低温凝縮層制御によるストイキオメトリック窒化ホウ素膜の形成
低温凝縮層制御によるストイキオメトリック窒化ホウ素膜の形成
批准号:
01750267
负责人:
宮崎 誠一
金额:
$0.58万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份:
1989
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1989 至 --
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会议论文
ハイブリッドスーパーアトム創成による量子物性制御と新機能デバイス開発
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批准号:21H04559
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额:$27.87万
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财政年份:2021
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负责人:宮崎 誠一
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依托单位:
磁性合金ナノドットハイブリッド集積によるスピン物性制御と新機能メモリ応用
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批准号:15H02239
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额:$12.23万
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财政年份:2015
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负责人:宮崎 誠一
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依托单位:
シリコン系スーパーアトム構造の高密度集積と新機能材料創成
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批准号:18206035
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额:$30.7万
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财政年份:2006
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负责人:宮崎 誠一
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依托单位:
PN制御シリコン系ナノ結晶集積構造におけるキャリア輸送とエレクトロルミネッセンス
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批准号:17656109
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$2.11万
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财政年份:2005
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负责人:宮崎 誠一
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依托单位:
半導体表面近傍に偏析した分子状不純物の紫外線レーザラマン分光法による高感度分析
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批准号:09875011
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1997
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负责人:宮崎 誠一
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依托单位: