Wachstum von Siliciumoxidstrukturen

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Die Abscheidung glasbildender Oxide aus der Gasphase spielt technisch bei der Herstellung von Lichtwellenleitern eine große Rolle. Die Mechanismen dieser Beschichtung sind weitgehend ungeklärt. Die Schwierigkeit besteht in der quantitativen Bestimmung der Bestandteile der an diesen Prozessen beteiligten Cluster. In diesem Projekt soll das Wachstum von Siloxanen mit quantenchemischen Methoden bestimmt werden. Dabei sollen die Prozesse bei der Bildung von Polysiloxanen SilOmXn (X = Cl, H) mit vorgegebener Zusammensetzung an Si, O und X untersucht werden. Der Einfluß kleiner Spezies und Radikale auf die Art des Wachstums und die Bildung von Isomeren soll untersucht werden. Ebenso sollen silicium- und sauerstoffreiche Verbindungen generiert werden, die Rückschlüsse auf die Konvergenz zu SiO2-Festkörperstrukturen zulassen.