原子・分子系の配列制御とそのニュ-ロ機能への展開
原子・分子系の配列制御とそのニュ-ロ機能への展開
批准号:
01306013
负责人:
菅野 卓雄
金额:
$1.41万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Co-operative Research (B)
财政年份:
1989
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1989 至 --
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1.研究連絡会議の開催第1回を平成元年7月23日京都において開催し、主として、ニュ-ロ機能への展開を目指して下記の題目につき研究討論を行った。(1)神経回路モデルとそのハ-ド・ウェア化への期待、(2)光ニュ-ロ・コンピュ-タシステムとデバイス技術、(3)ニュ-ラル・ネットワ-クのセンサ応用と今後の期待、(4)光・光双安定デバイス、(5)外部能動素子による強誘電性液晶EC素子のメモリ-制御、(6)全反射X線法による有機超薄膜の分子配向評価第2回を平成元年11月30日東京において開催し、主として、配列制御の問題につき研究・討論を行った。(1)吸着ヘテロLBの構造制御と負性光電持性、(2)ポリイミドLB膜による液晶分子配向と強誘電性液晶、(3)STMによる有機超伝導体表面の観察、(4)生体における化学物質の認識機構と人工膜センサ-への応用、(5)2つの量子効果を結合した光双安定素子(BOND)、(6)量子箱構造の導入による半導体レ-ザの高性能化の可能性第3回を平成2年1月9日京都において開催し、薄膜形成技術に視点をおいて討論を行った。(1)高機能分子構造制御のためのプラズマプロセス、(2)電界下真空蒸着法により作製した有機超薄膜の構造と電気物性、(3)有機・無機系複合膜における超格子構造の作製とその評価、(4)シリコン上のアルミニウムの原子配列制御とその観測、(5)平成3年度 重点領域研究の申請について第4回は平成2年2月7日東京において開催し、重点領域研究申請の打ち合せを行った。2.講演会・シンポジウムの開催平成元年4月1日 千葉大学において「有機非線形光学材料と素子化技術の展望」、平成元年9月27日 福岡工業大学において「スメクテイック液晶の層構造と物性」を開催。
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Kenji Nakaya,Bai Ying Zhang,Masaaki Yoshida,Isao Isa,Shukoh Shindo, Shunsuke Kobayashi: "Electrooptic Bistability of Ferroelectric Liquid Crystal Device Prepared Using Charge Transfer Complex-Doped Polyimide Orientation Films" Japanese Journal of Applied
Kenji Nakaya、Bai Yoshida、Masaaki Yoshida、Isao Isa、Shukoh Shindo、Shunsuke Kobayashi:“使用电荷转移复合掺杂聚酰亚胺取向膜制备的铁电液晶器件的电光双稳态”日本应用杂志
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
H.Kato,M.Tawata,Shinzo Morita,S.Hattori: "Dry Formation of Fatty Acid Crystallized Thin Film and Application As an Electron Beam Resist" Thin Solid Films. 179(1). (1989)
H.Kato,M.Tawata,Shinzo Morita,S.Hattori:“脂肪酸结晶薄膜的干法形成及其作为电子束抗蚀剂的应用”固体薄膜。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Choichiro Okazaki,Shigekazu Kuniyoshi,Kazuhiro Kudo,Kuniaki Tanaka: "Optical and Electrical Properties of Selectively Adsorbed Langumuir-Blodgett Films" Thin Solid Films. 179. 503-507 (1989)
Choichiro Okazaki、Shigekazu Kuniyoshi、Kazuhiro Kudo、Kuniaki Tanaka:“选择性吸附 Langumuir-Blodgett 薄膜的光学和电学特性”固体薄膜。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Mitsumasa Iwamoto,Tohru Kubota,Matsuo Sekine: "Electrical properties of polyimide Langmuir-Blodgett films sandwiched between superconducting electrodes:detection of microwaves" Thin Solid Films. 180. 185-192 (1989)
Mitsumasa Iwamoto、Tohru Kubota、Matsuo Sekine:“夹在超导电极之间的聚酰亚胺 Langmuir-Blodgett 薄膜的电特性:微波检测”固体薄膜。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Isao Yamada: "Growth Processes of Epitaxial Metal Films on Semiconductor and Insulator Substrates by Ionized Cluster Bean" Applied Surface Science. 43. 23-31 (1989)
Isao Yamada:“通过电离簇豆在半导体和绝缘体基板上外延金属薄膜的生长过程”应用表面科学。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
共 6 条
クーロン・ブロッケードを利用したナノパワー超高速エレクトロニクスの研究
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批准号:05302035
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项目类别:Grant-in-Aid for Co-operative Research (A)
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资助金额:$3.07万
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财政年份:1993
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负责人:菅野 卓雄
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依托单位:
高温超伝導材料の集積回路への応用の研究
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批准号:03210210
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$4.8万
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财政年份:1991
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负责人:菅野 卓雄
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依托单位:
高温超伝導材料の集積回路への応用の研究
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批准号:02226210
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$6.34万
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财政年份:1990
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负责人:菅野 卓雄
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依托单位:
高温超伝導材料の集積回路への応用の研究
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批准号:01644508
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$6.53万
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财政年份:1989
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负责人:菅野 卓雄
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依托单位:
ブリッジ型ジョセフソン接合素子を用いた新しいデイジタル集積回路の研究
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批准号:57060001
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项目类别:Grant-in-Aid for Specially Promoted Research
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资助金额:$181.76万
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财政年份:1982
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负责人:菅野 卓雄
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依托单位:
極微複合ジョセフソン接合における量子力学的干渉効果の研究
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批准号:57217012
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$3.58万
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财政年份:1982
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负责人:菅野 卓雄
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依托单位:
固体中の捕獲中心を用いたエネルギーの貯蔵変換方式
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批准号:56045032
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项目类别:Grant-in-Aid for Energy Research
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资助金额:$1.79万
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财政年份:1981
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负责人:菅野 卓雄
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依托单位:
ジョセフソン接合素子を用いた超高速ディジタル素子の研究
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批准号:56103005
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$9.47万
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财政年份:1981
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负责人:菅野 卓雄
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依托单位:
固体中の捕獲中心を用いたエネルギーの貯蔵変換方式
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批准号:X00024----505524
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项目类别:Grant-in-Aid for Energy Research
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1980
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负责人:菅野 卓雄
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依托单位:
半導体集積回路用省エネルギー低温・ドライプロセスの研究
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批准号:X00070----542035
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (A)
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资助金额:$14.34万
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财政年份:1980
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负责人:菅野 卓雄
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依托单位:
イオンビーム・リソグラフィの開発に関する基礎研究
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批准号:X00120----585098
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项目类别:Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
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资助金额:$3.46万
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财政年份:1980
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负责人:菅野 卓雄
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依托单位:
ジョセフソン接合素子を用いた超高速ディジタル素子の研究
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批准号:X00040----510704
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$5.12万
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财政年份:1980
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负责人:菅野 卓雄
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依托单位:
ジョセフソン接合素子を用いた超高速ディジタル素子の研究
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批准号:X00040----421603
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$15.3万
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财政年份:1979
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负责人:菅野 卓雄
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依托单位:
熱中性子により核変換された半導体のレーザ・アニーリングによるs-i構造の試作
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批准号:X00120----485001
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项目类别:Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
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资助金额:$6.4万
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财政年份:1979
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负责人:菅野 卓雄
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依托单位:
MOS界面構造欠陥測定用X線マイクロスコピィ
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批准号:X00120----385101
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项目类别:Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
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资助金额:$2.88万
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财政年份:1978
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负责人:菅野 卓雄
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依托单位:
半導体集積回路プロセスに対するプラズマの応用
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批准号:X00050----335012
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项目类别:Grant-in-Aid for Co-operative Research (A)
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资助金额:$4.35万
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财政年份:1978
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负责人:菅野 卓雄
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依托单位:
マイクロブリッジ型ジョセフソン接合集積回路の研究
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批准号:X00080----246090
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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资助金额:$5.5万
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财政年份:1977
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负责人:菅野 卓雄
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依托单位:
プラズマ酸化及びエピタキシー法による化合物半導体素子の表面不活性化
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批准号:X00040----220308
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$6.78万
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财政年份:1977
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负责人:菅野 卓雄
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依托单位:
プラズマ酸化及びエピタキシー法による化合物半導体素子の表面不活性化
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批准号:X00040----121112
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$6.72万
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财政年份:1976
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负责人:菅野 卓雄
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依托单位:
プラズマ酸化及びエピタキシー法による化合物半導体素子の表面不活性化
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批准号:X00040----021805
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$4.48万
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财政年份:1975
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负责人:菅野 卓雄
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依托单位: