Optimization of GaInAsP/InP Heterostructures for Ultrafast THz Photomixers
超快 THz 光电混频器 GaInAsP/InP 异质结构的优化
基本信息
- 批准号:52302630
- 负责人:
- 金额:--
- 依托单位:
- 依托单位国家:德国
- 项目类别:Research Grants
- 财政年份:2007
- 资助国家:德国
- 起止时间:2006-12-31 至 2010-12-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
Photomischer sind Schlüsselkomponenten in cw THz Systemen. Im Projekt soll die in Telekom-Anwendungen ausgereifte InP-Technologie eingesetzt werden zur Entwicklung von halbleiter-basierten Photomischern. Zwei Konzepte werden verfolgt: 1) Photomischer basierend auf Photodioden, die im Lauf des Projekts in der Geschwindigkeit optimiert und mit Antennen integriert werden. Dabei wird auf den Erfahrungen des HHI mit schnellen GaInAsP/InP Dioden für Telekom-Anwendungen aufgebaut. Die Geschwindigkeits-Optimierung von Dioden durch eine „Uni-Travelling-Carrier“ (UTC) Heterostruktur wurde von NTT (Japan) demonstriert. Das UTC Konzept, Modifikationen hierzu und alternative Methoden zur Geschwindigkeits-Optimierung der Photomischer werden im Projekt untersucht. Vorteile des UTC Konzeptes und der wellenleiter-integrierten HHI-Dioden sollen kombiniert und entsprechende Lösungen realisiert werden. Der untere THz Bereich bis 1 THz soll so erschlossen werden. 2) Photomischer, in denen die THz Welle direkt durch nichtlineare Effekte in aktiven Wellenleitern erzeugt wird. Die Phasen-Anpassung zwischen den optischen Pump- und den erzeugten THz-Wellen muss hier untersucht und optimiert werden. Verluste der THz Welle müssen minimiert werden durch Vermeidung von Dotierungen in Substrat und Schichten. Schließlich muss die Effizienz der Nichtlinearitäten optimiert werden durch ein spezielles Design von Quanten Well Strukturen. Die Optimierungen erfordern vielfältiges Modelling, Wachstum der Schichtfolgen und umfassende Charakterisierung der erzielten Eigenschaften. Das 2. Konzept ist relativ neu und risikoreich, aber auch viel versprechend, da hier die Geschwindigkeitsgrenzen der opto-elektronischen Wandlung überschritten werden.
在连续太赫兹系统中的光子结构。我是唯一一个在电信-安文顿-安文顿-技术中心工作的人,这是一项非常重要的工作。他说:1)从照片中可以看到,它是最好的,也是最好的。这是一项由德国电信公司和安文顿电信公司联合提供的服务。最好的旅行承运商(UTC)的异质运输工具(日本)。作为UTC Konzept,Modifikationen hierzu和Alternative Methoden zur Geschwindigkeits-Optimierung der Photomischer是im Projekt untersuht。从今天起,我们将从L的手中接过手来。在太赫兹下,Bereich双1太赫兹,所以尔施洛森。2)光在太赫兹光的引导下,在许多情况下都是有效的。这是我们的理想选择,也是我们的梦想。在底物和Schichten中的Verluste der THz Welle Müssen最小化是Vermeidung von Dotierungen。Schlie?lich Muss De Effizienz der Nichtlinitäten在规范设计中得到了最好的效果。这是一种最好的建模方法,也是一种新的方法。2.这是一个相对的概念,它代表了世界上所有的东西,也就是我们所能理解的东西。
项目成果
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数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
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