高温超伝導材料の集積回路への応用の研究

高温超导材料在集成电路中的应用研究

基本信息

  • 批准号:
    01644508
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 6.53万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 财政年份:
    1989
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1989 至 无数据
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

1.酸化物超伝導体薄膜の形成の研究表面モホロジの優れたBi,Sr,Ca,Cu,O系の伝導薄膜を低温で堆積するために有機金属化学気相堆積装置を組立てた。有機金属原料としは、Bi(Ph)_3,Sr(DPM)_2,Ca(DPM)_2,Cu(DPM)_2(DPM:dipivaloylmethanato)を用いており、リアクタはホットウォ-ル型である。バルブの切り換えにより、常圧または減圧雰囲気での成膜が可能となっている。また、ガス供給ラインは4つの加熱ゾ-ンに分かれており、ゾ-ンA、Bで十分に予備加熱を行ったキャリアガスを、ゾ-ンCのバブラに導入して原料のバブリングを行い、得られた原料ガスを、再凝固を防止するためにバブリング温度よりも30℃程度高く温度設定したゾ-ンDを通してリアクタに導いてる。TGのデ-タを基に、バブラを蒸発温度の高いものから順にリアクタまでのガスラインの長さが短くなるように配置し、Sr,Ca,Bi,Cuとした。また、ガスラインの熱シ-ルドを向上させ、リアクタへの輸送中の原料ガスの損失を低減した。2.酸化物超伝導体薄膜の特性評価の研究スパッタリングにより作成したYBa Cu O系超伝導薄膜の評価を行った。アニ-ル温度を94.0℃〜98.0℃の範囲で変化させ、表面モフォロジ-の変化をSEM観察した。980℃、60分のアニ-ルでは、表面の平担化と結晶粒の良好な接触が見られ、Tc endが77.4K、遷移幅が1.7Kのシャ-プな超伝導特性を実現することができた。また、膜厚が〜200nmと薄い薄膜でも、同様な方法によりTc endが80.2K、遷移幅が1.9Kの超伝導特性を実現できるようになった。
1. Research on the formation of acid compound superconductor thin films. Surface deposition of Bi, Sr, Ca, Cu, and O-based conductive thin films at low temperature. Organometallic chemical phase deposition device. Organic metal raw materials: Bi(Ph)_3, Sr(DPM)_2, Ca(DPM)_2, Cu(DPM)_2 (DPM: dipivaloylmethanato) いており、リアクタはホットウォ-ルtype である.バルブのり Changing えにより, constant pressure または reduced pressure atmosphere 囲気 でのfilm forming が となっている.また、ガスSupplyラインは4つのheatingゾ-ンに分かれており、ゾ-ンA、Bで十Separate pre-heated を line ったキャリアガスを, ゾ-ンC のバブラに imported して raw material のバブリングを行い, られたraw material ガスを, re-solidification をprevention するためにバブリング temperature The temperature is set to 30°C and the temperature is set to 30°C. TGのデ-タをbasedに、バブラを热発temperatureの高いものから顺にリアクタまでのガスラインの长さが小くなるようにconfigurationし、Sr,Ca,Bi,Cuとした.また、ガスラインの热シ-ルドを上させ、リアクタへの During the transportation, the loss of raw materials ガスのを下注した. 2. Research on the characteristics of acid compound superconductor thin films. Evaluation of YBa Cu O series superconducting thin films based on the results of the research. The temperature of the アニ-ル is 94.0℃~98.0℃. 980℃, 60 minutes of のアニ-ルでは, smooth surface and good contact between crystal grains, Tc The end is 77.4K and the migration width is 1.7K.また, the film thickness is が~200nm, the thin film is でも, the same method is によりTc end が80.2K, the migration width is 1.9K, the superconducting characteristics are できるようになった.

项目成果

期刊论文数量(2)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
菅野卓雄: "狭ギャップスパッタリングを用いたBa-Y-Cu-O酸化物跡伝導逃膜の作製" 電気学会論文誌C. 109. 769-776 (1989)
Takuo Kanno:“使用窄间隙溅射制备 Ba-Y-Cu-O 氧化物微量导电逃逸膜”,日本电气工程师学会会刊 C. 109. 769-776 (1989)
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