ハイブリッドスーパーアトム創成による量子物性制御と新機能デバイス開発

通过创建杂化超级原子进行量子物理性质控制和新功能器件开发

基本信息

  • 批准号:
    21H04559
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 27.87万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
  • 财政年份:
    2021
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2021-04-05 至 2024-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

初年度には、SiO2熱酸化膜上にリモートH2プラズマ支援により高密度・一括形成したFeナノドットに基板温度400℃でSiH4照射を行った場合、Feシリサイドナノドットが形成でき、0.79eV付近に室温フォトルミネスセンス(PL)が認められることを明らかにした。本年度は、SiH4照射時におけるガス圧力および照射時間がFeナノドットのシリサイド化反応に及ぼす影響を評価した。SiH4照射前後のAFM表面形状像測定から、SiH4照射条件を変化させた場合においてもドットの面密度およびサイズに顕著な変化は認められず、室温PL測定を行った結果、いずれの照射量においても0.7~0.85 eVにブロードな信号が認められるものの、PL発光強度に明瞭な変化が認められた。PL積分強度をSiH4照射量(照射時間×圧力)に対してまとめた結果、照射量の増加に伴い発光強度が増強するものの、照射量600 Pa・secで最大となった後、顕著に減少した。600および1800 Pa・secでSiH4照射したナノドットをXPS分析した結果、600 Pa・secで照射した試料ではSi-Feの信号が認められるが、1800 Pa・secで照射した試料ではSi-Feの信号とともに、Si-Siに起因する低エネルギー側のピークが認められた。この結果は、Feナノドットのシリサイド化によりβ-FeSi2相が形成した後、ナノドット表面にSi層が堆積したことを示している。Siの価電子帯上端がβ-FeSi2に比べ僅かに浅いことを考慮すると、光励起により生成した正孔の一部がSi層に移動することで、β-FeSi2ナノドットでの電子-正孔再結合効率が低下した結果で解釈できる。
In the early years, the SiO2 thermal acidified film was formed on the substrate at a temperature of 400℃. In the case of SiH4 irradiation, the SiO2 thermal acidified film was formed at a temperature of 0.79 eV near room temperature. This year, the impact of SiH4 irradiation on the chemical reaction of Fe and Fe was evaluated. AFM surface profile measurement before and after SiH4 irradiation, SiH4 irradiation conditions change, surface density change, PL measurement results at room temperature, irradiation dose change from 0.7 eV to 0.85 eV, PL emission signal change, PL emission intensity change. PL integrated intensity SiH4 exposure (exposure time × pressure) increases with increasing light intensity, and decreases with increasing exposure 600 Pa·sec. 600 Pa·sec for SiH4 irradiation, 600 Pa·sec for Si-Fe signal, 1800 Pa·sec for Si-Si signal. As a result, the Si layer on the surface of the FeSi layer was deposited after the formation of the β-FeSi2 phase. The upper end of the Si electron band is only shallow in the β-FeSi2 layer, and a part of the positive hole is generated by optical excitation. The electron-positive hole recombination efficiency of the β-FeSi2 layer is low.

项目成果

期刊论文数量(177)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Feシリサイドドットの発光特性評価
硅化铁点的发光特性评价
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    古幡 裕志;斎藤 陽斗;牧原 克典;大田 晃生;田岡 紀之;宮﨑 誠一
  • 通讯作者:
    宮﨑 誠一
Effect of substrate temperature on plasma-enhanced self-assembling formation of high-density FePt nanodots
基底温度对等离子体增强自组装形成高密度 FePt 纳米点的影响
  • DOI:
    10.35848/1347-4065/ac2036
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    S. Honda;K. Makihara;N. Taoka;H. Furuhata;A. Ohta;D. Oshima;T. Kato;and S. Miyazaki
  • 通讯作者:
    and S. Miyazaki
Light-emission Properties of High-density Superatom-like Ge-core/Si-shell Quantum Dots
高密度类超原子Ge核/Si壳量子点的发光特性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2023
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    K. Makihara;Y. Yamamoto;Y. Imai;N. Taoka;M. A. Schubert;B. Tillack;and S. Miyazaki
  • 通讯作者:
    and S. Miyazaki
SiO2上に形成したニッケルシリサイド薄膜の膜厚が表面形態・結晶相へ与える影響
SiO2上硅化镍薄膜膜厚对表面形貌和晶相的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2023
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    木村 圭佑;田岡 紀之;西村 駿介;大田 晃生;牧原 克典;宮﨑 誠一
  • 通讯作者:
    宮﨑 誠一
Alignment Control of Si-based Quantum Dots
硅基量子点的取向控制
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Y. Imai;K. Makihara;N. Taoka;and S. Miyazaki
  • 通讯作者:
    and S. Miyazaki
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

宮崎 誠一其他文献

Reduced-Pressure CVDによるGeコアSi量子ドットの高密度一括形成と発光特性評価
减压CVD法高密度批量形成Ge核Si量子点及发光性能评价
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    牧原 克典;Yamamoto Yuji;藤森 俊太郎;前原 拓哉;池田 弥央;Tillack Bernd;宮崎 誠一
  • 通讯作者:
    宮崎 誠一
Millimeter wave and THz wave measurements by photonics
通过光子学进行毫米波和太赫兹波测量
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    鈴木 善久;牧原 克典;池田 弥央;宮崎 誠一;安藤裕一郎,小池勇人,佐々木智生,鈴木義茂,白石誠司;S. Hisatake
  • 通讯作者:
    S. Hisatake
a-Si膜の熱プラズマジェット結晶化における基板加熱効果
非晶硅薄膜热等离子体射流晶化中的基片加热效应
高誘電率絶縁膜の電子親和力の決定およびSiO2 との界面で生じる電位変化の定量
高介电常数绝缘膜的电子亲和力测定以及与 SiO2 界面处发生的电位变化的量化
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    藤村 信幸;大田 晃生;池田 弥央;牧原 克典;宮崎 誠一
  • 通讯作者:
    宮崎 誠一
シリコン酸化薄膜の電気抵抗スイッチングおよび欠陥準位密度評価
氧化硅薄膜的电阻切换和缺陷能级密度评估
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    加藤 祐介;大田 晃生;池田 弥央;牧原 克典;宮崎 誠一
  • 通讯作者:
    宮崎 誠一

宮崎 誠一的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('宮崎 誠一', 18)}}的其他基金

磁性合金ナノドットハイブリッド集積によるスピン物性制御と新機能メモリ応用
通过磁性合金纳米点的混合集成控制自旋特性和新的功能存储应用
  • 批准号:
    15H02239
  • 财政年份:
    2015
  • 资助金额:
    $ 27.87万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
シリコン系スーパーアトム構造の高密度集積と新機能材料創成
硅基超原子结构高密度集成及新型功能材料的创制
  • 批准号:
    18206035
  • 财政年份:
    2006
  • 资助金额:
    $ 27.87万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
PN制御シリコン系ナノ結晶集積構造におけるキャリア輸送とエレクトロルミネッセンス
PN控制硅纳米晶集成结构中的载流子输运和电致发光
  • 批准号:
    17656109
  • 财政年份:
    2005
  • 资助金额:
    $ 27.87万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
半導体表面近傍に偏析した分子状不純物の紫外線レーザラマン分光法による高感度分析
使用紫外激光拉曼光谱对半导体表面附近偏析的分子杂质进行高灵敏度分析
  • 批准号:
    09875011
  • 财政年份:
    1997
  • 资助金额:
    $ 27.87万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
低温凝縮層制御によるストイキオメトリック窒化ホウ素膜の形成
低温凝聚层控制化学计量氮化硼薄膜的形成
  • 批准号:
    01750267
  • 财政年份:
    1989
  • 资助金额:
    $ 27.87万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)

相似海外基金

鉄鋼材料の革新的組織制御手法の確立:超微細等軸コア-シェル構造組織の創製
创新钢材微观结构控制方法的建立:超细等轴核壳结构的创建
  • 批准号:
    24KJ1803
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 27.87万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
鉄酸化物を自己積層化する無機コア-シェル構造の創出と環境浄化光触媒への応用
自层压氧化铁无机核壳结构的构建及其在环境净化光催化剂中的应用
  • 批准号:
    24K08103
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 27.87万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
異種金属のイオン液体へのスパッタ蒸着による新規コア・シェル構造ナノ粒子の合成
通过在离子液体上溅射沉积不同金属来合成新型核壳结构纳米颗粒
  • 批准号:
    23655195
  • 财政年份:
    2011
  • 资助金额:
    $ 27.87万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了