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間接吸収端光励起に伴う臭化銀の光化学反応

间接吸收边光激发相关的溴化银光化学反应

基本信息

批准号：
63540236
负责人：
近藤泰洋
金额：
$ 1.28万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份：
1988
资助国家：
日本
起止时间：
1988 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

本研究課題に於ては、高純度臭化銀単結晶を作成し以下の研究を行った。1)ピコ秒時間分解分光による光誘起化学反応の検出モードロックアルゴンレーザーとキセノン励起色素レーザーを同時に用いることにより、臭化銀中に生成された反応生成物によるラマン散乱光の検出を試みた。用いたアルゴンレーザーが老化していたこと、及び試料温度が充分低くならなかったことにより反応生成物の検出はできなかった。しかし同時に行った臭化銀固有の二次ラマン散乱スペクトルについては、液体ヘリウム温度に於けるスペクトルが得られた。このスペクトルはこれまで測定されてないものであり、今回の測定が初めてである。得られた結果を中性子散乱から求められているフォノンの分散式と比較し、縦音響フォノンと縦光学フォノンとの電子格子相互作用が主要であることを明らかにした。この結果は光化学反応を引き起こす格子の動きを考える際に重要な情報となろう。2.光カロリメトリー分光による光誘起化学反応の検出光カロリメトリー分光では、結晶中に入射したエネルギーと、結晶から放出されたエネルギーを検出することができ、両者の差から結晶中に何らかの形で蓄積されたエネルギー(反応生成物の生成エネルギー)を推定できる。この分光システムを高分解能化することにより、臭化銀・塩化銀の間接励起子吸収端付近での励起子消滅、事由電子-正孔の再結合と光化学反応との間の関係を調べることが可能となった。得られた成果は次の通りである。間接励起子を生成すると、寿命の長い(数十分〜数時間)準安定状態が生成される。帯間励起では浅い電子中心と自己束縛正孔が生成され数秒以内に消滅する。間接励起子状態から生成される反応物は格子間銀イオンと銀イオン空格子点の対であろうと推定される。このように格子間銀イオン生成を直接示したのは本研究が初めてである。

The purpose of this study is to study the results of high-temperature and high-temperature odorization experiments. 1) in an instant, the chemical reaction was generated by decomposition and spectrophotometry, and the pigment was activated by the chemical reaction in an instant. At the same time, the pigment was activated, and the chemical reaction product was generated in the deodorizer at the same time. The temperature of the material is sufficiently low, and the material temperature is low enough to produce the reverse product. At the same time, the temperature of the liquid temperature is lower than that of the normal temperature, and the temperature of the liquid is lower than that of the normal temperature. This is the first time that you have been tested, and this time you have been tested. The results show that the neutrals are scattered, the neutral is scattered. The results showed that the photochemical reaction led to the introduction of the lattice test, the examination of important information. two。 The chemical reaction method was used to detect the chemical reaction, the incident temperature in the crystal, the incident temperature in the crystal, the emission spectrum in the crystal, the temperature in the crystal, and the temperature in the crystal. The absorption end of the exciter is close to that of the exciter, and the cause is that the electron-positive hole is combined with photochemical reaction. I got a lot of results, and I got a lot of results. The indirect exciter generates the voltage, and the life span (tens of minutes to several minutes) is stable to generate the voltage. The center of shallow electronics is encouraged to beam its own positive hole to generate a negative voltage within a few seconds. The indirect excitation sub-state device generates an inverse object, the grid, the space space, and the presumption of error. In this study, the first step of this study is to generate a grid.