シリコン系スーパーアトム構造の高密度集積と新機能材料創成

硅基超原子结构高密度集成及新型功能材料的创制

• 批准号: 18206035
• 负责人: 宮崎 誠一
• 金额: $ 30.7万
• 依托单位: Hiroshima University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• 财政年份: 2006
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2006 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-18206035/
• 关键词: 量子ドット; スーパーアトム

熱処理によりNiSiドット形成したハイブリッドドットフローティングゲートMOSキャパシタを試作し、C-V特性を評価することで、電化注入・保持特性を評価した結果、ドットへの電子注入及び放出に伴うフラットバンド電圧シフトは,最大印加ゲートバイアスに対して線形に増加し,Si量子ドットを介してNiSiドットに多数電荷注入することができた。NiSiドットの深い仕事関数を反映して,低ゲートバイアス領域では,NiSiドットからの電子放出が抑制される。また、電子注入・放出レートがパルスバイアス印加時間に対して段階的に変化することから,NiSiドットへの電子注入・放出は,Si量子ドットの離散化したエネルギー状態を反映して制限的に進行することが示唆された。低温プロセスによるドット形成技術として、リモート水素プラズマによりNi/Si=1の組成をもつNiシリサイドドットの形成技術を確立した。また、Pt膜厚10nm以下において高密度Ptドットが形成できることを確認したこのなかで、高パワー、低圧力下で生成する原子状水素によりPt原子の凝集が促進されることが明らかとなり、同様の技術を用いて、密度6.5×1011cm-2の高密度なPdドットを形成できた。更に、リモート水素プラズマ処理によるPtのシリサイド化が進行し、仕事関数5.11eVのPtSiドットが形成できた。このH2プラズマ支援によりNiSiドット形成したハイブリッドドットフローティングゲートMOSメモリを作成し、特性評価を行った結果、NiSiの深い仕事関数(Siミッドギャップ近傍)を反映して,NiSiドットからの電子放出が顕著に抑制され,複数電子がNiSiドットに安定保持されることが分かった。

Hot 処 Richard に よ り NiSi ド ッ ト form し た ハ イ ブ リ ッ ド ド ッ ト フ ロ ー テ ィ ン グ ゲ ー ト MOS キ ャ パ シ タ を attempt し, C - V を review 価 す る こ と で, electrochemical injection to keep features を review 価 し た results, ド ッ ト へ の electron injection and び release に with う フ ラ ッ ト バ ン ド electric 圧 シ フ ト は, biggest Inca ゲ ー ト バ イ ア ス に し seaborne て linear に raised し, Si quantum ド ッ ト を interface し て NiSi ド ッ ト に most charge injection す る こ と が で き た. NiSi ド ッ ト の deep い shi matter number of masato を reflect し て, low ゲ ー ト バ イ ア ス field で は, NiSi ド ッ ト か ら の electronic released が control さ れ る. ま た, electron injection released レ ー ト が パ ル ス バ イ ア ス Inca time に し seaborne て Duan Jie に of variations change す る こ と か ら, NiSi ド ッ ト へ の electronic injection released は, Si quantum ド ッ ト の discretization し た エ ネ ル ギ ー state を reflect し limitations て に for す る こ と が in stopping さ れ た. Low temperature プ ロ セ ス に よ る ド ッ ト forming technology と し て, リ モ ー ト water element プ ラ ズ マ に よ り Ni/Si = 1 の を も つ Ni シ リ サ イ ド ド ッ ト の を forming technology to establish し た. ま た, Pt film thickness under 10 nm に お い て high-density Pt ド ッ ト が form で き る こ と を confirm し た こ の な か で, high パ ワ ー, under low pressure で す る atomistic water element に よ り Pt atoms の agglutination が promote さ れ る こ と が Ming ら か と な り, with others in を の technology with い て, density 6.5 x 1011 cm to 2 の high-density な Pd Youdaoplaceholder0 forms で た た た. More に, リ モ ー ト water element プ ラ ズ マ 処 Richard に よ る Pt の シ リ サ イ ド が for し, shi matter masato number 5.11 eV の PtSi ド ッ ト が form で き た. こ の H2 プ ラ ズ マ support に よ り NiSi ド ッ ト form し た ハ イ ブ リ ッ ド ド ッ ト フ ロ ー テ ィ ン グ ゲ ー ト MOS メ モ リ を made し, features, evaluation of 価 を line っ た results, NiSi の deep い shi matter masato number (Si ミ ッ ド ギ ャ ッ プ nearly alongside) を reflect し て, NiSi ド ッ ト か ら の electronic release が 顕 the に inhibit さ れ, plural The electron がNiSiドットに is stably maintained at される される とが minutes った った.

项目成果

Light Emitting Diode with MOS Structures Containing Multiple-Stacked Si Quantum Dots

具有包含多重堆叠硅量子点的MOS结构的发光二极管

• 发表时间: 2005
• 期刊: Abst. of 2005 China Int.conf. on Nanoscience & Technology
• 作者: K;Makihara;K.Makihara;K.Makihara;K.Makihara;J.Nishitani;K.Makihara;K.Makihara;J.Xu
• 通讯作者: J.Xu

Characterization of Electronic Charged States of Impurity Doped Si Quantum Dots Using AFM/Kelvin Probe Technique

使用 AFM/开尔文探针技术表征掺杂硅量子点的电子带电状态

• 发表时间: 2010
• 期刊: Jpn.J.Appl.Phys.
• 作者: S.y-.Lee;H.Ito;S.Amakawa;S.Tanoi;N.Ishihara;K.Masu;榎波康文;K.Makihara
• 通讯作者: K.Makihara

Control of Electronic Charged States of Si-based Quantum Dots for Floating Gate Aplication

用于浮栅应用的硅基量子点电子带电状态的控制

• 发表时间: 2006
• 期刊: Abst. of 2nd International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
• 作者: 木村一子;落合純代;河本大地;福永寛明;中村 賜;Zheng Taixing;Matsutomi Tomoya;中本 千泉;K. Makihara;K. Makihara;T. Hosoi;K. Makihara;K. Makihara;S. Miyazaki;T. Sakata;A. Ohta;T. Sakata;R. Nishihara;S. Miyazaki;K.Makihara;J.Nishitani;S.Miyazaki;K.Makihara;K.Makihara;K.Makihara;K.Makihara;S.Miyazaki
• 通讯作者: S.Miyazaki

Impact of impurity Doping into Si Quantum Dots with GeCore on Their Electrical Charging Characteristics

GeCore硅量子点杂质掺杂对其充电特性的影响

• 发表时间: 2008
• 期刊: Thin Solid Films 517
• 作者: K. Makihara;M. Ikeda;S. Higashi and S. Miyazaki
• 通讯作者: S. Higashi and S. Miyazaki

表面科学

表面科学

• 发表时间: 2014
• 作者: 立石哲郎;栗山怜子;佐藤洋平;藤居由基;篠木祥平，新沼啓，高奈秀匡，西山秀哉;深井俊道;奥村和
• 通讯作者: 奥村和