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Optimization of GaInAsP/InP Heterostructures for Ultrafast THz Photomixers

Optimization of GaInAsP/InP Heterostructures for Ultrafast THz Photomixers
超快 THz 光电混频器 GaInAsP/InP 异质结构的优化
批准号:
52302630
负责人:
Dr. Bernd Sartorius
金额:
$0.0万
依托单位国家:
德国
项目类别:
Research Grants
财政年份:
2007
资助国家:
德国
项目状态:
已结题
起止时间:
2006-12-31 至 2010-12-31

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
Photomischer sind Schlüsselkomponenten in cw THz Systemen.我的项目是为了在半导体光传感器的开发中使用一种韦尔登技术。第二次会议韦尔登:(1)光电二极管的光测基础,即在光学设计中的最佳化和集成韦尔登。Dabei wird auf den Erfahrungen des HHI mit schnellen GaInAsP/InP Dioden für Telekom-Anwendungen aufgebaut. Dioden通过一艘“单向移动载体”(UTC)异质结构进行的整体优化由NTT(日本)演示。本文介绍了UTC概念、分级修正和替代方法,以便在项目中对摄影韦尔登进行最佳化。Vorteile des UTC Konzeptes und der wellenleiter-integrierten HHI-Dioden sollen kombiniert und entsprechende Lösungen realisiert韦尔登. 太赫兹的频率比1太赫兹低,所以韦尔登很弱。2)Photomischer,在太赫兹韦勒波直接通过非线性效应在激活的电磁场中产生。光泵和太赫兹波的相位调整必须进行优化和韦尔登。太赫兹韦勒波的亮度通过衬底和Schichten中的多路传输而最小化韦尔登。Schließlich muss die Effizienz der Nichtlinearitäten optimiert韦尔登durch ein spezielles Design von Quanten Well Strukturen. Die Optimierungen erfordern vielfältiges Modeling,Wachstum der Schichtfolgen und umfassessment Charakterisierung der erzielten Eigenschaften. Das 2. Konzept是相对新的和有风险的,但也有很多不同,它是由光电转换器韦尔登的Geschwindigkeitszen组成的。
英文摘要
Photomischer sind Schlüsselkomponenten in cw THz Systemen. Im Projekt soll die in Telekom-Anwendungen ausgereifte InP-Technologie eingesetzt werden zur Entwicklung von halbleiter-basierten Photomischern. Zwei Konzepte werden verfolgt: 1) Photomischer basierend auf Photodioden, die im Lauf des Projekts in der Geschwindigkeit optimiert und mit Antennen integriert werden. Dabei wird auf den Erfahrungen des HHI mit schnellen GaInAsP/InP Dioden für Telekom-Anwendungen aufgebaut. Die Geschwindigkeits-Optimierung von Dioden durch eine „Uni-Travelling-Carrier“ (UTC) Heterostruktur wurde von NTT (Japan) demonstriert. Das UTC Konzept, Modifikationen hierzu und alternative Methoden zur Geschwindigkeits-Optimierung der Photomischer werden im Projekt untersucht. Vorteile des UTC Konzeptes und der wellenleiter-integrierten HHI-Dioden sollen kombiniert und entsprechende Lösungen realisiert werden. Der untere THz Bereich bis 1 THz soll so erschlossen werden. 2) Photomischer, in denen die THz Welle direkt durch nichtlineare Effekte in aktiven Wellenleitern erzeugt wird. Die Phasen-Anpassung zwischen den optischen Pump- und den erzeugten THz-Wellen muss hier untersucht und optimiert werden. Verluste der THz Welle müssen minimiert werden durch Vermeidung von Dotierungen in Substrat und Schichten. Schließlich muss die Effizienz der Nichtlinearitäten optimiert werden durch ein spezielles Design von Quanten Well Strukturen. Die Optimierungen erfordern vielfältiges Modelling, Wachstum der Schichtfolgen und umfassende Charakterisierung der erzielten Eigenschaften. Das 2. Konzept ist relativ neu und risikoreich, aber auch viel versprechend, da hier die Geschwindigkeitsgrenzen der opto-elektronischen Wandlung überschritten werden.
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基于晶圆键合的GaInP/GaInAsP(1.5eV)//Si叠层太阳电池研究