電子ビーム直接描画選択成長法によるGaAs量子細線の製作

电子束直写选择性生长法制备砷化镓量子线

基本信息

  • 批准号:
    01750256
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 0.58万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 财政年份:
    1989
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1989 至 无数据
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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知道了