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エピタキシャル成長法による絶縁体薄膜結晶の作製と光物性評果

外延生长法制备绝缘体薄膜晶体及光学性能评价

基本信息

批准号：
02640268
负责人：
大野宣人
金额：
$ 1.09万
依托单位：
Osaka Electro-Communication University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份：
1990
资助国家：
日本
起止时间：
1990 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

半導体においては、MBE法等により原子レベルでの単結晶薄膜化の制御が可能になっている。しかしながら、絶縁体における単結晶の薄膜化は通常の蒸着法による方法に限られており、これまで超薄膜結晶の作製の試みはほとんどない。本研究では、これら絶縁体の単結晶薄膜を育成し、主として光学的手段により結晶の評果を行い、絶縁性薄膜としての特性を調べることを目的としている。今回、新たに超高真空用蒸着装置(特注品)を試作し、これを用いて、以下の2通りの方法でアルカリハライド単結晶薄膜をエピタキシャル成長させることに成功した。すなわち、(1)10^<ー9>Torr以下の高真空のもとで、KCl基板結晶上に沃化水素を低温で蒸着し、結晶基板の温度を上げることによりKI薄結晶を得た.(2)沃素ガスおよび沃化水素ガスを金属カリウム基板上に照射し、化学的反応によりKI薄結晶を得た。得られた結晶の厚さは、基礎及収端近傍の光学密度の大きさから換算すると数10μm程度と見積られる。これら薄膜結晶の吸収スペクトルおよび反射スペクトルの測定の詳細については、現在進行中である。さらに、結晶性のよい、より薄い結晶膜を得るには、エピタキシャル成長の最適条件(成長速度・基板温度・ガス圧・ベ-スの真空度等)を充分に把握せねばならない。そのためには、少なくとも膜厚をモニタ-しながら結晶を生成する必要があり、次年度では膜厚計(日本真空技術KK)の購入を望みたい。

The semiconductor industry, MBE method, etc., can be used for the preparation of thin films of single crystals. The method of thin film crystallization is limited to the conventional evaporation method, and the method of thin film crystallization is limited to the conventional evaporation method. This study aims at the development of insulating thin films, mainly by optical means, the evaluation of crystalline results, and the adjustment of insulating thin films 'properties. Now, the new ultra-high vacuum evaporation device (special injection) has been tested, and the following two methods have been successfully used to grow crystalline thin films. High vacuum below (1) 10 ^<-9> Torr, KCl substrate crystallization, low temperature evaporation, crystallization substrate temperature, KI thin crystallization. (2)The metal substrate is irradiated and chemically reacted with KI thin crystals. The optical density of the crystal thickness, the base and the vicinity of the end is reduced to 10 μ m. The measurement of absorption and reflection of thin film crystals is in progress. The optimum conditions for the growth (growth rate, substrate temperature, pressure, vacuum, etc.) of crystalline films should be fully grasped. The next year, the film thickness meter (Japan Vacuum Technology KK) was purchased.