クーロン・ブロッケードを利用したナノパワー超高速エレクトロニクスの研究
クーロン・ブロッケードを利用したナノパワー超高速エレクトロニクスの研究
批准号:
05302035
负责人:
菅野 卓雄
金额:
$3.07万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Co-operative Research (A)
财政年份:
1993
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1993 至 1994
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平成5年度、6年度を通じ合計8回の研究会を開催し、クーロンブロッケードを利用した電子デバイス、及びそれを用いて構成させる集積回路の特性、特に消費電力と信号伝搬時間について検討を行った。その結果、従来提案されていた単電子トランジスタの構造では室温動作を可能にし、且つファン・アウトを大きくとるために利得を大きくとろうとすると、電極寸法が極めて小さくなって実現不可能な寸法になるが、2重障壁構造を有する単電子トランジスタにすることにより、この問題点が解決できる見通しのあることが判明した。またこの構造を用いることにより、cotunellingの確率も小さくなり、単電子トランジスタの動作を信頼性の高いものとすることも期待されることが明らかになった。尚利得の問題は信号の担体がそれ自身で信号の伝達経路も決定していく、現在の論理回路の構成に問題があることに鑑み、単電子信号を信号のメッセンジャとする2分決定グラフのデバイス化により、この問題が解決できると共に、単電子回路としてユニークな構成をとり得ることが判明した。これらの結果を総合することにより、電子のトンネル現象のクーロンブロッケードを利用したナノ・パワー・エレクトロニクスについて、具体的な新しい展望をもつことが可能になった。また、トンネル現象の動的特性について、誘起電荷も考えることにより、金属電極で狭まれたトンネル障壁と半導体電極で狭まれたトンネル障壁とで異なった特性が生ずることも明らかになり、また、量子ドットを含む系に磁界を加えることにより、Magneto-Coulomb振動も観測できることも明らかになった。これらの物理的な基礎研究は単電子トランジスタの動的特性の理解に役立つと考えられる。
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R.Notzel: "Atomic Force Microscopy Study of Strained In GaAs Quantum Disks Selforganizing on GaAs (nll)B Substrates" Appl.Phys.Leet.65. 2854-2856 (1994)
R.Notzel:“GaAs (nll)B 基板上应变 GaAs 量子盘自组织的原子力显微镜研究”Appl.Phys.Leet.65。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
M.Ishii: "Digital Etching Using Kr F Excimer Laser" Jpn J.Appl.Phys.32. 6178-6181 (1993)
M.Ishii:“使用 Kr F 准分子激光进行数字蚀刻”Jpn J.Appl.Phys.32。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
石橋幸治: "半導体ナノ構造における電子輸送" 応用物理. 63. 104-115 (1994)
Koji Ishibashi:“半导体纳米结构中的电子传输”应用物理 63. 104-115 (1994)。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
T.Inoshita: "Correlated electron transport though a quantum dot:the multi-level effect" physical Revew B. 48(19). 14725-14728 (1993)
T.Inoshita:“通过量子点的相关电子传输:多级效应”物理评论 B. 48(19)。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
K.Tsutsul,E.L.Hu and C.D.W.Wilkinson: ""Controlling the profile of nanostructures"" J.Vacuum Science & Technology. B11. 2233-2236 (1993)
K.Tsutsul、E.L.Hu 和 C.D.W.Wilkinson:“控制纳米结构的轮廓”J.Vacuum Science
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
共 46 条
高温超伝導材料の集積回路への応用の研究
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批准号:03210210
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$4.8万
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财政年份:1991
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负责人:菅野 卓雄
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依托单位:
高温超伝導材料の集積回路への応用の研究
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批准号:02226210
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$6.34万
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财政年份:1990
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负责人:菅野 卓雄
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依托单位:
原子・分子系の配列制御とそのニュ-ロ機能への展開
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批准号:01306013
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项目类别:Grant-in-Aid for Co-operative Research (B)
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1989
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负责人:菅野 卓雄
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依托单位:
高温超伝導材料の集積回路への応用の研究
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批准号:01644508
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$6.53万
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财政年份:1989
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负责人:菅野 卓雄
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依托单位:
ブリッジ型ジョセフソン接合素子を用いた新しいデイジタル集積回路の研究
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批准号:57060001
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项目类别:Grant-in-Aid for Specially Promoted Research
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资助金额:$181.76万
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财政年份:1982
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负责人:菅野 卓雄
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依托单位:
極微複合ジョセフソン接合における量子力学的干渉効果の研究
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批准号:57217012
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$3.58万
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财政年份:1982
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负责人:菅野 卓雄
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依托单位:
固体中の捕獲中心を用いたエネルギーの貯蔵変換方式
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批准号:56045032
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项目类别:Grant-in-Aid for Energy Research
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资助金额:$1.79万
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财政年份:1981
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负责人:菅野 卓雄
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依托单位:
ジョセフソン接合素子を用いた超高速ディジタル素子の研究
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批准号:56103005
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$9.47万
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财政年份:1981
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负责人:菅野 卓雄
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依托单位:
固体中の捕獲中心を用いたエネルギーの貯蔵変換方式
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批准号:X00024----505524
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项目类别:Grant-in-Aid for Energy Research
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1980
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负责人:菅野 卓雄
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依托单位:
イオンビーム・リソグラフィの開発に関する基礎研究
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批准号:X00120----585098
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项目类别:Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
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资助金额:$3.46万
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财政年份:1980
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负责人:菅野 卓雄
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依托单位:
半導体集積回路用省エネルギー低温・ドライプロセスの研究
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批准号:X00070----542035
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (A)
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资助金额:$14.34万
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财政年份:1980
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负责人:菅野 卓雄
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依托单位:
ジョセフソン接合素子を用いた超高速ディジタル素子の研究
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批准号:X00040----510704
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$5.12万
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财政年份:1980
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负责人:菅野 卓雄
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依托单位:
ジョセフソン接合素子を用いた超高速ディジタル素子の研究
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批准号:X00040----421603
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$15.3万
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财政年份:1979
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负责人:菅野 卓雄
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依托单位:
熱中性子により核変換された半導体のレーザ・アニーリングによるs-i構造の試作
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批准号:X00120----485001
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项目类别:Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
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资助金额:$6.4万
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财政年份:1979
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负责人:菅野 卓雄
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依托单位:
MOS界面構造欠陥測定用X線マイクロスコピィ
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批准号:X00120----385101
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项目类别:Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
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资助金额:$2.88万
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财政年份:1978
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负责人:菅野 卓雄
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依托单位:
半導体集積回路プロセスに対するプラズマの応用
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批准号:X00050----335012
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项目类别:Grant-in-Aid for Co-operative Research (A)
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资助金额:$4.35万
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财政年份:1978
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负责人:菅野 卓雄
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依托单位:
プラズマ酸化及びエピタキシー法による化合物半導体素子の表面不活性化
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批准号:X00040----220308
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$6.78万
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财政年份:1977
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负责人:菅野 卓雄
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依托单位:
マイクロブリッジ型ジョセフソン接合集積回路の研究
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批准号:X00080----246090
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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资助金额:$5.5万
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财政年份:1977
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负责人:菅野 卓雄
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依托单位:
プラズマ酸化及びエピタキシー法による化合物半導体素子の表面不活性化
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批准号:X00040----121112
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$6.72万
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财政年份:1976
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负责人:菅野 卓雄
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依托单位:
プラズマ酸化及びエピタキシー法による化合物半導体素子の表面不活性化
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批准号:X00040----021805
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$4.48万
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财政年份:1975
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负责人:菅野 卓雄
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依托单位: