高温超伝導材料の集積回路への応用の研究
高温超伝導材料の集積回路への応用の研究
批准号:
01644508
负责人:
菅野 卓雄
金额:
$6.53万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
1989
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1989 至 --
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英文摘要
1.酸化物超伝導体薄膜の形成の研究表面モホロジの優れたBi,Sr,Ca,Cu,O系の伝導薄膜を低温で堆積するために有機金属化学気相堆積装置を組立てた。有機金属原料としは、Bi(Ph)_3,Sr(DPM)_2,Ca(DPM)_2,Cu(DPM)_2(DPM:dipivaloylmethanato)を用いており、リアクタはホットウォ-ル型である。バルブの切り換えにより、常圧または減圧雰囲気での成膜が可能となっている。また、ガス供給ラインは4つの加熱ゾ-ンに分かれており、ゾ-ンA、Bで十分に予備加熱を行ったキャリアガスを、ゾ-ンCのバブラに導入して原料のバブリングを行い、得られた原料ガスを、再凝固を防止するためにバブリング温度よりも30℃程度高く温度設定したゾ-ンDを通してリアクタに導いてる。TGのデ-タを基に、バブラを蒸発温度の高いものから順にリアクタまでのガスラインの長さが短くなるように配置し、Sr,Ca,Bi,Cuとした。また、ガスラインの熱シ-ルドを向上させ、リアクタへの輸送中の原料ガスの損失を低減した。2.酸化物超伝導体薄膜の特性評価の研究スパッタリングにより作成したYBa Cu O系超伝導薄膜の評価を行った。アニ-ル温度を94.0℃〜98.0℃の範囲で変化させ、表面モフォロジ-の変化をSEM観察した。980℃、60分のアニ-ルでは、表面の平担化と結晶粒の良好な接触が見られ、Tc endが77.4K、遷移幅が1.7Kのシャ-プな超伝導特性を実現することができた。また、膜厚が〜200nmと薄い薄膜でも、同様な方法によりTc endが80.2K、遷移幅が1.9Kの超伝導特性を実現できるようになった。
期刊论文(2)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
菅野卓雄: "狭ギャップスパッタリングを用いたBa-Y-Cu-O酸化物跡伝導逃膜の作製" 電気学会論文誌C. 109. 769-776 (1989)
Takuo Kanno:“使用窄间隙溅射制备 Ba-Y-Cu-O 氧化物微量导电逃逸膜”,日本电气工程师学会会刊 C. 109. 769-776 (1989)
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
クーロン・ブロッケードを利用したナノパワー超高速エレクトロニクスの研究
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批准号:05302035
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项目类别:Grant-in-Aid for Co-operative Research (A)
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资助金额:$3.07万
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财政年份:1993
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负责人:菅野 卓雄
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依托单位:
高温超伝導材料の集積回路への応用の研究
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批准号:03210210
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$4.8万
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财政年份:1991
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负责人:菅野 卓雄
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依托单位:
高温超伝導材料の集積回路への応用の研究
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批准号:02226210
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$6.34万
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财政年份:1990
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负责人:菅野 卓雄
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依托单位:
原子・分子系の配列制御とそのニュ-ロ機能への展開
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批准号:01306013
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项目类别:Grant-in-Aid for Co-operative Research (B)
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1989
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负责人:菅野 卓雄
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依托单位:
ブリッジ型ジョセフソン接合素子を用いた新しいデイジタル集積回路の研究
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批准号:57060001
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项目类别:Grant-in-Aid for Specially Promoted Research
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资助金额:$181.76万
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财政年份:1982
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负责人:菅野 卓雄
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依托单位:
極微複合ジョセフソン接合における量子力学的干渉効果の研究
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批准号:57217012
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$3.58万
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财政年份:1982
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负责人:菅野 卓雄
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依托单位:
固体中の捕獲中心を用いたエネルギーの貯蔵変換方式
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批准号:56045032
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项目类别:Grant-in-Aid for Energy Research
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资助金额:$1.79万
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财政年份:1981
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负责人:菅野 卓雄
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依托单位:
ジョセフソン接合素子を用いた超高速ディジタル素子の研究
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批准号:56103005
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$9.47万
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财政年份:1981
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负责人:菅野 卓雄
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依托单位:
固体中の捕獲中心を用いたエネルギーの貯蔵変換方式
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批准号:X00024----505524
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项目类别:Grant-in-Aid for Energy Research
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1980
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负责人:菅野 卓雄
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依托单位:
半導体集積回路用省エネルギー低温・ドライプロセスの研究
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批准号:X00070----542035
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (A)
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资助金额:$14.34万
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财政年份:1980
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负责人:菅野 卓雄
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依托单位:
イオンビーム・リソグラフィの開発に関する基礎研究
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批准号:X00120----585098
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项目类别:Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
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资助金额:$3.46万
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财政年份:1980
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负责人:菅野 卓雄
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依托单位:
ジョセフソン接合素子を用いた超高速ディジタル素子の研究
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批准号:X00040----510704
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$5.12万
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财政年份:1980
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负责人:菅野 卓雄
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依托单位:
ジョセフソン接合素子を用いた超高速ディジタル素子の研究
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批准号:X00040----421603
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$15.3万
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财政年份:1979
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负责人:菅野 卓雄
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依托单位:
熱中性子により核変換された半導体のレーザ・アニーリングによるs-i構造の試作
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批准号:X00120----485001
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项目类别:Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
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资助金额:$6.4万
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财政年份:1979
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负责人:菅野 卓雄
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依托单位:
MOS界面構造欠陥測定用X線マイクロスコピィ
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批准号:X00120----385101
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项目类别:Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
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资助金额:$2.88万
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财政年份:1978
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负责人:菅野 卓雄
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依托单位:
半導体集積回路プロセスに対するプラズマの応用
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批准号:X00050----335012
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项目类别:Grant-in-Aid for Co-operative Research (A)
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资助金额:$4.35万
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财政年份:1978
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负责人:菅野 卓雄
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依托单位:
プラズマ酸化及びエピタキシー法による化合物半導体素子の表面不活性化
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批准号:X00040----220308
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$6.78万
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财政年份:1977
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负责人:菅野 卓雄
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依托单位:
マイクロブリッジ型ジョセフソン接合集積回路の研究
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批准号:X00080----246090
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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资助金额:$5.5万
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财政年份:1977
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负责人:菅野 卓雄
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依托单位:
プラズマ酸化及びエピタキシー法による化合物半導体素子の表面不活性化
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批准号:X00040----121112
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$6.72万
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财政年份:1976
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负责人:菅野 卓雄
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依托单位:
プラズマ酸化及びエピタキシー法による化合物半導体素子の表面不活性化
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批准号:X00040----021805
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$4.48万
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财政年份:1975
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负责人:菅野 卓雄
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依托单位:
海外基金