "Site control of metal dot structures on fluoride surface by electron beam exposure" Physica B. 227. 303-306 (1996)

K.Tsutsui、K.Uejima 和 K.Kawasaki：“通过电子束曝光对氟化物表面上的金属点结构进行位点控制”Physica B. 227. 303-306 (1996)

K.Tsutsui,K.Uejima and K.Kawasaki: "Fabrication of site-controled metal dot array by electron beam surface modification" Microelectronic Engineering. (出版予定). (1997)

K. Tsutsui、K. Uejima 和 K. Kawasaki：“通过电子束表面修饰制造位点控制的金属点阵列”微电子工程（即将出版）。

K.Kawasaki,K.Uejima and K.Tsutsui: "Site control of Ga droplet array on CaF_2 by surface Modification using a focused electrom beam" Jpn.J.Applied Physics. 35・12B. 6689-6695 (1996)

K. Kawasaki、K. Uejima 和 K. Tsutsui：“使用聚焦电子束进行表面改性对 CaF_2 上 Ga 液滴阵列的位点控制”Jpn.J.Applied Chemistry 35・12B 6689-6695。

K.Kawasaki,K.Uejima and K.Tsutsui: "Site conrol of metal droplet formation on CaF_2 surface using a focused electron beam" Jpn.J.Applied Physics. 34・12B. 6846-6852 (1995)

K. Kawasaki、K. Uejima 和 K. Tsutsui：“使用聚焦电子束在 CaF_2 表面上形成金属液滴的位点控制”Jpn.J.Applied Chemistry 34・12B 6846-6852 (1995)。

K.Uejima,J.Takeshita,K.Kawasaki and K.Tsutui: "Artificial control of dot site of Ga droplet array on CaF_2 film by surfaca steps and electron beam modification" Jpn.J.Applied Physics. 36・(出版予定). (1997)

K.Uejima、J.Takeshita、K.Kawasaki 和 K.Tsutui：“通过表面步骤和电子束修改对 CaF_2 薄膜上 Ga 液滴阵列的点位置进行人工控制”Jpn.J.Applied Chemistry 36 ・（待出版） ）（1997）